lunedì, Maggio 20, 2024
HomeMERCATINews semiconduttori e mercati del 17 febbraio 2021

News semiconduttori e mercati del 17 febbraio 2021

AMERICA & GLOBAL

Cambiamento di rotta del mercato azionario americano, mercoledì 17 febbraio 2021, dopo che nuovi dati hanno mostrato un significativo miglioramento dell’economia con l’ultimo rapporto sulle vendite al dettaglio che ha messo in luce un forte aumento della spesa a gennaio, dopo mesi di cali generalizzati.

È bastato questo dato per spostare l’interesse degli investitori dai titoli tecnologici che hanno guadagnato molto per effetto della pandemia, verso le azioni di settori più ciclici, in primis quelli energetici. Non a caso, Warren Buffett ha spostato parte dei suoi investimenti da Apple a Chevron.

Tra i titoli tecnologici Apple perde l’1,76% a quota 130,84 dollari, Netflix scende dell’1,07% e Twitter, reduce da un forte rally, lascia sul terreno il 2,97%.

Alla fine della giornata di contrattazioni, il Dow Jones guadagna lo 0,29% a quota 31.613,02 punti, l’S&P 500 perde lo 0,032% a quota 3.913,33 punti, il Nasdaq Composite arretra dello 0,58% a quota 13.965,50 punti.

Questa svolta ha influito anche sull’indice dell’industria dei semiconduttori, il PHLX Semiconductor (SOX) che ha perso l’1,87% a quota 3.178,24 punti.

Tra le aziende più colpite da questa inversione di tendenza, Marvell (-4,80%), NXP Semiconductors (-2,94%) e NVIDIA (-2,77%). L’unico titolo in controtendenza è Microchip Technology che guadagna lo 0,50% mentre il più importante titolo del paniere, Intel, perde lo 0,99% a quota 61,85 dollari.

Per quanto riguarda i prodotti, ON Semiconductor ha annunciato ieri una nuova gamma di dispositivi MOSFET in carburo di silicio (SiC) per applicazioni gravose, in cui densità di potenza, efficienza e affidabilità sono aspetti chiave. Sostituendo le tecnologie di commutazione basate sul silicio con i nuovi dispositivi SiC, i progettisti otterranno prestazioni significativamente migliori in applicazioni come i caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici, gli inverter solari, le unità di alimentazione per server (PSU) e i gruppi di continuità (UPS).

Immagine: ON Semiconductor.

Il nuovo dispositivo per impiego automobilistico di ON Semiconductor qualificato AECQ101 e i MOSFET SiC per uso industriale da 650 V si basano sulla tecnologia WBG (wide bandgap) che fornisce prestazioni di commutazione superiori e presenta caratteristiche termiche migliori rispetto al silicio. Ciò si traduce anche in una maggiore efficienza a livello di sistema, migliore densità di potenza, minori interferenze elettromagnetiche (EMI) e dimensioni e peso ridotti.

La nuova generazione di MOSFET SiC di ON Semiconductor utilizza un nuovo design di cella combinato con una tecnologia avanzata a wafer sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (RDSon x area) per dispositivi con tensione di rottura di 650V.

I dispositivi NVBG015N065SC1NTBG015N065SC1,   NVH4L015N065SC1  e  NTH4L015N065SC1 presentano l’RDSon più basso (12 mOhm) del mercato per package D2PAK7L e TO247. Questa tecnologia è ottimizzata anche intorno alla figura di merito della perdita di energia, che ottimizza le prestazioni nelle applicazioni automobilistiche e industriali. Un resistore di gate interno (Rg) consente una maggiore flessibilità ai progettisti, eliminando la necessità di una resistenza di gate esterna che, in ogni caso, peggiora le prestazioni. Migliore risposta alle sovratensioni e all’effetto valanga nonché maggiore capacità di resistenza ai corto circuiti garantiscono grande affidabilità e maggiore durata dei dispositivi.
 

ASIA

Chiuse ancora per festività le borse della Cina continentale, continua il momento positivo della borsa di Hong Kong che guadagna l’1,1% e di Taiwan che, alla riapertura dopo le festività, recupera il divario con le altre borse mettendo a segno un guadagno del 3,54%

Ottime le performance delle aziende di semiconduttori dell’isola: TSMC sale del 4,91%, UMC compie un balzo dell’8,88% e MediaTek avanza del 3,16%.

Dopo i guadagni delle scorse settimane, tirano il freno le borse di Seoul e di Tokyo.

Il KOSPI arretra dello 0,93% così come chiudono in terreno negativo SK hynix (-1,89%) e Samsung (-2,00%).

Dopo il recente blocco degli impianti produttivi di Renesas a causa del terremoto di magnitudo 7.3 che ha colpito il Giappone nordorientale, anche gli stabilimenti di Samsung Electronics in Texas hanno dovuto fermare le linee produttive. Questa volta la colpa è dell’ondata di maltempo che ha colpito lo stato americano e che ha provocato una penuria di energia elettrica.

