Il processo U-MOSX-H di Toshiba riduce le perdite e i picchi di tensione nelle applicazioni di alimentazione.
Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V che utilizza il processo UMOSX-H di ultima generazione per ridurre significativamente le perdite. Inoltre, sono stati ridotti i picchi di tensione tra drain e source in fase di commutazione, con un conseguente miglioramento delle prestazioni EMI negli alimentatori a commutazione.
Il nuovo dispositivo si presta per un’ampia gamma di applicazioni, che includono gli alimentatori a commutazione all’interno di apparecchiature industriali, comprese le applicazioni nelle stazioni base di telefonia mobile e nei data center.
Il nuovo MOSFET TPH9R00CQH presenta una resistenza RDS(ON) molto bassa, pari ad appena 9,0mΩ (@ VGS=10V max). Ciò rappresenta una riduzione di circa il 42% rispetto al prodotto esistente da 150V (TPH1500CNH) basato sul processo U-MOSVIII-H di ultima generazione. Le principali figure di merito (FoM), che includono RDS(ON) x QSW e RDS(ON) x QOSS, sono state ridotte rispettivamente di circa il 20% e il 28%, migliorando così ulteriormente le prestazioni.
Le caratteristiche di carica sono state migliorate attraverso un’attenta ottimizzazione della struttura del dispositivo. Con una carica totale di gate (Qg) di soli 44nC e una carica immagazzinata nel gate (QSW) di 11,7nC, il dispositivo offre prestazioni eccellenti, soprattutto nelle applicazioni ad alta velocità.
Il nuovo TPH9R00CQH offre due opzioni di package a montaggio superficiale (SMD): SOP Advance (5,0 mm x 6,0 mm) e SOP Advance N (4,9 mm x 6,1 mm), che possono essere scelte in funzione dell’applicazione.
Le consegne del nuovo dispositivo sono già iniziate.
Toshiba continuerà ad espandere la propria gamma di MOSFET di potenza che migliorano l’efficienza degli alimentatori attraverso la riduzione delle perdite, per supportare la riduzione dei consumi energetici in tutti i tipi di apparecchiature.
