STMicroelectronics e ROHM hanno annunciato oggi l’ampliamento dell’attuale accordo di fornitura pluriennale e a lungo termine di substrati in carburo di silicio (SiC) da 150 mm, accordo con SiCrystal, società del gruppo ROHM. Il nuovo accordo pluriennale regola la fornitura di maggiori volumi di wafer di substrato SiC prodotti a Norimberga, in Germania, per un valore minimo previsto di 230 milioni di dollari.
“Questo accordo ampliato con SiCrystal porterà ulteriori volumi di wafer di substrato SiC da 150 mm per supportare l’aumento della capacità di produzione dei nostri dispositivi per i clienti automobilistici e industriali in tutto il mondo. Aiuta a rafforzare la resilienza della nostra catena di fornitura per la crescita futura, con un mix equilibrato di fornitura interna e commerciale in tutte le regioni”, ha dichiarato Geoff West, EVP e Chief Procurement Officer di STMicroelectronics.
“SiCrystal è una società del gruppo ROHM, azienda leader nel settore SiC, che produce wafer SiC da molti anni. Siamo molto lieti di estendere questo accordo di fornitura con il nostro cliente di lunga data STMicroelectronics. Continueremo a supportare il nostro partner per espandere il business del SiC aumentando continuamente le quantità di wafer di substrato SiC da 150 mm e fornendo sempre una qualità affidabile”, ha affermato il Dott. Robert Eckstein, Presidente e CEO di SiCrystal, una società del gruppo ROHM.
I semiconduttori di potenza SiC ad alta efficienza energetica consentono l’elettrificazione nei settori automobilistico e industriale in modo più sostenibile. Facilitando una generazione, una distribuzione e uno stoccaggio di energia più efficienti, il SiC supporta la transizione verso soluzioni di mobilità più pulite, processi industriali a basse emissioni e un futuro energetico più verde, nonché alimentatori più affidabili per infrastrutture ad alta intensità di risorse come i data center dedicati alle applicazioni di intelligenza artificiale.
Nel sito siciliano di STMicroelectronics è attualmente in costruzione un impianto per la produzione di wafer epitassiali da 150 mm in carburo di silicio che consentirà di integrare verticalmente l’intero processo produttivo di dispositivi di potenza con questa tecnologia. In una fase successiva, l’impianto verrà convertito alla produzione di wafer da 200 mm.
L’investimento, del valore di 730 milioni di euro, creerà 700 nuovi posti di lavoro e beneficerà dei contributi del PNRR nazionale per 292,5 milioni di euro.
