mercoledì, Novembre 12, 2025
HomeAZIENDEAttualitàLa Cina avvia una linea pilota per substrati SiC da 12 pollici...

La Cina avvia una linea pilota per substrati SiC da 12 pollici con apparecchiature interamente nazionali

Rispetto ai prodotti da 6 e 8 pollici oggi dominanti, i substrati in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici possono produrre circa 2,5 volte più chip per wafer e ridurre i costi unitari con la produzione di massa. La recente attivazione di una linea pilota “full domestic” da parte di Jingsheng rappresenta un passaggio strategico nella spinta cinese verso l’autosufficienza nelle tecnologie di potenza.

Rispetto a questa notizia, non è ancora chiaro quale sia l’aspetto più rilevante: la capacità di produrre wafer di SiC da 12 pollici, un traguardo di altissima complessità tecnica a causa della fragilità e delle difficoltà di lavorazione del carburo di silicio, oppure il fatto che l’intera linea pilota utilizzi esclusivamente attrezzature made in Cina. Quest’ultimo elemento, se confermato, costituirebbe un segnale importante per l’autonomia tecnologica di Pechino nel settore dei semiconduttori di potenza.

Tuttavia, non va dimenticato che quando si parla di tecnologia e industria in Cina la narrazione è spesso intrecciata a toni propagandistici. Sarà dunque fondamentale verificare nel tempo la consistenza tecnica e produttiva di questa iniziativa, oltre alle sue effettive ricadute industriali.



Un traguardo strategico per i semiconduttori di potenza

Il 26 settembre 2025 Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical – attraverso la sua controllata SuperSiC – ha ufficialmente messo in funzione la sua prima linea pilota per substrati in carburo di silicio da 12 pollici (300 mm). Secondo TrendForce, si tratta della prima linea pilota per SiC a 12 pollici realizzata con una completa localizzazione delle attrezzature, ovvero senza dipendere da fornitori stranieri per tutte le fasi del processo, a partire dalla crescita cristallina.

Questo passaggio segna una tappa strategica per l’industria cinese: fino a oggi, infatti, la produzione di substrati SiC di grande diametro è stata quasi interamente dominata da aziende statunitensi, giapponesi ed europee. Jingsheng, che già da anni opera nel campo dei materiali per semiconduttori, consolida così la propria posizione come uno degli attori centrali nel progetto di autonomia tecnologica promosso da Pechino.

Un mercato oggi dominato dall’Occidente

Per comprendere la portata strategica dell’iniziativa cinese, è utile osservare chi detiene oggi le quote di mercato nel settore dei substrati SiC. Nel 2024, Wolfspeed ha mantenuto la leadership globale con una quota stimata pari al 33,7 % del mercato dei substrati SiC, nonostante le difficoltà operative dell’azienda.

I produttori cinesi Tankeblue e SICC stanno tuttavia guadagnando terreno, con quote intorno al 17,3 % e 17,1 %, rispettivamente al secondo e terzo posto a livello mondiale. Nel segmento dei dispositivi basati su SiC, il dominio è invece europeo: STMicroelectronics controlla circa il 32,6 % del mercato, seguita da onsemi e Infineon.

Questa forte concentrazione di know-how e capacità produttiva in mano a pochi player occidentali spiega perché la decisione della Cina di sviluppare una filiera interna, con wafer da 12 pollici e macchinari nazionali, abbia un chiaro significato strategico oltre che industriale.



Integrazione verticale: la strategia dei leader occidentali

Mentre la Cina punta a costruire la propria filiera, i leader occidentali stanno rafforzando la loro posizione attraverso l’integrazione verticale.

Aziende come STMicroelectronics, Infineon e Bosch stanno realizzando linee produttive integrate che coprono l’intero ciclo: dal substrato grezzo alla fabbricazione dei chip, fino al packaging e ai test finali.

ST, per esempio, ha investito miliardi di dollari per rafforzare la capacità produttiva SiC a Catania e a Singapore, con l’obiettivo di controllare internamente l’intera catena del valore. Infineon ha annunciato investimenti simili per espandere la produzione integrata in Austria e a Singapore, mentre Bosch sta rapidamente scalando la produzione interna di dispositivi SiC destinati all’automotive, puntando a diventare autosufficiente entro la fine del decennio.

