lunedì, Giugno 24, 2024
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Le dichiarazioni di Jean-Marc Chéry rafforzano le speranze per un nuovo impianto italiano dedicato al carburo di silicio

Nuovo impianto SiC in Italia

Dopo le indiscrezioni del quotidiano economico francese l’Usine Nouvelle, le parole del CEO di STMicroelectronics sembrano confermare le indiscrezioni riguardanti un nuovo stabilimento italiano nell’area di Catania con un investimento di 5 miliardi di euro.

Alcune settimane fa avevamo riportato le indiscrezioni diffuse dal quotidiano economico francese l’Usine Nouvelle secondo il quale STMicroelectronics avrebbe intenzione di realizzare un nuovo impianto per la fabbricazione di dispositivi in carburo di silicio nell’area di Catania con un investimento di 5 miliardi di euro. Secondo le fonti del giornale, il nuovo progetto sarebbe attualmente al centro delle trattative tra le autorità italiane e la Commissione Europea.

Nelle settimane successive non vi è stata alcuna conferma o smentita dell’indiscrezione, né da parte di STMicroelectronics né da parte delle autorità italiane e comunitarie. Tanto che nessuno ne ha più parlato.

La necessità di un nuovo impianto per il carburo di silicio

Una conferma, seppure indiretta, è tuttavia arrivata pochi giorni fa proprio da Jean-Marc Chéry, CEO di STMicroelectronics. Durante la presentazione agli analisti dei risultati finanziari del terzo trimestre della società, Chéry ha infatti dichiarato che, nell’ambito dei programmi di espansione della produzione di dispositivi in carburo di silicio – a sostegno dell’ambizione dell’azienda di raggiungere nel settore SiC vendite per 2 miliardi di dollari entro il 2025 e di oltre 5 miliardi entro il 2028/2030 – STMicroelectronics avrà bisogno di realizzare, oltre alle iniziative già programmate, un nuovo impianto produttivo.

Le parole di Jean-Marc Chéry durante la Conference Call di ST

Queste le testuali parole di Jean-Marc Chèry: “Con l’impronta produttiva che abbiamo oggi, possiamo tranquillamente supportare i 2 miliardi di vendite SiC nel 2025. Attualmente siamo impegnati ad incrementare la produzione interna di substrati (in particolare nell’area di Catania) per poter essere autosufficienti per almeno il 40% del nostro fabbisogno. Tuttavia, se intendiamo raggiungere i 5 miliardi o più di vendite tra il 2028 e il 2030 è chiaro che avremo bisogno di due fabbriche aggiuntive; una in Cina per il mercato locale (già prevista dalla JV con Sanan) e un’altra che andremo a realizzare con la tempestività del caso non appena se ne presenterà la necessità. Di sicuro per superare i 5 miliardi di dollari tra il 2028 e il 2030, avremo bisogno di Sanan e di un’altra fabbrica”.

Il CEO di ST non ha detto né quando né dove sorgerà il secondo impianto ma ha ribadito con forza che l’azienda avrà bisogno di una nuova fabbrica nel prossimo futuro. E tutti noi sappiamo che per realizzare un impianto che sia in grado di entrare in produzione tra 3-5 anni è necessario agire da subito.

Perchè l’area di Catania

Per quanto riguarda l’ubicazione, dopo che la casella cinese è già stata riempita dalla joint venture con Sanan, l’ipotesi più probabile è proprio l’area di Catania, dove opera già un impianto di front-end e dove è in costruzione uno stabilimento per la fabbricazione di substrati SiC. Nell’area esiste anche un ecosistema completo, così come la disponibilità dei talenti necessari grazie alla decennale collaborazione con l’Università di Catania.

Sembra dunque che le indiscrezioni dell’Usine Nouvelle trovino piena conferma nelle parole di Jean-Marc Chéry.



Da dove potrebbero arrivare i contributi pubblici

Sul fronte delle trattative con le autorità italiane ed europee, dopo l’evaporazione del progetto di Intel, lo Stato italiano ha ancora a disposizione 2÷2,5 miliardi di euro da destinare ad iniziative di “peso” nel settore, eredità del Decreto Legge 17 del 1 marzo 2022 (governo Draghi) che stanziava 4,15 miliardi a favore della microelettronica italiana fino al 2030. Parte di queste risorse sono già state impegnate in altre iniziative ma allo stato attuale restano disponibili ancora più di due miliardi.

Il fatto di non dover reperire nuove risorse per l’eventuale impianto di Catania (in una situazione di bilancio piuttosto complicata) potrebbe essere un’altra carta a favore di questa iniziativa.

