Innoscience utilizzerà la capacità produttiva di ST in Europa, mentre ST sfrutterà la capacità produttiva di Innoscience in Cina.
Si fa sempre più stretta la collaborazione tra STMicroelectronics e la cinese Innoscience, leader nella produzione di dispositivi a basso costo e alte prestazioni basati su tecnologia GaN-on-Si (nitruro di gallio su silicio) da 8″.
Dopo l’investimento di 50 milioni di dollari nella società cinese, ST e Innoscience hanno annunciano la firma di un accordo sullo sviluppo e la produzione della tecnologia GaN, sfruttando i punti di forza di ciascuna azienda per migliorare le soluzioni di alimentazione GaN e la resilienza della supply chain al fine di far progredire il futuro della potenza GaN per l’elettronica di consumo, i data center, i sistemi di potenza per l’industria automobilistica e industriale e molte altre applicazioni ancora.
L’accordo consentirà a Innoscience di utilizzare la capacità di produzione front-end di ST al di fuori della Cina per i suoi wafer GaN, mentre ST potrà sfruttare la capacità di produzione front-end di Innoscience in Cina.
Il comunicato stampa congiunto sostiene che è “ambizione comune che ciascuna azienda espanda la propria offerta individuale in GaN con flessibilità e resilienza della supply chain per soddisfare tutti i requisiti dei clienti in un’ampia gamma di applicazioni”.
Marco Cassis, President, Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors di STMicroelectronics ha dichiarato: “ST e Innoscience sono entrambi produttori integrati di dispositivi, e con questo accordo faremo leva su questo modello a beneficio dei nostri clienti nel mondo. Innanzitutto, ST farà accelerare la propria roadmap per la tecnologia di potenza in GaN a complemento della propria offerta in Silicio e in Carburo di Silicio. Inoltre, ST sarà in grado di capitalizzare un modello di manifattura flessibile per essere al servizio dei clienti nel mondo”.
Weiwei Luo, Presidente e Co-fondatore di Innoscience, ha affermato: “La tecnologia GaN è fondamentale per migliorare l’elettronica, creando sistemi più piccoli e più efficienti che risparmiano elettricità, abbassano i costi e riducono le emissioni di CO2. Innoscience è stato un pioniere della produzione in volumi di tecnologia GaN a 8 pollici ed ha spedito più di un miliardo di dispositivi GaN in diversi mercati. Siamo entusiasti di aderire ad una collaborazione strategica con ST. La collaborazione congiunta fra ST e Innoscience si espanderà ulteriormente e accelererà l’adozione di tecnologia GaN. Insieme, i team di Innoscience e ST svilupperanno le prossime generazioni di tecnologia GaN”.
I dispositivi di potenza in GaN sfruttano le proprietà fondamentali del materiale che rendono possibili nuovi standard di performance del sistema nella conversione di potenza, controllo motore e attuazione, offrendo perdite significativamente minori, che permettono efficienza potenziata, dimensioni minori, e peso inferiore, riducendo così il costo e l’impronta di carbonio complessivi della soluzione; questi dispositivi vengono rapidamente adottati nell’elettronica di consumo, negli alimentatori dei data center e industriali, e negli inverter solari, e vengono attivamente progettati nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici di prossima generazione, grazie ai vantaggi che offrono in termini di riduzione delle dimensioni e del peso.
