L’accordo prevede che ST qualifichi nei prossimi 18 mesi la tecnologia di produzione di Soitec di substrati in carburo di silicio (SiC) da 200 mm, una tecnologia chiave per supportare la transizione verso la mobilità elettrica e una migliore efficienza energetica dei sistemi industriali.
STMicroelectronics e Soitec azienda leader nella progettazione e produzione di materiali semiconduttori innovativi, annunciano la nuova fase della loro collaborazione sui substrati in carburo di silicio, che prevede che ST qualifichi la tecnologia dei substrati SiC di Soitec nel corso dei prossimi 18 mesi. L’obiettivo di questa collaborazione è l’adozione da parte di ST della tecnologia SmartSiC di Soitec per la futura produzione di substrati da 200 mm che andranno ad alimentare le sue attività di produzione di dispositivi e moduli, con una produzione in volumi prevista a medio termine.
“Il passaggio ai wafer in SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai nostri clienti dei settori automotive e industriale, mentre accelerano la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti. È importante per trainare economie di scala e accompagnare l’espansione in volumi dei prodotti”, ha dichiarato Marco Monti, President Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics. “Abbiamo scelto un modello integrato verticalmente per massimizzare il nostro know-how nell’intera catena di produzione, dai substrati di alta qualità fino alla produzione front-end e back-end su larga scala. L’obiettivo della collaborazione tecnologica con Soitec è continuare a migliorare le rese e la qualità della nostra produzione”.
“L’industria dell’automobile sta attraversando un profondo cambiamento con l’avvento dei veicoli elettrici. La nostra tecnologia avanzata SmartSiC, che adatta il nostro esclusivo processo SmartCut ai semiconduttori in carburo di silicio, svolgerà un ruolo chiave nell’accelerare la loro adozione”, ha dichiarato Bernard Aspar, Chief Operating Officer di Soitec. “La combinazione dei substrati SmartSiC di Soitec con il knowhow e la tecnologia di STMicroelectronics leader nel settore del carburo di silicio è un game changer per la produzione di chip nel settore automotive e fisserà nuovi standard.”
La transizione dai wafer da 150 mm a quelli da 200 mm consentirà un incremento sostanziale della capacità produttiva, permettendo di arrivare quasi a raddoppiare l’area utile per la produzione di circuiti integrati e aumentando di 1,8-1,9 volte il numero dei chip realizzabili per wafer.
SmartSiC è una tecnologia proprietaria di Soitec che utilizza la tecnologia SmartCut, anch’essa proprietaria di Soitec, per dividere un sottile strato di una fetta in SiC di alta qualità, il cosiddetto “donatore”, e lo lega su una fetta polySiC a bassa resistività, denominata “handle”. Il substrato così strutturato migliora le prestazioni dei dispositivi e le rese di produzione. Il “donatore” in SiC di alta qualità può essere riutilizzato più volte, riducendo sensibilmente il consumo di energia complessivo necessario per produrlo.
