Dal Giappone all’India cresce il numero di fabbriche dedicate ai dispositivi in carburo di silicio (SiC), componenti chiave per migliorare l’autonomia e l’efficienza dei veicoli elettrici.
Non sono solo Europa, Stati Uniti e Cina a investire nel carburo di silicio: anche altri Paesi con una solida tradizione industriale stanno sviluppando filiere locali per la produzione di dispositivi SiC, tecnologia ritenuta essenziale per incrementare autonomia, efficienza e sostenibilità dei veicoli elettrici.
Gli esempi più recenti arrivano da Giappone e India, dove Mitsubishi Electric e SiCSem hanno compiuto passi decisivi nell’espansione della capacità produttiva di chip e wafer SiC.
Mitsubishi Electric completa la fabbrica di wafer SiC da 8 pollici
In Giappone, Mitsubishi Electric ha annunciato il completamento del nuovo stabilimento dedicato ai semiconduttori di potenza in carburo di silicio da 8 pollici, situato a Kikuchi, nella prefettura di Kumamoto. La cerimonia ufficiale di inaugurazione si è svolta il 1° ottobre 2025, segnando la fine dei lavori di costruzione.
L’impianto entrerà ora nella fase di preparazione con l’avvio della produzione pilota a novembre 2025, mentre la produzione di massa su larga scala è prevista per il 2027. Il nuovo sito rappresenta un pilastro della strategia di lungo periodo di Mitsubishi Electric, che punta a rafforzare la propria presenza nel mercato dei semiconduttori di potenza di nuova generazione.
Annunciato a marzo 2023 con un investimento iniziale di circa 100 miliardi di yen, il progetto mira a soddisfare la crescente domanda proveniente dal settore dei veicoli elettrici. La struttura, composta da sei piani e con una superficie di circa 42.000 metri quadrati, è focalizzata sulla lavorazione front-end dei wafer SiC e integra un sistema di produzione completamente automatizzato.
Nonostante il traguardo raggiunto, la società adotta una strategia di espansione flessibile e prudente. A causa della crescita più lenta del previsto del mercato EV, il presidente Kei Uruma ha annunciato che alcuni piani di potenziamento verranno posticipati all’anno fiscale 2031 e oltre. Le nuove installazioni saranno quindi calibrate in base all’andamento della domanda e alle condizioni del mercato globale, in un’ottica di equilibrio tra sviluppo e gestione del rischio.
Mitsubishi Electric punta ad aumentare la propria capacità produttiva di dispositivi SiC di cinque volte rispetto ai livelli del 2022 entro l’anno fiscale 2026, e a far sì che i prodotti SiC rappresentino oltre il 30% del business totale dei semiconduttori di potenza entro il 2030. L’obiettivo è completare la transizione dalle attuali linee di produzione da 6 pollici alle nuove da 8 pollici entro la fine del decennio.
SiCSem inaugura in India il primo impianto per chip SiC end-to-end
Anche l’India compie un passo strategico verso l’autonomia nel settore dei semiconduttori. Il 1° novembre 2025, nella regione di Odisha, la società SiCSem ha inaugurato il primo impianto nazionale per la produzione end-to-end di semiconduttori in carburo di silicio (SiC).
Il progetto, che prevede un investimento complessivo di circa 206,7 miliardi di rupie indiane, conferma la volontà di rafforzare le capacità produttive hi-tech del Paese. L’impianto punta a raggiungere una capacità annua di 60.000 wafer SiC, con la piena operatività attesa tra il 2027 e il 2028.
Per l’India, l’iniziativa di SiCSem ha un valore strategico di primo piano: ridurrà la dipendenza dalle filiere estere e favorirà l’autosufficienza tecnologica in settori cruciali come i veicoli elettrici e le energie rinnovabili. Il progetto segna così una tappa fondamentale nello sviluppo della filiera dei semiconduttori nell’Asia meridionale, consolidando il ruolo dell’India come nuovo protagonista nella produzione di dispositivi SiC.