Questo approccio permette a questi colossi di mantenere il controllo su rese, costi e qualità, garantendo allo stesso tempo maggiore resilienza della supply chain e tempi di sviluppo più rapidi per nuove generazioni di dispositivi.

Vendite in calo ma mercato strategico

Nonostante la corsa agli investimenti, il mercato dei substrati SiC ha registrato nel 2024 un calo del 9 % nelle vendite. Le analisi indicano che quattro aziende controllano circa l’82 % dell’intero mercato dei substrati. Questa concentrazione, unita al rallentamento della domanda, sta accentuando la pressione competitiva.

Per i nuovi attori — compresi i produttori cinesi — ciò significa confrontarsi con un contesto difficile, dove i margini sono sotto pressione e l’efficienza produttiva diventa un fattore critico per la sopravvivenza. Allo stesso tempo, le prospettive di medio termine restano favorevoli grazie alla crescita della domanda nei settori automotive, infrastrutture energetiche e data center.



Il salto da 8″ a 12″: capacità produttiva 2,5 volte maggiore

Uno degli elementi più significativi dell’iniziativa Jingsheng è il passaggio da wafer da 8 pollici, attuale standard  industriale (sebbene il mercato dei 6 pollici sia ancora dominante) a wafer da 12 pollici. Secondo i dati diffusi, questa maggiore dimensione permette una resa produttiva superiore di circa 2,5 volte per wafer, riducendo i costi unitari.

Il vantaggio non è solo quantitativo: un wafer più grande implica una gestione più efficiente dei materiali e una minore perdita nelle fasi di taglio e finitura. Se la produzione di massa riuscisse a consolidarsi, il costo per wafer potrebbe diminuire del 40 % e il prezzo dei substrati per automotive potrebbe passare da circa 150 a 90 dollari per unità.

Per applicazioni orientate alla potenza – come veicoli elettrici, invertitori o sistemi energetici – questo salto dimensionale rappresenta un importante passo in avanti nella competitività.

Localizzazione completa: una risposta alle restrizioni occidentali

L’aspetto forse più audace dell’annuncio di Jingsheng è la dichiarata localizzazione al 100 % delle attrezzature: ogni singolo strumento utilizzato, dalle apparecchiature per la crescita cristallina a quelle per il taglio e l’epitassia, è prodotto all’interno della Cina.

Questa strategia risponde direttamente alle restrizioni tecnologiche imposte da Stati Uniti, Unione Europea e Giappone sull’export di macchine critiche per i semiconduttori. Un assetto industriale autonomo minimizza la vulnerabilità strategica e rafforza la capacità di Pechino di pianificare la propria roadmap tecnologica senza dipendere da interlocutori esterni.

Un ecosistema in fermento

Jingsheng è soltanto uno dei protagonisti della corsa cinese verso il dominio del comparto SiC. Aziende come SICC e Tianyue Advanced stanno già lavorando su substrati da 12 pollici e collaborando con partner internazionali per rafforzare le proprie capacità tecniche.



Implicazioni strategiche e geopolitiche

La realizzazione di una linea pilota SiC a 12 pollici con attrezzature interamente nazionali ha ripercussioni politiche e tecnologiche di vasta portata. Rappresenta la volontà della Cina di conquistare sovranità tecnologica su materiali chiave nel dominio della potenza, rompendo l’attuale concentrazione industriale occidentale.

In un contesto globale sempre più polarizzato, il controllo della catena di produzione — dai substrati ai chip — potrà tradursi in vantaggi competitivi nel mercato interno e nell’export. Per la Cina, riuscire a spingere prodotti SiC competitivi e accettati a livello internazionale significa entrare nel “club” delle tecnologie di ultima generazione, riducendo il rischio di blocchi tecnologici esterni.

Le sfide ancora aperte

Ciononostante, il percorso è tutt’altro che lineare. La fase pilota non è una garanzia di successo commerciale: le rese su wafer da 12 pollici sono ancora critiche e richiedono controlli strettissimi sui difetti.

Per poter competere globalmente, la produzione cinese dovrà soddisfare standard elevati di uniformità e qualità, nonché interoperare con specifiche tecniche riconosciute internazionalmente. Le oscillazioni della domanda, il calo delle vendite dei substrati e la pressione sui margini aggiungono ulteriori incognite al quadro competitivo.