Riunendo le funzioni chiave in un unico package ottimizzato, la famiglia riduce il numero di componenti esterni, semplifica le sfide di layout PCB tipicamente associate al GaN a commutazione rapida e aiuta i progettisti ad abbreviare i cicli di sviluppo, ottenendo al contempo i vantaggi principali della tecnologia GaN: frequenze di commutazione più elevate, minori perdite di commutazione e conduzione e maggiore densità di potenza.
Infineon Technologies amplia il suo portafoglio CoolGaN con la famiglia di prodotti CoolGaN Drive HB 600 V G5. I quattro nuovi dispositivi – IGI60L1111B1M, IGI60L1414B1M, IGI60L2727B1M e IGI60L5050B1M – integrano due switch GaN da 600 V in una configurazione a mezzo ponte, insieme a gate driver integrati per il lato alto e basso e un diodo di bootstrap, offrendo uno stadio di potenza compatto e termicamente ottimizzato che riduce ulteriormente la complessità di progettazione.
Riunendo le funzioni chiave in un unico package ottimizzato, la famiglia riduce il numero di componenti esterni, semplifica le sfide di layout PCB tipicamente associate al GaN a commutazione rapida e aiuta i progettisti ad abbreviare i cicli di sviluppo, ottenendo al contempo i vantaggi principali della tecnologia GaN: frequenze di commutazione più elevate, minori perdite di commutazione e conduzione e maggiore densità di potenza.
I commenti
“Il GaN sta trasformando la conversione di potenza e la missione di Infineon è massimizzare la trasformazione con soluzioni scalabili e facili da usare per i clienti“, afferma Johannes Schoiswohl, responsabile della GaN Business Line di Infineon. “Con queste nuove soluzioni integrate, combiniamo le prestazioni GaN ad alta velocità con un livello di integrazione e robustezza che aiuta i progettisti a muoversi più velocemente, ridurre le dimensioni dei loro sistemi e aumentare l’efficienza, spingendo i confini di ciò che è possibile nell’elettronica di potenza compatta”.
Caratteristiche e prestazioni
Pensato per sistemi di azionamento motore a bassa potenza e alimentatori switching, il semiponte integrato consente componenti magnetici e passivi più piccoli, maggiore efficienza in tutte le condizioni operative e prestazioni dinamiche migliorate in progetti con vincoli di spazio. Progettato per la precisione ad alta velocità, il dispositivo raggiunge una commutazione ultraveloce con un ritardo di propagazione di 98 ns e un disadattamento minimo, supportando un funzionamento efficiente ad alta frequenza, mantenendo al contempo un comportamento temporale prevedibile. Per un’integrazione di sistema semplificata, offre un ingresso PWM compatibile con i livelli logici standard e funziona con una singola alimentazione del gate driver a 12 V, mentre il rapido ripristino UVLO contribuisce a garantire un comportamento robusto durante l’avvio e gli eventi di alimentazione transitori. Per prestazioni termiche superiori, i prodotti sono alloggiati in un package TFLGA-27 da 6 x 8 mm² con pad esposti, consentendo un’efficiente distribuzione del calore e supportando progetti senza dissipatore di calore in numerose applicazioni.
Queste nuove soluzioni rafforzano ulteriormente la posizione di Infineon nel mercato GaN combinando la comprovata tecnologia dei dispositivi CoolGaN con l’integrazione a livello di sistema e un profondo know-how nella conversione di potenza, consentendo ai clienti di adottare la tecnologia GaN con maggiore sicurezza e di scalare progetti ad alta efficienza su piattaforme industriali e consumer.
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