domenica, Ottobre 13, 2024
HomeAZIENDEQH8Mx5/SH8Mx5, i MOSFET duali di ROHM con una resistenza di conduzione bassissima

QH8Mx5/SH8Mx5, i MOSFET duali di ROHM con una resistenza di conduzione bassissima

Immagine: Rohm Semiconductor

ROHM ha annunciato QH8Mx5/SH8Mx5, la serie di MOSFET duali (a canale N e P) caratterizzata da tensioni massime compresa tra ±40 e ±60 volt. Questi dispositivi, che integrano un MOSFET a canale N e uno a canale P nello stesso package, sono ideali per controllare i motori delle ventole di raffreddamento nelle Base Station e in applicazioni industriali con tensione di alimentazione di 24V.

Immagine: Rohm Semiconductor

Negli ultimi anni la domanda di MOSFET è andata progressivamente aumentando, in quanto i prodotti per impiego generico di questo tipo sono in grado d funzionare con tensioni comprese tra 40 e 60 volt e sono quindi idonei a pilotare i motori a 24 volt utilizzati in moltissime apparecchiature industriali e nei sistemi di raffreddamento. Oltre a ciò, i MOSFET sono in grado di funzionare con frequenze di commutazioni più alte e presentano una resistenza di conduzione più bassa; ciò consente una maggiore efficienza energetica e rende possibile la miniaturizzazione dei sistemi.

In questo settore, ovvero nei MOSFET da 40V/60V, ROHM ha sempre proposto prodotti all’avanguardia; per i dispositivi di ultima generazione, la sesta per la precisione, ROHM ha utilizzato innovativi processi produttivi che ora vengono sfruttati anche nei nuovi prodotti duali che garantiscono una tensione massima pari a ±40 V/±60 V, perfettamente adeguata per i motori alimentati a 24 volt. L’azienda ha anche sviluppato la serie QH8Kxx/SH8Kxx (a canale N + N) da +40 V/+60 V per rispondere ad una gamma più ampia di esigenze (in totale 12 modelli fra MOSFET a canale N + P e canale N + N).

La serie QH8Mx5/SH8Mx5 ricorre ai più moderni processi proprietari per raggiungere, in prodotti MOSFET duali nella categoria da ±40 V, la resistenza di conduzione più bassa della categoria, inferiore del 61% nel caso dei MOSFET a canale P. Ciò contribuisce ad un sensibile calo dei consumi energetici in un gran numero di applicazioni. Inoltre, l’integrazione di due dispositivi in un unico package contribuisce alla miniaturizzazione delle applicazioni, riducendo l’area di montaggio e diminuendo il carico di lavoro che la selezione dei componenti implica (combinando il canale N e il canale P).

Immagine: Rohm Semiconductor

Prossimamente ROHM continuerà ad ampliare la sua linea includendo prodotti da 100 V e 150 V destinati ad apparecchiature industriali che richiedono tensioni maggiori, dando così un contributo a soddisfare i requisiti di mercato che prevedono un consumo di potenza inferiore e dimensioni minori per una grande varietà di applicazioni.

Linea di prodotti
MOSFET duali a canale N + P

MOSFET duali a canale N + N

Esempi applicativi

  • Motori per ventole in Base Station e apparecchiature industriali (automazione industriale, robo, ecc.t)
  • Motori per ventole in dispositivi consumer di largo impiego.