Densità aumentata del 50% rispetto alla generazione precedente grazie all’innovativa struttura double-stack migliorata attraverso l’avanzata tecnologia “channel hole etching”.
Dopo aver introdotto la prima DRAM LPDDR5X da 10,7 Gbps al mondo, Samsung Electronics annuncia oggi di aver avviato la produzione di massa della sua NAND verticale (V-NAND) di nona generazione da 1 Terabit (TB) con celle a triplo livello (TLC), consolidando la sua leadership nel settore delle memorie avanzate.
I commenti
“Siamo entusiasti di offrire la prima V-NAND di nona generazione del settore, che consentirà avanzate applicazioni future. Per rispondere alle esigenze in continua evoluzione delle soluzioni flash NAND, Samsung ha ampliato i confini dell’architettura delle celle e dello schema operativo per il nostro prodotto di prossima generazione”, ha affermato SungHoi Hur, Head of Flash Product & Technology of the Memory Business at Samsung Electronics. “Attraverso la nostra ultima V-NAND, Samsung continuerà a definire la tendenza per il mercato delle unità a stato solido (SSD) ad alte prestazioni e ad alta densità che soddisfano le esigenze della prossima generazione di intelligenza artificiale”.
Cresce del 50% la densità
Con le celle di dimensioni più piccole del settore e il package più sottile, Samsung ha migliorato la densità di bit della V-NAND di nona generazione di circa il 50% rispetto alla V-NAND di ottava generazione. Nuove innovazioni come la prevenzione delle interferenze delle celle e l’estensione della vita delle celle sono state introdotte per migliorare la qualità e l’affidabilità del prodotto, mentre l’eliminazione dei dummy channel holes ha ridotto significativamente l’area planare delle celle di memoria.
Inoltre, l’avanzata tecnologia di “channel hole etching” di Samsung dimostra la leadership dell’azienda nelle capacità di processo. Questa tecnologia crea percorsi elettronici impilando gli strati di celle e massimizza la produttività di fabbricazione poiché consente la perforazione simultanea del numero più alto di strati di celle del settore in una struttura a double-stack. Con l’aumento del numero di strati di celle, la capacità di perforare un numero maggiore di elementi diventa essenziale, richiedendo tecniche di incisione più sofisticate.
La V-NAND di nona generazione è dotata dell’interfaccia flash NAND di nuova generazione, “Toggle 5.1“, che supporta velocità di input/output dei dati aumentate del 33% fino a 3,2 gigabit al secondo (Gbps). Insieme a questa nuova interfaccia, Samsung prevede di consolidare la propria posizione nel mercato degli SSD ad alte prestazioni espandendo il supporto per PCIe 5.0.
Anche il consumo energetico è stato migliorato del 10% grazie ai progressi nella progettazione a basso consumo, rispetto alla generazione precedente. Poiché la riduzione del consumo di energia e delle emissioni di carbonio diventa vitale per i clienti, si prevede che la V-NAND di nona generazione di Samsung sgarantirà una soluzione ottimale per le applicazioni future.
Samsung ha avviato questo mese la produzione di massa della V-NAND TLC di nona generazione da 1 TB, seguita dal modello QLC (quad-level cell) nella seconda metà di quest’anno.
