giovedì, Aprile 30, 2026
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STMicroelectronics: a Catania la produzione di substrati SiC avanza secondo i piani

STMicroelectronics SiC Catania

Nonostante la forte turbolenza del mercato del carburo di silicio, STMicroelectronics conferma che la costruzione dell’impianto di Catania procede come previsto, un segnale di stabilità che contrasta con le difficoltà di altri siti produttivi dell’azienda.

In un recente post su Linkedin, STMicroelectronics Italia ha confermato che la costruzione del nuovo impianto per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) di Catania procede secondo le tempistiche previste.

La produzione è stata avviata nel dicembre 2023 e l’investimento raggiungerà la piena operatività a giugno 2026, secondo la seguente timeline:

  • Dicembre 2023: avvio della produzione di substrati SiC da 150 mm;
  • Fine 2024: avvio delle qualifiche sui wafer da 200 mm;
  • Q4 2025: inizio della produzione di dispositivi SiC su 200 mm;
  • Giugno 2026: piena operatività del campus integrato (substrati + dispositivi + moduli + test).

Un segnale rassicurante

Il comunicato rappresenta un segnale rassicurante: nonostante il forte clima di incertezza che caratterizza attualmente il mercato dei dispositivi in carburo di silicio, il piano di investimenti per l’hub produttivo di Catania procede senza ritardi.

Negli ultimi 18 mesi il comparto SiC ha subito un brusco rallentamento, dovuto soprattutto al calo delle vendite nel segmento automotive e più in generale nella categoria analogico/embedded/power in cui opera STMicroelectronics.

A questa contrazione della domanda si aggiungono le recenti notizie relative a Wolfspeed, principale produttore globale di substrati SiC e fornitore della stessa ST, che ha presentato istanza di protezione dal fallimento negli Stati Uniti, con un’esposizione debitoria di oltre 6,5 miliardi di dollari.

Pochi giorni fa, inoltre, si è registrato il fallimento della fonderia giapponese JS Foundry, mentre l’investimento europeo congiunto tra Wolfspeed e ZF per la costruzione di un impianto SiC è stato cancellato da tempo.



La forte concorrenza cinese

Su tutto, pesa la pressione crescente della concorrenza cinese. Aziende come SICC, TanKeBlue, Tystar e Sanan hanno accelerato negli ultimi due anni la produzione di substrati SiC da 150 e 200 mm, spingendo i prezzi verso il basso e generando un eccesso di offerta.

Secondo l’ultima ricerca di TrendForce, il calo della domanda nei settori automotive e industriale ha rallentato le spedizioni globali di substrati SiC nel 2024. Allo stesso tempo, l’intensificarsi della competizione e i forti ribassi dei prezzi hanno ridotto il fatturato globale dei substrati SiC di tipo N del 9% su base annua, portandolo a 1,04 miliardi di dollari.

Particolarmente significativa l’ascesa dei fornitori cinesi: TanKeBlue e SICC hanno conquistato rispettivamente il 17,3% e il 17,1% della quota di mercato globale.

Va anche segnalata l’entrata in funzione, lo scorso mese a Wuhan, del nuovo impianto della YOFC Advanced Semiconductor, la più grande fabbrica cinese dedicata alla produzione di wafer SiC, con una capacità produttiva annua – a regime – di 360.000 wafer da sei pollici.

La crisi del  sito di Agrate Brianza

In un contesto così complesso e competitivo, la conferma da parte di STMicroelectronics che il progetto di Catania sta rispettando la roadmap originaria rappresenta un importante segnale di stabilità e determinazione.
Un messaggio rassicurante per lavoratori, fornitori e investitori, soprattutto in un momento in cui l’azienda sta affrontando altre sfide operative, come la difficile transizione dai 200 ai 300 mm nel sito di Agrate Brianza.

Infatti, mentre a Catania si parla di nuove assunzioni e di pieno regime produttivo entro il 2026, ad Agrate il calo generalizzato della domanda e i ritardi nell’adeguamento della capacità produttiva stanno portando a una riduzione del personale stimata tra le 800 e le 1.200 unità.