Worksport utilizzerà i semiconduttori di potenza GaN GS-065-060-5-BA di Infineon nei suoi convertitori portatili per aumentare l’efficienza e la densità di potenza.
Infineon Technologies ha annunciato una collaborazione con Worksport Ltd. Grazie ai transistor GaN di Infineon, i convertitori di potenza di Worksport saranno più leggeri e di dimensioni più piccole con costi di sistema ridotti. Inoltre, Infineon supporterà Worksport nell’ottimizzazione dei circuiti e nella progettazione del layout per ridurre ulteriormente le dimensioni e aumentare la densità di potenza.
I commenti
“Lo standard di alta qualità e la solida catena di fornitura di Infineon ci forniscono i migliori componenti per garantire convertitori ad alta densità di potenza per la nostra linea di prodotti del sistema COR e contribuiscono a prestazioni del prodotto finale di prima classe“, ha affermato Steven Rossi, CEO di Worksport. Il sistema di batterie COR dell’azienda può essere integrato in un camioncino o ricaricato da qualsiasi pannello solare o presa a muro. Sostituendo il precedente interruttore in silicio nel convertitore di potenza con semiconduttori di potenza GaN di Infineon e facendo funzionare i transistor a una frequenza di commutazione più elevata, Worksport sarà in grado di ridurre il peso del sistema batteria del 33% e i costi del sistema fino al 25%.
Le soluzioni GaN per il risparmio energetico
Il rapporto di lavoro con Infineon aiuterà inoltre Worksport a ridurre la CO2 nel processo di produzione. GaN si sta dimostrando una tecnologia rivoluzionaria in molti mercati e applicazioni. Ad esempio, nei data center, le soluzioni GaN hanno un potenziale di risparmio energetico globale di 21 TWh all’anno, 10 milioni di tonnellate di anidride carbonica (CO2) equivalente. “Per promuovere ulteriormente l’elettrificazione e la decarbonizzazione, i progetti energetici del settore richiedono innovazione”, ha affermato Johannes Schoiswohl, Business Line Head GaN Systems della divisione Power & Sensor Systems di Infineon. “Con i nostri semiconduttori di potenza GaN consentiamo a Worksport di creare le centrali elettriche portatili di prossima generazione richieste dagli utenti”.
Il transistor GaN GS-065-060-5-BA
GS-065-060-5-BA di Infineon è un transistor di potenza GaN su silicio in modalità potenziata da 650 V di grado automobilistico. Offre una resistenza termica molto bassa tra giunzione e contenitore per applicazioni impegnative ad alta potenza come caricabatterie di bordo, azionamenti di motori industriali e inverter solari. Inoltre, presenta semplici requisiti di azionamento del gate (da 0 V a 6 V) e un azionamento del gate tollerante ai transitori (-20/+10 V).
Ulteriori informazioni sulle soluzioni GaN di Infineon sono disponibili al seguente link.
