venerdì, Maggio 3, 2024
HomeEVENTILa tecnologia GaN di Innoscience Tecnology all'Applied Power Electronics Conference (APEC) 2022

La tecnologia GaN di Innoscience Tecnology all’Applied Power Electronics Conference (APEC) 2022

In occasione del più importante evento mondiale dedicato all’elettronica di potenza, Innoscience presenterà gli ultimi progressi della tecnologia GaN-on-Si.

Innoscience Technology, una società che sta creando un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di alimentazione al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) a basso costo e ad alte prestazioni, parteciperà all’evento Applied Power Electronics (APEC) che si terrà a Houston, in Texas, dal 20 al 24 Marzo 2022.

Denis Marcon, Direttore Generale di Innoscience Europe, è stato selezionato tra i relatori di questo che è il più importante evento mondiale dedicato all’elettronica di potenza. Egli terrà una presentazione dal titolo: “Applicazioni, ottimizzazione della tecnologia e produzione di dispostivi su wafer da 8 pollici con tecnologia GaN-on-Si“.

Durante la presentazione, Denis Marcon illustrerà come Innoscience sta affrontando le esigenze della produzione in volumi di wafer in GaN, dell’affidabilità del GaN e dei test avanzati che Innoscience esegue sui propri dispositivi. Egli fornirà anche alcuni esempi di applicazioni che sfruttano la tecnologia dei dispositivi GaN-on-Si normalmente spenti (in modalità ad arricchimento) di Innoscience, come caricabatterie PD, convertitori DC-DC per data center e driver laser per applicazioni LiDAR.

Innoscience sarà anche presente alla manifestazione con uno stand (#200) dove presenterà le sue ultime tecnologie e i prodotti più recenti. L’azienda è il più grande IDM del mondo completamente focalizzato sulla tecnologia GaN, con una capacità produttiva mensile di 10.000 wafer da 8 pollici. Tale capacità crescerà fino a 70.000 wafer entro il 2025.

Presso lo stand saranno anche presenti diverse demo di soluzioni a bassa e alta tensione, frutto della collaborazione con i produttori di gate driver specializzati Heyday e MinDCet. I dispositivi HEMT al GaN di Innoscience possono ovviamente essere utilizzati in combinazione con altri gate driver disponibili in commercio come quelli di TI, onsemi, STM, Joulwatt, Southchip, NXP, MPS, Meraki e Nuvoltatech. I dispositivi dell’azienda spaziano dalla bassa tensione (30V-150V) all’alta tensione (650V) e sono ampiamente utilizzati in applicazioni che vanno dai caricabatterie/adattatori USB PD ai data center, dai telefoni cellulari e ai driver LED.

Vuoi sostenere l’attività di Elettronica & Mercati? Fai Clic ed accedi alle pubblicità di terze parti come questa: non costa nulla e ci dà la possibilità di continuare ad offrirti articoli e informazioni sempre migliori.