Gli investimenti in Europa e in Italia

Dopo la delusione per il mancato accordo con Intel per la fabbrica di packaging avanzato che doveva sorgere nel nostro paese, e soprattutto dopo gli annunci delle nuove mega fabbriche di semiconduttori che Intel e TSMC realizzeranno in Germania con i contributi pubblici, l’Italia rischia di rimanere a bocca asciutta o quasi, con contributi stanziati per appena qualche centinaia di milioni di euro mentre nel resto d’Europa si autorizzano incentivi pubblici per decine di miliardi. La stessa STMicroelectronics riceverà contributi per 2,9 miliardi di euro per il nuovo fab da 300 mm che costruirà in Francia in partnership con GlobalFoudries mentre quest’ultima sta cercando di farsi finanziare un nuovo impianto da 5 miliardi che dovrebbe sorgere (anche questo!) in Germania.

Nel nostro paese i contributi più consistenti autorizzati al momento riguardano il nuovo impianto per substrati in carburo di silicio che ST sta realizzando a Catania (per 292,5 milioni di euro) e il nuovo impianto per wafer da 300 mm che MEMC SpA sta costruendo a Novara.

Secondo l’Usine Nouvelle – che non rivela la fonte delle sue informazioni – STMicroelectronics spera di ottenere per la nuova iniziativa a Catania contributi pari al 40% della spesa complessiva dell’investimento, stimata in 5 miliardi di euro.

Le iniziative di STMicroelectronics nel carburo di silicio

L’Etna Valley rappresenta storicamente la base di sviluppo e produzione dei componenti di potenza in carburo di silicio, con il sito di Singapore come seconda fonte.

Nell’area di Catania STMicroelectronics sta investendo 730 milioni di euro (per il 40% finanziati dallo stato italiano) per realizzare una nuova fabbrica di substrati in carburo di silicio da 150 mm (con futura espansione a 200 mm) con l’obiettivo di soddisfare internamente il 40% del suo fabbisogno di substrati a partire dal 2024, mentre oggi dipende fortemente da fornitori esterni come Wolfspeed e SiChrystal.

La joint venture con la cinese Sanan

STMicroelectronics ha recentemente annunciato anche un accordo con la cinese Sanan Optoelectronics per creare una joint venture per la produzione di dispositivi in carburo di silicio con wafer da 200 mm a Chongqing, in Cina. La nuova fabbrica di dispositivi SiC ha come obiettivo l’avvio della produzione nel quarto trimestre del 2025 mentre la piena operatività è prevista per il 2028, a sostegno della crescente domanda in Cina di elettrificazione delle automobili e di applicazioni energetiche e di potenza industriali. Parallelamente, Sanan Optoelectronics costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati SiC da 200 mm per soddisfare le esigenze della joint venture.

Il nuovo impianto produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics, utilizzando la tecnologia di processo di produzione SiC proprietaria di ST, e fungerà da fonderia dedicata per supportare la domanda dei suoi clienti cinesi.

Il valore complessivo della JV è di 3,2 miliardi di dollari nell’arco dei prossimi cinque anni, incuse le spese in conto capitale per circa 2,4 miliardi; l’iniziativa godrà anche dei contributi del governo cinese.

Il mercato del carburo di silicio

Il carburo di silicio sta emergendo come un semiconduttore chiave nell’elettrificazione dei veicoli. Rispetto al silicio tradizionale offre il vantaggio di estendere l’autonomia, accelerare la ricarica delle batterie e migliorare l’affidabilità dei veicoli elettrici. STMicroelectronics è pioniere e leader in questa tecnologia con il 37% del mercato nel 2022, seguita dalla tedesca Infineon Technologies con il 19%.

Per guadagnare in competitività e difendere la propria leadership, STMicroelectronics sta preparando una doppia transizione a partire dal 2024: dai wafer da 150 mm di diametro, che costituiscono l’attuale stato dell’arte in questo settore, ai wafer da 200 mm, e dal carburo di silicio monocristallino convenzionale a quello di Soitec, che offre il vantaggio di aumentare le prestazioni dal 15 al 20% e di ridurre le emissioni di CO2 del 70%. I substrati SmartSiC proverranno in parte dal nuovo stabilimento Bernin 4 di Soitec, vicino a Grenoble, mentre la restante parte sarà prodotta su licenza da STMicroelectronics nella sua fabbrica di substrati di Catania.

Il nuovo mega impianto SiC di Catania intende accelerare questa doppia transizione.

Le ultime proiezioni di STMicroelectronics prevedono per i prodotti SiC un fatturato di 1,2 miliardi di dollari per quest’anno, 2 miliardi nel 2025 e più di 5 miliardi nel 2030.