Con un investimento totale di circa 3,2 miliardi di dollari, la fabbrica avrà a regime una capacità produttiva di 480.000 wafer SiC da 8 pollici per dispositivi destinati principalmente al mercato automotive.
Alla presenza del Presidente e CEO di STMicroelectronics Jean-Marc Chéry e del presidente del gruppo Sanan Lin Xiucheng, è stato ufficialmente inaugurato l’impianto per la produzione di dispositivi SiC da 8 pollici di Chongqing, Cina.
La nuova struttura, che si concentra sulla produzione di dispositivi SiC per applicazioni automobilistiche utilizzando substrati in carburo di silicio da 8 pollici, dovrebbe iniziare la produzione in volumi nel quarto trimestre del 2025. Una volta pienamente operativa, la linea produttiva avrà una capacità di circa 10.000 wafer da 8 pollici di qualità automobilistica alla settimana, diventando la prima linea di produzione su larga scala del suo genere in Cina.
Fondata nell’agosto 2023, la joint venture tra Sanan Optoelectronics (quota del 51%) e STMicroelectronics Investment Co., Ltd. (quota del 49%) investirà circa 3,2 miliardi di dollari nel progetto nei prossimi 5 anni, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi; l’iniziativa sarà in parte finanziata dal governo locale. A supporto di questo progetto, Sanan Optoelectronics ha fondato Chongqing Sanan Semiconductor Co., Ltd. nel luglio 2023, investendo 7 miliardi di RMB (circa 3,16 miliardi di USD) per costruire, all’interno dello stesso parco industriale, una linea di produzione complementare di substrati SiC da 8 pollici che ha iniziato la produzione nel settembre 2024.
La cerimonia, tenutasi presso la struttura nella High-Tech Zone di Chongqing, ha visto la partecipazione di oltre 300 ospiti, tra cui il sindaco di Chongqing Hu Henghua, leader del settore, partner della supply chain e rappresentanti di entrambe le società.
Lin Kechuang, direttore generale di Sanan Optoelectronics e presidente della joint venture Sanan-STMicroelectronics, ha sottolineato il rapido progresso del progetto, sottolineando che sono stati necessari solo 16 mesi per completarlo. Ha attribuito questo successo all’ambiente aziendale di supporto promosso dal governo municipale di Chongqing, agli sforzi collaborativi di entrambi gli azionisti e alla dedizione del team di progetto.
Lin ha sottolineato che la joint venture unisce l’esperienza di Sanan nella produzione di substrati SiC con la tecnologia all’avanguardia di STMicroelectronics creando una solida base per la crescita futura.
Jean-Marc Chéry ha espresso ottimismo sul ruolo del progetto nell’integrazione delle soluzioni SiC di STMicroelectronics nell’ecosistema cinese dei veicoli a nuova energia (NEV). Ha inoltre sottolineato l’importanza della produzione localizzata nel ridurre la dipendenza dalle importazioni e nel potenziare le capacità tecniche. Chery ha osservato che la tecnologia SiC può consentire ai NEV di raggiungere un’autonomia di 600 chilometri e supportare una ricarica rapida di 20 minuti.
La joint venture è pronta a soddisfare la crescente domanda di dispositivi di potenza SiC nel mercato NEV cinese in rapida espansione. Lin Kechuang ha sottolineato che il mercato interno dei dispositivi di potenza SiC per autoveicoli è cresciuto ad un tasso CAGR del 36% dal 2022 al 2024, e raggiungerà i 22,16 miliardi di RMB (circa 9,9 miliardi di dollari) entro il 2028. L’adozione di dispositivi SiC nei NEV è guidata dalla loro capacità di migliorare l’efficienza di ricarica ed estendere l’autonomia di guida.
Lin Zhidong, direttore e vicepresidente di Sanan Optoelectronics, ha spiegato che si prevede che il costo dei dispositivi di potenza SiC scenderà del 40-50% entro i prossimi due anni grazie ai progressi nelle dimensioni dei wafer (da 4 pollici e 6 pollici a 8 pollici), alla maggiore localizzazione di attrezzature e materiali e ai tassi di rendimento migliorati lungo la catena di produzione. Ha anche rivelato che la base di produzione di dispositivi di potenza SiC da 6 pollici di Sanan a Changsha fornisce prodotti ad aziende come Li Auto, mentre lo stabilimento di Chongqing produrrà wafer con il marchio STMicroelectronics per il mercato cinese.
Attualmente, i dispositivi di potenza SiC nazionali rappresentano meno del 10% del mercato automobilistico, ma l’adozione sta accelerando.
Il progetto Sanan-STMicroelectronics è destinato a svolgere un ruolo fondamentale nel soddisfare questa domanda, consolidando ulteriormente la posizione di Sanan Optoelectronics nel settore globale del carburo di silicio.
