L’annuncio segna una pietra miliare non solo per Rapidus ma per l’intera strategia del Giappone volta a riconquistare un ruolo di primo piano nell’industria globale dei semiconduttori.
Rapidus Corporation, fondata nel 2022 da otto aziende giapponesi con l’obiettivo ambizioso di riportare il paese nella corsa ai chip più avanzati, ha annunciato oggi di aver avviato la prototipazione dei suoi primi transistor a 2 nm con architettura gate-all-around (GAA) presso la propria fabbrica IIM 1 a Chitose (Hokkaido). Questo successo posiziona l’azienda in prima linea nella corsa globale alla produzione di chip all’avanguardia, essenziali per il futuro dell’intelligenza artificiale e del calcolo ad alte prestazioni.
L’annuncio segna una pietra miliare non solo per Rapidus ma per l’intera strategia del Giappone volta a riconquistare un ruolo di primo piano nell’industria globale dei semiconduttori. I transistor GAA rappresentano la tecnologia di prossima generazione che supererà i limiti dei tradizionali transistor FinFET, consentendo una maggiore densità, prestazioni migliorate e un consumo energetico ridotto, fattori cruciali per i chip del futuro.
L’importanza della tecnologia a 2nm
La tecnologia a 2nm è considerata il confine estremo della miniaturizzazione dei semiconduttori e sarà fondamentale per alimentare le applicazioni più esigenti dei prossimi anni. Dai data center di intelligenza artificiale di nuova generazione ai dispositivi mobili ultra-efficienti, la capacità di produrre chip con queste caratteristiche è la chiave per mantenere un vantaggio competitivo nel panorama tecnologico globale. La decisione di Rapidus di puntare direttamente ai 2nm, saltando generazioni intermedie, riflette l’urgenza e l’ambizione del Giappone di rientrare nel club esclusivo dei produttori di chip più avanzati.
A dicembre 2024 l’azienda aveva ricevuto e installato presso la struttura IIM 1 un sistema EUV ASML NXE:3800E, il primo mai giunto in Giappone, abilitando la linea a fabbricare transistor da 2 nm.
Secondo Rapidus, i primi prototipi a 2 nm hanno evidenziato caratteristiche elettriche conformi alle previsioni, segnale che l’azienda sta rispettando le scadenze del piano triennale. Il prossimo passo è il rilascio, nel primo trimestre 2026, di un PDK ( ) per i primi clienti, in preparazione della produzione di massa prevista per il 2027.
Il programma include la costruzione anche del Rapidus Chiplet Solutions presso lo stabilimento Seiko Epson di Chitose, che supporterà packaging 3D, RDL e test avanzati dei die.
Prossimi passi e visione futura
Con la prototipazione dei transistor GAA a 2nm completata, Rapidus si prepara ora a intensificare gli sforzi. L’azienda mira a stabilire la tecnologia di processo per la produzione di massa entro il 2025 e ad avviare la produzione di volume di chip a 2 nm già nel 2027. Questo ambizioso calendario è supportato da una solida partnership internazionale, in particolare con IBM e imec, che ha fornito un contributo fondamentale nello sviluppo della tecnologia GAA.
“Il raggiungimento di questa pietra miliare è un’ulteriore prova dell’eccezionale talento e della dedizione del nostro team, che sta lavorando instancabilmente per superare le sfide tecnologiche più complesse”, ha dichiarato un rappresentante di Rapidus. “Siamo fiduciosi di poter rispettare i nostri ambiziosi obiettivi e contribuire in modo significativo alla riaffermazione del Giappone come potenza nell’innovazione dei semiconduttori.”
Il progresso di Rapidus non è solo una vittoria tecnologica, ma anche un simbolo della determinazione del Giappone a costruire una filiera nazionale robusta e resiliente, riducendo la dipendenza da pochi fornitori globali e garantendo la sicurezza economica e tecnologica per il futuro.
