martedì, Marzo 5, 2024
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ROHM e Toshiba uniscono le forze per incrementare la produzione di semiconduttori di potenza

Partnership tra ROHM e Toshiba

Il METI, il Ministero dell’Economia, del Commercio e dell’Industria nipponico, sosterrà il piano delle due aziende per raggiungere l’obiettivo di una fornitura di semiconduttori sicura e stabile con 1/3 dell’investimento complessivo.

ROHM e Toshiba hanno deciso di collaborare nel campo dei semiconduttori di potenza al fine di riuscire ad aumentare i volumi di produzione. Il piano sarà sostenuto dal METI, il Ministero dell’Economia, del Commercio e dell’Industria nipponico, per raggiungere l’obiettivo di una fornitura di semiconduttori sicura e stabile.

ROHM e Toshiba aumenteranno gli investimenti, rispettivamente, nei dispositivi di potenza in carburo (SiC) di silicio e silicio (Si). Le due aziende, inoltre, utilizzeranno in modo complementare la capacità produttiva di terze parti.

L’importanza dei dispositivi di potenza

I dispositivi di potenza sono componenti essenziali per la fornitura e la gestione dell’alimentazione in tutti i tipi di apparecchiature elettroniche e per raggiungere l’obiettivo di una società decarbonizzata. Nelle applicazioni automobilistiche, lo sviluppo di propulsori elettrici più efficienti, più piccoli e più leggeri è avanzato parallelamente alla rapida espansione dell’elettrificazione dei veicoli. Nelle applicazioni industriali è in crescita la richiesta di forniture stabili di dispositivi di potenza con caratteristiche migliorate per supportare la crescente automazione e requisiti di efficienza più elevati.

La visione di ROHM

In questo contesto, ROHM ha una precisa visione gestionale: “Ci concentriamo su soluzioni energetiche e analogiche e risolviamo problemi sociali contribuendo alle esigenze dei nostri clienti in termini di risparmio energetico e miniaturizzazione dei loro prodotti“. I dispositivi di potenza SiC sono la chiave per il risparmio energetico. Sin dalla prima produzione in serie al mondo di MOSFET SiC, ROHM ha sviluppato costantemente tecnologie leader del settore. Tra queste, vi sono gli ultimi MOSFET SiC di quarta generazione che saranno adottati in numerosi veicoli elettrici e apparecchiature industriali. Tra i suoi progetti prioritari, ROHM sta puntando sui dispositivi in carburo di silicio con investimenti aggressivi e continui per aumentare la capacità produttiva di dispositivi SiC e soddisfare la forte crescita della domanda.

Il contributo di Toshiba

Il Gruppo Toshiba, con il suo impegno di lunga data riassunto dal motto “Impegnato con le persone, impegnato con il futuro”, mira a promuovere il raggiungimento di un’economia circolare e di zero emissioni di carbonio. Toshiba Electronic Devices & Storage fornisce da decenni dispositivi di alimentazione in silicio, principalmente per i mercati automobilistico e industriale. Questi prodotti hanno contribuito a garantire soluzioni di risparmio energetico e miniaturizzazione delle apparecchiature. L’azienda ha avviato la produzione su una linea per wafer da 300 mm lo scorso anno e sta accelerando gli investimenti per migliorare la capacità produttiva e soddisfare la forte crescita della domanda. Sta inoltre portando avanti lo sviluppo di una gamma più ampia di dispositivi di potenza SiC, in particolare per applicazioni automobilistiche e di trasmissione e distribuzione di potenza, sfruttando l’esperienza decennale nelle applicazioni per veicoli ferroviari.

I dettagli finanziari

ROHM ha già annunciato la sua partecipazione alla privatizzazione di Toshiba, un investimento propedeutico alla collaborazione produttiva tra le due società. ROHM e Toshiba stavano infatti valutando da tempo una collaborazione nel settore dei dispositivi di potenza, che ora è sfociata nelle nuova partnership.

La nuova collaborazione migliorerà la competitività internazionale delle due aziende e contribuirà a rafforzare la resilienza delle catene di approvvigionamento dei semiconduttori in Giappone.

Gli investimenti previsti

Il totale degli investimenti previsti ammonta a 388,3 miliardi di yen (2,69 miliardi di dollari) con il governo giapponese che contribuirà con 1/3 dell’investimento totale.

ROHM e la controllata LAPIS investiranno 289,2 miliardi di yen, Toshiba e la controllata KAGA Toshiba 99,1 miliardi di yen.

Gli investimenti riguarderanno i siti produttivi LAPIS Miyazaki Plant No.2 (dispositivi di potenza SiC e wafer SiC) e di Kaga Toshiba (dispositivi di potenza Si).



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