mercoledì, Aprile 17, 2024
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STMicroelectronics ospiterà Tower Semiconductor nella fabbrica di chip da 300 mm R3 in costruzione nel sito di Agrate Brianza

La partnership consentirà alla fabbrica Agrate R3 da 300 millimetri di ST di avviarsi rapidamente verso la produzione in grandi volumi. 

Immagine: Tower Semiconductor

STMicroelectronics e Tower Semiconductorfoundry israeliana con impianti in Israele, USA e Giappone – hanno annunciato oggi un accordo in base al quale ST ospiterà impianti di Tower Semiconductor nella fabbrica da 300 mm R3 attualmente in costruzione nel sito di Agrate Brianza (MB).

ST e Tower uniranno le proprie risorse per accelerarne la produzione in volumi una volta superata la fase di qualifica, fattore chiave per raggiungere un alto livello di utilizzo degli impianti e, di conseguenza, un costo competitivo per i wafer di silicio. ST condividerà con Tower la clean room di R3, dove la società israeliana avrà a disposizione un terzo dello spazio totale per installare i propri impianti. Si prevede che la fabbrica sarà pronta per l’installazione delle attrezzature entro la fine di quest’anno e che la produzione, dopo le attività di qualifica, possa partire nella seconda metà del 2022.

ST e Tower condivideranno lo spazio della clean room e l’infrastruttura dell’impianto. Le due aziende investiranno nelle rispettive attrezzature di processo e opereranno insieme per accelerare la qualifica della fabbrica; le attività operative continueranno ad essere gestite da ST, con alcuni dipendenti di Tower distaccati in ST in ruoli specifici per supportare la qualifica della fabbrica e il ramp-up dei volumi di produzione, così come in altri ruoli ingegneristici e di processo. Nella fase iniziale, in R3 saranno qualificati processi da 130, 90 e 65 nanometri per dispositivi di potenza, analogici, a segnale misto e RF. I prodotti basati su queste tecnologie saranno usati in particolare in applicazioni automotive, industrial e di personal electronics.

Il parametro chiave per la performance industriale ed economica di una fabbrica è il suo livello di utilizzo. Con Tower avremo un grande partner per la produzione in volumi di dispositivi analogici, di potenza e a segnale misto, che ci consentirà di qualificare e fare il ramp-up della fabbrica Agrate R3 a 300 mm in tempi molto più brevi. Avremo così la possibilità di utilizzare l’impianto a livelli ottimali già quasi nelle prime fasi di produzione. La capacità produttiva della fabbrica a pieno regime potrebbe essere perfino superiore rispetto alle stime del 2018, quando abbiamo avviato il progetto”, ha detto Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics. “I prodotti fabbricati in Agrate R3 supporteranno i mercati dell’auto, dell’industrial e della personal electronics. In un’ottica di medio-lungo termine, contribuiranno ad attenuare le tensioni sul lato dell’offerta in una vasta gamma di applicazioni.”

Russell Ellwanger, CEO di Tower, ha commentato: “Siamo molto lieti di annunciare questa partnership con STMicroelectronics. ST è nota per le sue tecnologie avanzate, la sua eccellenza operativa e la sua integrità. Guardiamo con entusiasmo ad una collaborazione di successo per entrambi. Le solide capacità di esecuzione di Tower in dispositivi RF analogici, piattaforme di potenza, display e altre tecnologie basate sui 65 nm e i 300 mm saranno notevolmente potenziate grazie a questa attività ad Agrate; potremo più che triplicare la capacità di foundry da 300 mm di Tower per servire in maniera ottimale la crescente domanda dei nostri clienti in questi mercati in forte crescita.”

Per l’implementazione di questo progetto, Tower creerà una filiale italiana interamente di sua proprietà. Tower fornirà informazioni più precise sul suo importante programma di investimenti in conto capitale e sulle somme investite nel corso del progetto.

Tower Semiconductor, fornisce tecnologie e piattaforme di produzione per circuiti integrati in settori in crescita come i mercati dell’elettronica di consumo, industrialautomotive, mobile, infrastrutture, settore medicale, industria aerospaziale e difesa.

La società gestisce due impianti di produzione in Israele (150 mm e 200 mm), due negli Stati Uniti (200 mm) e tre in Giappone (due da 200 mm e uno da 300 mm) tramite Tower Partners Semiconductor Co., Ltd.

Tower Semiconductor fornisce inoltre capacità di progettazione di prim’ordine a supporto di cicli di progettazione veloci e accurati, così come servizi di trasferimento dei processi, compresi servizi di sviluppo, trasferimento e ottimizzazione, sia a IDM che ad aziende fabless.

Tower Semiconductor punta a creare un impatto positivo e sostenibile attraverso partnership a lungo termine e un’offerta di tecnologie analogiche avanzate e innovative, comprendente un’ampia gamma di piattaforme di processo personalizzabili per il cliente come SiGe, BiCMOS, segnale misto/CMOS, RF CMOS, sensori di immagine CMOS, sensori non imaging, gestione integrata della potenza (BCD e 700 V) e MEMS.