Sanan Optoelectronics ha annunciato il completamento in meno di un anno della linea di produzione doi substrati SiC a 8 pollici presso il suo sito in Hunan. Contestualmente prosegue il progetto con STMicroelectronics a Chongqing, volto a realizzare la prima fabbrica cinese di dispositivi SiC su wafer da 8 pollici.
Il 27 agosto San’an ha reso noto che la linea produttiva di substrati SiC da 8 pollici presso la sua sede di Hunan è entrata ufficialmente in funzione. A soli dodici mesi dal via ai lavori, è stato realizzato un impianto con una catena industriale relativamente completa: la capacità di produzione include 16.000 wafer al mese su tecnologia da 6 pollici, 1.000 wafer al mese per i substrati da 8 pollici e 2.000 wafer al mese per le operazioni di epitassia.
Inoltre, è già attiva una linea dedicata alla produzione GaN-on-Silicon con una capacità di 2.000 wafer mensili. Il progetto complessivo ammonta a un investimento di circa 16 miliardi di yuan (equivalenti a oltre 2 miliardi di euro) e, una volta a regime, potrà fornire fino a 360.000 wafer da 6 pollici e 480.000 wafer da 8 pollici ogni anno. Questo sviluppo rafforza la posizione di San’an come player verticale nell’ambito del carburo di silicio.
In parallelo decolla la joint venture con STMicroelectronics
Parallelo a questo progetto, il consorzio Sanan–STMicroelectronics, con sede a Chongqing, ha completato il commissioning della propria fabbrica di wafer SiC da 8 pollici. L’impianto, frutto della joint venture costituita nel giugno 2023, è destinato a diventare la prima linea cinese di produzione su larga scala di dispositivi SiC per applicazioni automotive, con la capacità di produrre circa 10.000 wafer settimanali e conseguire la produzione di massa nel quarto trimestre del 2025. L’investimento complessivo ammonta a circa 23 miliardi di yuan (circa 3,2 miliardi di dollari), e va a supportare un ecosistema integrato che copre substrati, epitassia e chip, nonché l’intera catena del valore localizzata.
Quadro strategico e velocità d’implementazione
Ciò che emerge con chiarezza è la rapidità con cui Sanan ha portato a termine la propria linea da 8 pollici, anticipando le attese del settore. In meno di un anno, il gruppo ha strutturato un polo produttivo verticale, diversificando capacità sia su substrati che su chip, e affiancando capacità GaN on silicon. Nel caso della joint venture con STMicroelectronics, la strategia punta non solo alla produzione in loco per il mercato cinese delle auto elettriche, ma anche alla riduzione della dipendenza da forniture estere, favorendo la sovranità tecnologica.
Impatto sulla filiera automobilistica e dell’energia cinese
Il settore della mobilità elettrica dipende sempre più dai dispositivi in carburo di silicio per convertire energia in modo più efficiente, permettendo tempi di ricarica più rapidi e autonomie maggiori. Con la crescita vertiginosa della domanda in Cina, la produzione locale di SiC su scala 8 pollici può rappresentare una leva chiave di sviluppo industriale. La riduzione dei costi di produzione, grazie alle economie di scala e all’integrazione verticale, rende i moduli basati sulla tecnologia SiC più competitivi.
I commenti
Lin Kechuang, CEO di Sanan Optoelectronics e presidente della joint venture San’an-ST, ha sottolineato che il nuovo impianto “inietterà nuova forza nel mercato cinese del carburo di silicio”, mettendo a frutto “i rispettivi punti di forza per espandere la capacità produttiva e promuovere l’ampia applicazione dei dispositivi SiC”. Jean-Marc Chéry, presidente e CEO di STMicroelectronics, ha affermato che, grazie a questa struttura, ST sarà in grado di soddisfare le esigenze della clientela industriale e automobilistica cinese “nel modo più efficiente”, completando una filiera regionale verticale che rafforza la presenza globale dell’azienda.
Prospettive e nodo tecnologico
La disponibilità di un sistema di fabbriche integrato che utilizza la tecnologia SiC da 8 pollici in Cina rappresenta uno snodo cruciale nel panorama globale dei semiconduttori di potenza. Mentre aziende come ST, ON Semiconductor, Infineon, ROHM e Wolfspeed espandono la capacità produttiva, impressiona la rapidità con cui la Cina sta realizzando i propri impianti nonché la transizione dai 6 agli 8 pollici che consente una maggior resa e una riduzione dei segmenti di costo per chip prodotto. Questa dinamica non solo risponde alle esigenze del mercato domestico, ma rafforza il posizionamento globale della filiera SiC in vista di un futuro di mobilità elettrica e infrastrutture energetiche più efficienti.
