mercoledì, Maggio 29, 2024
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STMicroelectronics presenta la terza generazione di MOSFET al carburo di silicio (SiC) STPOWER della società

L’ultima generazione di dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC) estende la leadership di STMicroelectronics in termini di prestazioni e affidabilità per applicazioni industriali e di mobilità elettrica.

STMicroelectronics annuncia oggi la disponibilità dei dispositivi al carburo di silicio (SiC) di terza generazione che consentono di  migliorare ulteriormente le prestazioni dei sistemi di controllo e conversione di potenza dell’energia in termini di affiabilità, efficienza energetica e densità di potenza.

Leader di mercato nei MOSFET di potenza basati sul SiC, ST ha utilizzato un nuovo e più avanzato know-how di progettazione per sfruttare maggiormente il potenziale di risparmio energetico della tecnologia SiC, dando ulteriore impulso alla trasformazione dei mercati dei veicoli elettrici e delle applicazioni industriali. Con l’accelerazione del mercato dei veicoli elettrici, molte case automobilistiche e fornitori del settore automotive stanno adottando sistemi di azionamento a 800 V per velocizzare sensibilmente le operazioni di ricarica e ridurre il peso dei veicoli. Questi nuovi sistemi consentono alle case automobilistiche di produrre veicoli con una maggiore autonomia. I nuovi dispositivi SiC di ST sono ottimizzati in modo specifico per queste applicazioni automotive di fascia alta, che includono inverter di trazione per EV, caricabatterie di bordo e convertitori DC/DC, oltre a compressori per climatizzatori elettrici. La nuova generazione è adatta anche alle applicazioni industriali in quanto aumenta considerevolmente l’efficienza degli azionamenti dei motori industriali, dei convertitori di energia rinnovabile e dei sistemi di accumulo, così come dei gruppi di alimentazione per telecomunicazioni e data center.

“Continuiamo a guidare lo sviluppo di questa promettente tecnologia con innovazioni sia a livello di dispositivo sia di package. In qualità di fornitori completamente integrati di prodotti SiC, siamo in grado di offrire ai nostri clienti prestazioni sempre migliori”, ha detto Edoardo Merli, direttore generale della macro-divisione Power Transistor e Group Vice President del Gruppo Automotive and Discrete di STMicroelectronics. “Stiamo investendo incessantemente a supporto dei nostri programmi per i settori automotive e industriale, che nel 2024 dovrebbero generare ricavi per un miliardo di dollari nel comparto SiC”.

STMicroelectronics ha completato la qualificazione della piattaforma tecnologica SiC di terza generazione e prevede di portare alla maturità commerciale la maggior parte dei prodotti derivati entro la fine del 2021. Saranno disponibili MOSFET con tensioni nominali da 650 V e 750 V fino a 1200 V, che offriranno ai progettisti maggiori scelte per realizzare applicazioni operanti dalle normali tensioni di linea AC fino a quelle delle batterie e dei caricabatterie ad alta tensione dei veicoli elettrici.

Sfruttando la nuova piattaforma SiC di terza generazione, i più recenti MOSFET planari di ST stabiliscono nuovi parametri di riferimento ai vertici del settore per le figure di merito (FoM) di riferimento [resistenza di ON (Ron) x dimensione del chip e Ron x carica gate (Qg)] che esprimono l’efficienza, la densità di potenza e le prestazioni di commutazione dei transistor.

Poiché è diventato sempre più difficile migliorare le FoM utilizzando la normale tecnologia al silicio, le soluzioni Wide Bandgap come qualla SiC rappresentano la chiave per ulteriori miglioramenti. ST, con i suoi dispositivi di terza generazione, sta dettando il passo dei progressi in quest’area.

Rispetto alle alternative in silicio, inoltre, i MOSFET SiC presentano una tensione nominale più elevata in rapporto alle dimensioni del die, una caratteristica che rende questa tecnologia la migliore scelta per le applicazioni EV e le infrastrutture di ricarica rapida. Inoltre, dispongono di un diodo molto veloce che fornisce le proprietà bidirezionali necessarie per i caricatori di bordo (OBC) automotive utilizzati nel flusso di potenza Vehicle-to-X (V2X), rendendo possibile la trasmissione di elettricità da una batteria OBC all’infrastruttura. La loro elevata capacità di commutazione permette inoltre di integrare componenti passivi più piccoli all’interno dei sistemi di alimentazione, consentendo l’impiego di apparecchiature elettriche più compatte e leggere nel veicolo. Grazie alle stesse caratteristiche, è possibile ottenere la riduzione dei costi di gestione anche nelle applicazioni industriali.

Ulteriori informazioni sul portafoglio SiC di ST e sugli ultimi MOSFET di terza generazione sono disponibili al seguente link.