lunedì, Maggio 20, 2024
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Samsung avvia la produzione in volumi della DRAM DDR5 EUV a 14 nm

Immagine: Samsung Semiconductor

Il nuovo processo EUV a cinque strati di Samsung consente la più alta densità del settore, migliorando la produttività di circa il 20%.

Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie la DRAM a 14 nanometri (nm) più piccola del settore basata sfruttando la tecnologia dell’ultravioletto estremo (EUV). Dopo la spedizione da parte dell’azienda della prima DRAM EUV del settore nel marzo dello scorso anno, Samsung ha aumentato il numero di livelli EUV a cinque, per offrire il più raffinato ed avanzato processo DRAM per le sue soluzioni DDR5, ideali per gestire carichi di lavoro AI e 5G sempre più pesanti.

Abbiamo guidato il mercato delle DRAM per quasi tre decenni aprendo la strada a innovazioni tecnologiche chiave per il patterning“, ha affermato Jooyoung Lee, Senior Vice President e Head of DRAM Product & Technology presso Samsung Electronics. “Oggi Samsung sta ponendo un’altra pietra miliare nella tecnologica EUV multistrato che ha consentito una miniaturizzazione estrema del processo a 14 nm, un’impresa non possibile con l’illuminazione prodotta dal fluoruro di argon (ArF). Basandoci su questa tecnologia, continueremo a fornire soluzioni di memoria sempre più differenziate, affrontando la necessità di maggiori prestazioni e capacità richiesta dai sistemi 5G, AI e di realtà virtuale”.

Man mano che i nodi di processo si rimpiccioliscono, la tecnologia EUV diventa sempre più importante per migliorare la precisione del patterning e raggiungere prestazioni più elevate con maggiori rese. Applicando cinque strati EUV alla sua DRAM da 14 nm, Samsung ha raggiunto la più alta densità di bit, migliorando al contempo la produttività complessiva del wafer di circa il 20%. Inoltre, il processo a 14 nm può aiutare a ridurre il consumo energetico di quasi il 20% rispetto al nodo DRAM della generazione precedente.

Immagine: Samsung Semiconductor

Sfruttando l’ultimo standard DDR5, la DRAM a 14 nm di Samsung aiuterà a sbloccare velocità senza precedenti, fino a 7,2 gigabit al secondo (Gbps), più del doppio della velocità DDR4 (3,2 Gbps).

Immagine: Samsung Semiconductor

Samsung prevede di espandere il suo portafoglio DDR5 a 14 nm per supportare data center, supercomputer e applicazioni server aziendali. Inoltre, Samsung prevede di aumentare la densità del suo chip DRAM da 14 nm a 24 Gb per soddisfare meglio le richieste di dati in rapida crescita dei sistemi IT globali.