Il crollo del leader mondiale dei substrati in carburo di silicio apre nuovi scenari per il business SiC di STMicroelectronics, tra concorrenza cinese, pressioni sui prezzi e incertezze per il futuro degli impianti di Catania.
La possibile acquisizione di Wolfspeed da parte del fondo Apollo e la recente decisione di Renesas di non entrare nel mercato dei dispositivi SiC testimoniano l’estrema pressione competitiva generata dalla crescente penetrazione cinese, che sta rapidamente saturando il mercato globale con substrati a basso costo.
Un mercato sotto attacco: l’avanzata cinese
La Cina, attraverso player emergenti come SICC, Tankeblue, Tystar e Sanan, ha accelerato negli ultimi due anni la produzione di substrati SiC da 150 e 200 mm, spingendo i prezzi verso il basso e generando un eccesso di offerta, proprio mentre i grandi player occidentali stavano investendo miliardi in capacità produttiva.
Secondo l’ultima ricerca di TrendForce, l’indebolimento della domanda nei settori automobilistico e industriale ha rallentato la crescita delle spedizioni di substrati SiC nel 2024. Allo stesso tempo, l’intensificarsi della concorrenza e i forti cali dei prezzi hanno fatto scendere il fatturato globale dei substrati SiC di tipo N del 9% su base annua, attestandosi a 1,04 miliardi di USD.
In particolare, i fornitori cinesi TanKeBlue e SICC hanno rapidamente acquisito importanza, conquistando rispettivamente il 17,3% e il 17,1% della quota di mercato globale.
Da segnalare anche l’entrata in funzione il mese scorso a Whuan del nuovo impianto di YOFC Advanced Semiconductor, la più grande fabbrica cinese per la produzione di wafer SiC con una capacità produttiva annua, a regime, di 360.000 wafer SiC da sei pollici.
Wolfspeed — finora leader globale e fornitore chiave per molti produttori di dispositivi di potenza — ha accumulato debiti per 6,5 miliardi di dollari e si è trovata a corto di liquidità per sostenere i progetti in corso, tra cui il megafab di Mohawk Valley. A quasi un mese dalla diffusione di voci su un imminente fallimento, per Wolfspeed si profila un profondo riassetto. I creditori, guidati da Apollo Global Management, si stanno preparando ad assumerne il controllo nell’ambito di un piano fallimentare; il gigante del carburo di silicio dovrebbe presentare nei prossimi giorni un accordo di ristrutturazione, progettato per ridurre rapidamente i miliardi di debiti. Dopo la firma dell’accordo, i creditori saranno chiamati a votare sul piano prima della presentazione formale dell’istanza di protezione ai sensi del Chapter 11.
Tra le conseguenze più rilevanti della crisi di Wolfspeed c’è la rinuncia di Renesas a entrare nel mercato. L’azienda giapponese aveva inizialmente pianificato di avviare la produzione di chip di potenza SiC all’inizio del 2025 presso il suo stabilimento di Takasaki, nella prefettura di Gunma; recentemente, tuttavia, ha sciolto il team SiC attivo nello stabilimento.
Renesas potrebbe anche subire ripercussioni finanziarie a causa del suo accordo decennale di fornitura con Wolfspeed, firmato nel 2023 con un pagamento anticipato di 2 miliardi di dollari. Qualora Wolfspeed dovesse dichiarare bancarotta, Renesas potrebbe essere costretta a registrare perdite da svalutazione nel bilancio 2025.
Nonostante ciò, l’azienda non sembra intenzionata a uscire completamente dal mercato, e continuerà probabilmente a sviluppare prodotti SiC, esternalizzandone la produzione.
Le conseguenze sul business di STMicroelectronics
La scelta di Renesas di rinunciare al business dei prodotti SiC potrebbe rappresentare un vantaggio per STMicroelectronics, che negli ultimi anni ha affrontato la concorrenza di un numero crescente di aziende entrate nel mercato o che ne hanno rafforzato la presenza.
Tuttavia, la crisi di Wolfspeed — e le sue cause — rappresenta un campanello d’allarme per la strategia SiC dell’azienda italo-francese, già alle prese con una significativa contrazione delle vendite su più fronti.
Nel 2024, ST ha registrato un calo del fatturato del 23,2% e una riduzione degli utili del 63%. Ancora peggiori i risultati del primo trimestre 2025, con vendite in calo del 27,3% e utili quasi azzerati.
