MasterGaN1L e MasterGaN4L di STMicroelectronics rappresentano la prossima generazione di dispositivi integrati a ponte al nitruro di gallio (GaN) in grado di semplificare la progettazione di alimentatori sempre più efficienti.
La famiglia MasterGaN di STMicroelectronics integra transistor GaN ad alta mobilità (HEMT) da 650 V con gate driver ottimizzati, protezione del sistema e un diodo bootstrap che aiuta il dispositivo all’avvio. L’integrazione di queste funzionalità evita ai progettisti di dover affrontare i complessi requisiti di gate-drive dei transistor GaN. Alloggiati in un contenitore di potenza compatto, i dispositivi migliorano inoltre l’affidabilità, riducono la distinta base e semplificano il layout del circuito.
Caratteristiche tecniche
I dispositivi più recenti contengono due HEMT GaN collegati in configurazione a mezzo ponte. La disposizione è adatta per la realizzazione di alimentatori, adattatori e caricabatterie in modalità commutata con topologie flyback con active-clamp, active-clamp forward, e risonanti. MasterGaN1L e MasterGaN4L sono pin to pin compatibili rispettivamente con MasterGaN1 e MasterGaN4. Rispetto ai dispositivi precedenti, hanno un ritardo di accensione ottimizzato che consente di lavorare a frequenze più elevate e maggiore efficienza con carico basso, soprattutto nelle topologie risonanti.
Gli ingressi accettano tensioni di segnale da 3,3 V a 15 V, con isteresi e pull-down che facilitano il collegamento diretto a un dispositivo di controllo come un microcontrollore, DSP o sensori a effetto Hall. Un pin di spegnimento dedicato aiuta i progettisti a risparmiare energia del sistema e i due HEMT GaN sono accuratamente sincronizzati mediante un circuito di interblocco per prevenire condizioni di conduzione incrociata.
Gli HEMT MasterGaN1L hanno un RDS(ON) di 150 mΩ e corrente nominale di 10 A, per l’uso in applicazioni fino a 500 W. Con un consumo di soli 20 mW a vuoto e un’elevata efficienza di conversione, consentono ai progettisti di soddisfare i severi obiettivi di vari settore in termini di potenza in standby ed efficienza media. Gli HEMT MasterGaN4L sono destinati ad applicazioni fino a 200 W, con RDS(ON) di 225 mΩ e corrente nominale di 6,5 A.
Strumenti di sviluppo
Sono disponibili le schede di valutazione EVLMG1LPBRDR1 e EVLMG4LPWRBR1 per testare le prestazioni di ciascun dispositivo. Le schede contengono un modulo di potenza a mezzo ponte basato su GaN, ottimizzato per funzionare in un’applicazione LLC. Aiutano a creare rapidamente nuove topologie sfruttando i dispositivi MasterGaN1L e MasterGaN4L senza bisogno di una progettazione PCB completa.
Entrambi i dispositivi sono già in produzione in package GQFN da 9 mm x 9 mm x 1 mm, e vengono commercializzati al prezzo unitario di USD 4,40 per MasterGaN1L e USD 3,78 per MasterGaN4L.
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
