Con un’efficienza energetica superiore al 95% e una minore dissipazione termica, i nuovi prodotti GaN di TI consentono di ridurre del 50% le dimensioni degli adattatori AC/DC.
Texas Instruments (TI) ha annunciato oggi l’espansione del suo portafoglio GaN (nitruro di gallio) con prodotti in grado di migliorare la densità di potenza, massimizzare l’efficienza del sistema e ridurre le dimensioni dei convertitori AC/DC consumer e industriali.
Il portafoglio di FET GaN con gate driver integrato di Texas Instruments è in grado di risolvere le sfide di progettazione termica mantenendo gli adattatori AC/DC più freddi offrendo allo stesso tempo più potenza con un ingombro ridotto.
Le dichiarazioni
“I consumatori desiderano adattatori di alimentazione ancora più piccoli, più leggeri e più facilmente trasportabili che forniscano anche una ricarica rapida ed efficiente dal punto di vista energetico”, ha affermato Kannan Soundarapandian, direttore generale High Voltage Power presso Texas Instruments. “Con l’espansione del nostro portafoglio, i progettisti possono portare i vantaggi in termini di densità di potenza della tecnologia GaN a basso consumo a un numero maggiore di applicazioni utilizzate ogni giorno, come adattatori per telefoni cellulari e laptop, alimentatori TV e prese a muro USB. Inoltre, il portafoglio di TI risponde anche alla crescente domanda di design compatti e ad alta efficienza in sistemi industriali come utensili elettrici e alimentatori ausiliari per server”.
Il nuovo portafoglio di FET GaN con gate driver integrati, che comprende LMG3622, LMG3624 e LMG3626, offre il rilevamento di corrente integrato più accurato del settore. Questa funzionalità aiuta i progettisti a ottenere la massima efficienza eliminando la necessità di un resistore di shunt esterno e riducendo le perdite di potenza associate fino al 94% rispetto ai tradizionali circuiti di rilevamento della corrente utilizzati con GaN discreti e FET in silicio.
Massimizzare l’efficienza energetica e semplificare la progettazione termica
I FET GaN di TI con gate driver integrato consentono velocità di commutazione più elevate, il che aiuta a evitare il surriscaldamento dei circuiti. I progettisti possono raggiungere un’efficienza del sistema fino al 94% per applicazioni AC/DC <75 W o un’efficienza del sistema superiore al 95% per applicazioni AC/DC >75 W. I nuovi dispositivi aiutano i progettisti a ridurre le dimensioni della soluzione di un tipico adattatore di alimentazione da 67 W fino al 50% rispetto alle soluzioni basate sul silicio.
Il portafoglio è inoltre ottimizzato per le topologie più comuni nella conversione di potenza AC/DC, come flyback quasi risonante, flyback a mezzo ponte asimmetrico, convertitore induttore-induttore, totem-pole PFC e flyback active clamp.
Ulteriori informazioni sui vantaggi dei GaN TI per le topologie AC/DC più comuni, sono offerte dall’articolo “I vantaggi del GaN a basso consumo nelle topologie di alimentazione AC/DC più comuni“.
Investimento a lungo termine nella produzione di GaN
TI vanta una lunga storia di attività produttive interne di proprietà globale e diversificate a livello regionale, tra cui fabbriche di wafer, strutture di assemblaggio e test in 15 siti in tutto il mondo. TI investe nella produzione della tecnologia GaN da oltre 10 anni.
Con l’intenzione di produrre internamente oltre il 90% dei suoi prodotti entro il 2030, TI ha la capacità di fornire ai clienti una capacità affidabile per i decenni a venire.
Package, disponibiltà e prezzi
LMG3622 e LMG3626 sono già disponibili in volumi mentre LMG3624 è attualmente in pre-produzione. I chip vengono forniti in contenitore quad flat no-lead da 8 x 5,3 mm e 38 pin.
Esistono anche versioni (compatibili pin-to-pin) dei prodotti LMG3612 e LMG3616 senza rilevamento di corrente integrato.
Il prezzo unitario parte da USD 3,18 per forniture di 1.000 pezzi.
Sono disponibili moduli di valutazione, come l’MG3624EVM-081, con prezzi a partire da USD 250.
Tutti i prodotti sono disponibili per l’acquisto su TI.com/GaN.