Sembra che anche gli stabilimenti di NXP Semiconductors e Infineon abbiano subito la stessa sorte ed abbiano dovuto fermare gli impianti. Fortunatamente in questo caso, le aziende sono state avvisate due giorni prima della probabile sospensione di energia, consentendo di ultimare i processi in corso.

Resta il fatto che tutte queste aziende producono prevalentemente circuiti integrati per automotive, quei chip di cui c’è una forte carenza sul mercato.

Ieri proprio Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato la prima memoria HBM (High Bandwidth Memory) del settore con integrata capacità di elaborazione AI. Samsung ha chiamato questa nuova memoria HBM-PIM. La nuova architettura PIM (Processing-in-Memory) offre potenti capacità di elaborazione AI all’interno di una memoria ad alte prestazioni, ideale per accelerare l’elaborazione su larga scala nei data center, nei sistemi HPC (High Performance Computing) e nelle applicazioni mobili abilitate AI.

Immagine: Samsung Electronics.

La maggior parte dei sistemi informatici odierni si basa sull’architettura von Neumann, che utilizza processori e unità di memoria separati per eseguire milioni di complesse attività di elaborazione dati. Questo approccio di elaborazione sequenziale richiede che i dati si spostino costantemente avanti e indietro, con il risultato di un collo di bottiglia che rallenta il sistema, soprattutto quando si gestiscono elevati volumi di dati.

Nel caso delle memorie HBM-PIM la potenza di elaborazione arriva direttamente dove sono memorizzati i dati, posizionando un motore AI ottimizzato per DRAM all’interno di ciascun banco di memoria, consentendo l’elaborazione parallela e riducendo al minimo lo spostamento dei dati. Applicata alla soluzione esistente HBM2 Aquabolt di Samsung, la nuova architettura è in grado di raddoppiare le prestazioni del sistema riducendo il consumo di energia di oltre il 70%. L’HBM-PIM non richiede alcuna modifica hardware o software, consentendo una più rapida integrazione nei sistemi esistenti.

Tornando ai numeri, il Nikkei 225 di Tokyo perde lo 0,58% chiudendo la seduta a 30.292,19 punti.

Tra i titoli più penalizzati, Tokyo Electron chiude a -2,20% mentre Murata arretra dell’1,10%. Per quanto riguarda i prodotti, Renesas Electronics ha annunciato ieri lo sviluppo di tecnologie per dispositivi SoC (System on Chip) automobilistici utilizzati in applicazioni di sistemi di assistenza alla guida (ADAS) e sistemi di guida autonoma (AD) che mirano a ottimizzare sia le prestazioni che l’efficienza energetica, supportando un elevato livello di sicurezza funzionale.

Immagine: Renesas Electronics.

L’annuncio odierno include:

1) Un core acceleratore hardware di rete neurale convoluzionale (CNN) che offre una combinazione avanzata di prestazioni di deep learning pari a 60,4 TPS (trilioni di operazioni al secondo) e un’efficienza energetica di 13,8 TOPS/W; 2) sofisticati meccanismi di sicurezza per il rilevamento rapido e la risposta a guasti hardware casuali. Ciò rende possibile creare un meccanismo di rilevamento ad alta efficienza energetica con un elevato tasso di rilevamento dei guasti; 3) Un meccanismo che consente alle attività software con diversi livelli di sicurezza di operare in parallelo sul SoC senza interferire tra loro, rafforzando così la sicurezza funzionale per il controllo ASIL D. Queste tecnologie sono state applicate, ad esempio, nell’ultimo SoC automobilistico R-Car V3U dell’azienda.

Renesas ha presentato questi risultati alla Conferenza ISSCC 2021 in programma dal 13 al 22 febbraio 2021.

Applicazioni come i sistemi ADAS e AD di nuova generazione richiedono eccezionali prestazioni di deep learning, pari a 60 o addirittura 120 TOPS, unitamente ad elevate performance per quanto riguarda l’efficienza energetica. Inoltre, poiché l’elaborazione del segnale, dall’identificazione dell’oggetto all’emissione delle istruzioni di controllo, costituisce la maggior parte del carico di elaborazione nei sistemi AD, il raggiungimento della sicurezza funzionale equivalente ad ASIL D è una questione della massima urgenza. Renesas ha sviluppato nuove tecnologie per soddisfare queste esigenze, incluso un acceleratore hardware che offre eccezionali prestazioni di elaborazione CNN unitamente ad un’efficienza energetica superiore.
 

EUROPA

Tutte negative anche le borse del vecchio continente con Milano che arretra dell’1,12%.

Sulla scia di Wall Street, perdono molto i titoli delle principali aziende europee di semiconduttori: STMicroelectronics arretra del 2,02% a quota 34,44 euro, Infineon Technologies perde il 3,28% a quota 35,23 euro, ASML arretra del 3,10% e ams perde il 3,32%.