Per far fronte alla situazione, l’azienda ha annunciato un piano di contenimento dei costi da circa 700-800 milioni di dollari per il triennio 2025-2027, che prevede esuberi fino a 5.000 addetti a livello globale.
Nonostante ciò, STMicroelectronics ha confermato un livello di investimenti annuo compreso tra 2 e 2,3 miliardi di dollari per i prossimi due anni, in Italia e Francia.
Il nodo Catania
Per quanto riguarda il carburo di silicio, l’azienda ha intrapreso un percorso di integrazione verticale, puntando non solo sulla produzione di dispositivi, ma anche sulla fabbricazione interna di substrati. Catania continuerà a rappresentare un centro di eccellenza per i dispositivi di potenza WBG (SiC e GaN).
Lo sviluppo del nuovo campus tecnologico prevede l’avvio della produzione su wafer da 200 mm nel quarto trimestre del 2025. Le attuali capacità su wafer da 150 mm e l’EWS saranno rifocalizzate sulla produzione di semiconduttori di potenza in silicio e su substrati da 200 mm, compresi i dispositivi GaN-su-silicio.
ST sta inoltre investendo 730 milioni di euro (di cui il 40% finanziato dallo Stato italiano) per costruire una nuova fabbrica di substrati in carburo di silicio da 150 mm (con futura espansione a 200 mm). L’obiettivo è soddisfare internamente il 40% del fabbisogno di substrati, oggi ancora fortemente dipendente da fornitori esterni come SiCrystal e Wolfspeed.
Tuttavia, la crisi di Wolfspeed evidenzia le grandi sfide industriali e commerciali legate alla produzione di substrati SiC.
Il contesto di mercato è cambiato radicalmente rispetto al momento in cui ST ha annunciato l’iniziativa catanese. L’aggressiva spinta della Cina verso chip maturi e substrati di nicchia sta abbattendo i prezzi: i wafer da 6 pollici di Wolfspeed, un tempo venduti a 1.500 dollari l’uno, oggi vengono offerti dai concorrenti cinesi a 500 dollari o meno.
In questo scenario, resta da capire se il nuovo impianto di Catania riuscirà a reggere l’impatto della concorrenza cinese, soprattutto nell’ottica di espandersi alla produzione da 200 mm.
Anche i dispositivi sotto pressione
Non solo substrati: anche la produzione di dispositivi SiC su wafer da 6 e 8 pollici è destinata a subire l’effetto della pressione competitiva cinese.
A fine 2023, il CEO Jean-Marc Chéry aveva indicato un obiettivo di vendite SiC pari a 2 miliardi di dollari nel 2025 e 5 miliardi o più tra il 2028 e il 2030: cifre che oggi appaiono decisamente ambiziose, alla luce delle nuove dinamiche di mercato.
In parallelo, anche la strategia China-for-China di ST potrebbe avere ripercussioni significative sugli investimenti europei, in particolare a Catania.
L’azienda considera la produzione in Cina per il mercato cinese una scelta in grado di ridurre i costi, rafforzare la supply chain e mitigare i rischi geopolitici. Tuttavia, i chip destinati alla Cina non saranno più prodotti negli stabilimenti europei, con impatti diretti sull’attività in Italia e Francia.
Un caso emblematico è la joint venture firmata nel luglio 2024 con Sanan Optoelectronics per la produzione di dispositivi SiC su wafer da 200 mm. Il nuovo impianto dovrebbe entrare in produzione nel quarto trimestre del 2025, con completamento previsto nel 2028. Parallelamente, Sanan costruirà e gestirà un impianto separato per la produzione dei substrati SiC destinati alla joint venture.
Rischio calcolato, ma la sfida resta aperta
STMicroelectronics è oggi tra i pochi produttori europei in grado di competere nel mercato SiC con una strategia end-to-end.
La crisi di Wolfspeed e la ritirata di Renesas offrono uno spazio d’azione, ma l’incognita cinese e la pressione sui costi richiederanno efficienza operativa, alleanze strategiche e grande cautela negli investimenti.
L’Europa, dal canto suo, dovrà decidere se difendere questa filiera strategica con strumenti industriali adeguati o lasciare che anche il SiC diventi l’ennesimo segmento dominato dai competitor asiatici.
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