venerdì, Aprile 26, 2024
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Il contributo dei nuovi MOSFET di ROHM per una maggiore efficienza energetica e per un funzionamento più sicuro

Dissipazione di potenza ai vertici della categoria, in un package compatto, ideale per dispositivi piccoli e sottili.

ROHM presenta il nuovo MOSFET a canale N da 20 V ad elevata efficienza RA1C030LD, un componente compatto, ottimizzato per la commutazione in dispositivi piccoli e sottili: smartphone, earbuds e altri sistemi auricolari.

La crescente sofisticazione dei dispositivi compatti unita a requisiti di potenza sempre maggiori ha comportato la necessità di batterie sempre più grandi che però riducono lo spazio a disposizione per il montaggio di componenti. Tuttavia, anche le dimensioni della batteria hanno un limite, per cui è necessario agire anche sugli altri componenti impiegati nel sistema.

Per rispondere a questa esigenza, vengono utilizzati sempre più spesso MOSFET in package wafer-level chip-size (WLCSP) che contribuiscono a ottenere una maggiore miniaturizzazione, pur garantendo le necessarie prestazioni. Anche ROHM, grazie all’esperienza pluriennale in questo settore, offre ora prodotti compatti con perdite di potenza molto contenute.

Il dispositivo RA1C030LD viene proposto in package di tipo wafer-level chip-size DSN1006-3 (1,0 mm × 0,6 mm) che fa tesoro delle tecnologie proprietarie di processo di ROHM per ottenere una bassa dissipazione di potenza unita a una ulteriore miniaturizzazione. Relativamente al rapporto tra perdita di conduzione e perdita di commutazione (RDSON × Qgd, ossia carica gate-drain), si è raggiunto un valore ai vertici del settore, vale a dire inferiore del 20% rispetto ai prodotti in package standard con lo stesso package (1,0 mm × 0,6 mm o inferiore), contribuendo così a ottenere un’area della scheda sensibilmente più piccola unitamente a un’efficienza più elevata in un gran numero di dispositivi compatti. Al tempo stesso, la struttura del package di ROHM – unica nel suo genere – impiega protezioni isolanti sulle pareti laterali (diversamente dai prodotti standard con lo stesso package privo di protezione). In tal modo si riduce il rischio di cortocircuiti dovuti al contatto fra componenti adiacenti in dispositivi ad elevata densità, contribuendo così a un funzionamento più sicuro.

Per il futuro, ROHM continuerà a sviluppare prodotti con una resistenza di ON anche più bassa in package di dimensioni più ridotte, per contribuire alla tutela ambientale aumentando l’efficienza energetica dei dispositivi compatti.

Specifiche

Esempi applicativi

  • Dispositivi auricolari (es. earbud wireless)
  • Dispositivi indossabili come smartwatch, smart glass e action-cam
  • Smartphone
  • Idoneo anche alla commutazione per un’ampia gamma di dispositivi sottili e compatti.

Il nuovo MOSFET sarà disponibile presso i rivenditori online (Digi-Key, Mouser, Farnell e altri ancora) a partire dal mese di dicembre 2022.