La produzione di dispositivi SiC con l’impiego di wafer da 200 mm rafforzerà la leadership tecnologica di Infineon nell’intero spettro dei semiconduttori di potenza.
Infineon Technologies ha annunciato oggi progressi significativi nella sua roadmap del carburo di silicio (SiC) da 200 mm. L’azienda rilascerà infatti i primi prodotti basati sulla tecnologia avanzata SiC da 200 mm ai propri clienti nel primo trimestre del 2025.
I prodotti, realizzati a Villach, in Austria, forniscono tecnologia di potenza SiC per applicazioni ad alta tensione, tra cui energie rinnovabili e mobilità elettrica.
Anche il sito produttivo di Infineon di Kulim, in Malesia, ha quasi ultimato il passaggio dalla produzione su wafer da 150 millimetri ai wafer più grandi ed efficienti da 200 millimetri di diametro: il Modulo 3 è pronto per iniziare la produzione ad alto volume in linea con la domanda del mercato.
“L’implementazione della nostra produzione di SiC sta procedendo come previsto e siamo orgogliosi dei primi rilasci di prodotto ai clienti”, ha affermato il dott. Rutger Wijburg, Chief Operations Officer di Infineon. “Aumentando gradualmente la produzione di SiC a Villach e Kulim, stiamo migliorando l’efficienza dei costi e continuando a garantire la qualità del prodotto. Allo stesso tempo, ci stiamo assicurando che le nostre capacità produttive possano soddisfare la domanda di semiconduttori di potenza basati su SiC”.
I semiconduttori SiC hanno rivoluzionato le applicazioni ad alta potenza grazie alla maggiore efficienza, dimostrando al contempo elevata affidabilità e robustezza in condizioni estreme e rendendo possibili progetti finali di dimensioni più contenute. I prodotti SiC di Infineon consentono ai clienti di sviluppare soluzioni energeticamente più efficienti per stazioni di ricarica rapida, trazione in ambito automobilistico e ferroviario nonché in impianti rinnovabili e data center AI.
Il rilascio ai clienti dei primi prodotti SiC basati sul substrati da 200 mm segna un sostanziale passo avanti nella roadmap SiC di Infineon, con una forte attenzione alla fornitura ai clienti di un portafoglio completo di semiconduttori di potenza ad alte prestazioni che promuovono l’energia verde e contribuiscono alla riduzione di CO2.
I siti di produzione di Infineon di Villach e Kulim condividono tecnologie e processi per tecnologie wide-bandgap (WBG) altamente innovative grazie alla piattaforma “Infineon One Virtual Fab” che consente un rapido avviamento e operazioni fluide e altamente efficienti nella produzione di dispositivi SiC e GaN.
Le attività di produzione di SiC da 200 millimetri si aggiungono ora alla solida esperienza di Infineon nella fornitura di soluzioni di sistemi di alimentazione e tecnologia dei semiconduttori leader del settore, rafforzando la leadership tecnologica dell’azienda nell’intero spettro di semiconduttori di potenza, in silicio così come in SiC e GaN.
