domenica, Luglio 14, 2024
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SiCrystal (Gruppo ROHM) amplia il suo stabilimento di Norimberga, in Germania, per la produzione di wafer SiC

SiCrystal GmbH è uno dei leader di mercato nella produzione di wafer in carburo di silicio (SiC) che costituiscono la base per la produzione di componenti elettronici innovativi in settori quali l’elettromobilità o le tecnologie verdi come il fotovoltaico e l’energia eolica.

Si susseguono gli annunci di nuove iniziative produttive europee nel settore del carburo di silicio. Dopo i recenti annunci di STMicroelectronics e di onsemi riguardanti, rispettivamente, gli impianti di Catania e quello di Rožnov (Repubblica Ceca), anche la tedesca SiCrystal (Gruppo ROHM) annuncia l’ampliamento del proprio sito produttivo di Norimberga con la costruzione di un nuovo edificio dedicato alla produzione di wafer di carburo di silicio.

Il nuovo edificio offrirà 6.000 metri quadrati aggiuntivi di spazio di produzione e sarà dotato di tecnologia all’avanguardia per ottimizzare ulteriormente la produzione di wafer SiC. La stretta vicinanza all’impianto esistente garantirà una stretta integrazione dei processi di produzione. La capacità produttiva totale di SiCrystal, incluso l’edificio esistente, sarà circa tre volte superiore nel 2027 rispetto al 2024.
La cerimonia di inizio lavori si è tenuta ufficialmente ieri 4 luglio 2024.

Il nuovo spazio aumenterà significativamente la capacità produttiva per i substrati SiC e siamo orgogliosi di aver potuto dare il benvenuto al sindaco König alla cerimonia di inaugurazione”, afferma il dott. Robert Eckstein, CEO di SiCrystal. Ciò sottolinea l’importanza di questo progetto per la città e la regione.

“Questa cerimonia di inaugurazione segna un’importante pietra miliare per SiCrystal e sottolinea il nostro impegno nei confronti della regione metropolitana. In questo modo, possiamo continuare a fornire prodotti innovativi della massima qualità per i nostri clienti in futuro e dare un contributo positivo alla sostenibilità globale“, ha affermato il dott. Erwin Schmitt, COO di SiCrystal. “Con le capacità produttive aggiuntive, rafforzeremo la nostra posizione di mercato e daremo un importante contributo allo sviluppo tecnologico nel settore dei semiconduttori”.

Il sindaco di Norimberga Marcus König si congratula per questo evento: “SiCrystal è uno dei principali produttori mondiali di substrati semiconduttori in carburo di silicio, tra le altre cose, questi prodotti sono necessari per la transizione energetica. Sono lieto che SiCrystal si stia impegnando con Norimberga come sede con questo massiccio investimento e quindi non solo mantenga posti di lavoro, ma ne crei anche di nuovi. Norimberga è una sede attraente.”

I lavori di costruzione dovrebbero essere completati entro l’inizio del 2026 con la creazione di 100 nuovi posti di lavoro entro l’anno fiscale 2027/28. Il nuovo edificio è stato realizzato in collaborazione con l’appaltatore generale Systeambau di Hilpoltstein.

I wafer SiC di SiCrystal, una sussidiaria del gruppo giapponese ROHM, sono di fondamentale importanza per la produzione di componenti semiconduttori ad alte prestazioni. Grazie alla tecnologia SiC è possibile ottenere maggiore efficienza, minori consumi energetici e prestazioni migliorate in varie applicazioni come veicoli elettrici, energia solare e apparecchiature industriali.