L’avanzato impianto di produzione da 300 mm di Intel nel Nuovo Messico fornirà un nuovo corridoio di capacità per Tower, contribuendo ad alimentare la crescita futura.
Sulla falsariga dell’accordo tra STMicroelectronics e Tower Semiconductor, e dopo la rinuncia di Intel all’acquisizione della fonderia israeliana, Tower e Intel annunciano oggi un accordo che prevede la fornitura da parte di Intel di servizi di fonderia con una capacità produttiva di 300 mm per aiutare Tower a servire i propri clienti a livello globale. In base all’accordo, Tower utilizzerà l’impianto di produzione avanzato di Intel nel New Mexico. Tower investirà fino a 300 milioni di dollari per acquisire attrezzature e risorse da installare nella struttura del New Mexico, fornendo un nuovo corridoio della capacità di oltre 600.000 passaggi litografici al mese per la crescita futura di Tower, consentendo all’azienda di supportare la domanda di chip avanzati prodotto con wafer da 300 mm.
Questo accordo dimostra l’impegno di Intel e Tower ad espandere le rispettive attività di fonderia con soluzioni senza precedenti e capacità scalabile. Intel produrrà, tra gli altri, di flussi BCD (bipolare-CMOS-DMOS) di gestione dell’alimentazione da 65 nanometri di Tower, presso il Fab 11X di Intel a Rio Rancho, nel New Mexico.
Stuart Pann, vicepresidente senior di Intel e direttore generale di Intel Foundry Services, ha dichiarato: “Abbiamo lanciato Intel Foundry Services con una visione, unica al mondo, di sistemi aperti di fonderia che unisce una catena di fornitura sicura, sostenibile e resiliente con il meglio di Intel e del nostro ecosistema. Siamo entusiasti che Tower riconosca il valore unico che offriamo e ci abbia scelto per aprire il suo corridoio di capacità da 300 mm negli Stati Uniti”.
Il CEO di Tower, Russell Ellwanger, ha dichiarato: “Siamo entusiasti di continuare a lavorare con Intel. Guardando al futuro, il nostro obiettivo principale è espandere le partnership con i clienti attraverso la produzione su larga scala di soluzioni tecnologiche all’avanguardia. Questa collaborazione con Intel ci consente di soddisfare le roadmap della domanda dei nostri clienti, con particolare attenzione alle soluzioni avanzate di gestione energetica e RF SOI, con la qualificazione completa del flusso di processo pianificata nel 2024. Consideriamo questo come un primo passo verso molteplici soluzioni sinergiche uniche con Intel”.
Secondo il colosso californiano, questo accordo mostra come IFS consenta l’accesso ai corridoi di capacità produttiva attraverso la rete globale di fabbriche Intel, inclusi Stati Uniti, Europa, Israele e Asia. Oltre agli investimenti esistenti in Oregon e agli investimenti pianificati in Ohio, Intel investe e innova nella regione sudoccidentale degli Stati Uniti da oltre 40 anni, con siti in Arizona e New Mexico. Intel aveva precedentemente annunciato un investimento di 3,5 miliardi di dollari per espandere le operazioni nel Nuovo Messico e attrezzare il campus di Rio Rancho, uno dei suoi centri di innovazione, per la produzione di packaging avanzato per semiconduttori.
Per Tower, questo è il passo successivo nel suo percorso verso una maggiore scala, al servizio di una base di clienti in espansione nelle tecnologie da 300 mm, guidata dalla forte adozione da parte del mercato delle sue tecnologie di alimentazione BCD da 65 nm e SOI RF, leader del settore. Nello specifico, la tecnologia BCD a 65 nm di Tower offre ai clienti efficienza energetica, dimensioni e costi del die migliorati grazie alla sua cifra di merito Rdson al vertoce di mercato. Allo stesso modo, la tecnologia SOI RF a 65 nm di Tower aiuta i suoi clienti a ridurre il consumo delle batterie, migliorando al tempo stesso le connessioni wireless attraverso la sua cifra di merito RonCoff migliore della categoria. La maggiore portata derivante da questo accordo consentirà a Tower non solo di offrire maggiori opportunità con le tecnologie esistenti, ma anche di rafforzare le partnership con clienti leader del settore che contribuiranno a creare forti roadmap tecnologiche di prossima generazione.
IFS rappresenta il cuore della strategia IDM 2.0 di Intel e l’annuncio di oggi rappresenta un altro passo avanti nella trasformazione di Intel per riconquistare e rafforzare la leadership tecnologica, la scala produttiva e la crescita a lungo termine. IFS ha compiuto passi da gigante nell’ultimo anno, come dimostrato dall’aumento dei ricavi di oltre il 300% su base annua nel secondo trimestre del 2023. Questo slancio è ulteriormente illustrato dal recente accordo di Intel con Synopsys per sviluppare un portafoglio di proprietà intellettuale su nodi di processo Intel 3 e Intel 18A. Intel ha inoltre ottenuto il programma RAMP-C (Rapid Assered Microelectronics Prototypes – Commercial) del Dipartimento della Difesa degli Stati Uniti, con cinque clienti RAMP-C impegnati nella progettazione di Intel 18A.
