mercoledì, Aprile 24, 2024
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STMicroelectronics costruirà a Catania una fabbrica per la produzione di wafer epitassiali in carburo di silicio da 150 mm

La fabbrica, che verrà realizzata con un investimento di 730 milioni di euro in cinque anni e che è la prima di questo tipo in Europa, consentirà un’integrazione verticale di tutto il flusso produttivo di dispositivi al carburo di silicio dell’azienda. Il nuovo impianto creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti.

STMicroelectronics ha annunciato oggi che costruirà in Italia un  impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC), necessario per supportare la crescente domanda di dispositivi SiC da parte dei clienti ST impegnati ad incrementare l’efficienza energetica delle loro applicazioni industriali e automotive.

La società prevede di iniziare la produzione già nel 2023, garantendo i substrati SiC necessari a soddisfare le esigenze produttive di ST, integrando queste forniture con quelle dei fornitori esterni.

L’impianto di produzione di substrati in SiC, costruito nel sito ST di Catania accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi con questa tecnooogia, sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali SiC da 150 mm, e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. ST è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.

Questo progetto rappresenta un passaggio chiave per la progressiva attuazione della strategia di integrazione verticale di ST nelle attività SiC. L’investimento di 730 milioni di euro in un arco di cinque anni avrà il supporto finanziario dello Stato italiano nell’ambito del Piano Nazionale di Ripresa e Resilienza e, una volta completato, creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti.

“ST sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori wide bandgap, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi. Stiamo ampliando le nostre attività operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza, e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per dispositivi SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori,” ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nei dispositivi SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e verso una maggiore efficienza”.  

La crescita epitassiale del wafer SiC è il primo passo del processo che si realizza sul substrato per fabbricare i dispositivi di potenza e determina le caratteristiche finali del dispositivo che si intende fabbricare.

La leadership di ST nel campo SiC è il risultato di 25 anni di specializzazione e impegno in attività di R&S, testimoniati da un ampio portafoglio di brevetti in processi chiave. Catania è da tempo per ST un sito importante per l’innovazione in quanto ospita il più grande centro di R&S e produzione SiC, e contribuisce con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per produrre dispositivi SiC in quantità maggiori e qualità migliore. Con un ecosistema consolidato nell’elettronica di potenza, che include una proficua collaborazione a lungo termine tra ST e diversi stakeholder (l’Università, il CNR e aziende coinvolte nella produzione di apparecchiature e prodotti) oltre a una vasta rete di fornitori, questo investimento rafforzerà il ruolo di Catania come centro di competenza globale nella tecnologia del carburo di silicio e per nuove opportunità di crescita.

I prodotti avanzati STPOWER in tecnologia SiC sono attualmente prodotti in volumi elevati negli stabilimenti di Catania e Ang Mo Kio (Singapore). Le attività di collaudo e packaging si svolgono nei siti di back-end di Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco). L’investimento in questo impianto di produzione per substrati SiC si fonda su queste competenze e rappresenta per ST un passo significativo verso l’approvvigionamento interno del 40% di wafer SiC entro il 2024.