mercoledì, Aprile 24, 2024
HomeMERCATINews semiconduttori e mercati del 4 maggio 2021

News semiconduttori e mercati del 4 maggio 2021

AMERICA & GLOBAL

Sono bastate poche parole – martedì 4 maggio 2021 – del Segretario del Tesoro USA, Janet Yellen, per rompere i fragili equilibri delle quotazioni di borsa.

Janet Yellen ha semplicemente detto che prima o poi la Fed dovrà alzare i tassi d’interesse per evitare un surriscaldamento dell’economia, frase quasi ovvia, ma che in molti hanno interpretato come un imminente cambiamento di rotta della politica monetaria americana.

E naturalmente i titoli più sensibili ad un aumento dei tassi di interesse, quelli tecnologici, sono stati al centro di una ondata di vendite che ha portato il Nasdaq Composite a perdere quasi 2 punti percentuali.

Dagli Stati Uniti l’ondata di vendite ha raggiunto anche l’Europa dove lo STOXX Europe 600 ha perso l’1,50%.

Queste dichiarazioni hanno contribuito anche a rafforzare il dollaro che nei confronti dell’euro è tornato ad un tasso di cambio vicino a 1,20.

Dopo cali consistenti in giornata, gli indici recuperano nel finale tanto che il Dow Jones chiude con un guadagno dello 0,058% a quota 34.133 punti; l’S&P 500 perde lo 0,67% a quota 4.164 punti e il Nasdaq Composite lascia sul terreno l’1,88% a quota 13.633 punti.

Chiudono in forte calo di tecnologici, con Apple che perde il 3,54% a 127,85 dollari e Amazon che arretra del 2,20% a quota 3.311,87 dollari.

Perdono anche Alphabet (-1,55%), Microsoft (-1,62%), Tesla (-1,65%), Netflix (-1,31%) e Twitter (-0,33%).

Le perdite colpiscono anche l’industria dei semiconduttori il cui indice, il PHLX Semiconductor (SOX) arretra dell’1,60% a quota 3.024 punti, in calo per il terzo giorno consecutivo.

Il peggiore titolo del paniere è IPG Photonics che perde il 10,44%; ieri la società ha diffuso una ottima trimestrale con un outlook altrettanto buono ma ha anche annunciato il passaggio di consegne nel ruolo di CEO da Valentin Gapontsev, fondatore della società, a Eugene A. Scherbakov.

Martedì perdono molto anche Brooks Automation (-5,56%), Monolithic Power Systems (-3,89%) e ASML       (-3,89%).

Tutti in calo anche i big del listino da NVIDIA (-3,27%) a Qualcomm (-2,41%), da Applied Materials (-3,11%) a Micron (-0,72%), da Intel (-0,63%) a TSMC (-0,50%).

In controtendenza, anche se con guadagni modesti, AMD (+0,08%, Texas Instruments (+0,13%), Analog Devices (+0,39%) e Marvell (+0,41%).
 

ASIA

Contrastate, nella notte, le borse asiatiche con Tokyo ancora chiusa per festività.

In Cina perdono sia l’indice Shanghai Composite (-0,81%) che lo   Shenzhen Composite (-0,29%).

Chiude, invece, con un guadagno dello 0,70% l’indice Hang Seng di Hong Kong con i tecnologici poco mossi a parte la foundry cinese SMIC che guadagna il 2,02%.

Sale anche la borsa coreana con il KOSPI che guadagna lo 0,64% e con tutte le aziende dei semiconduttori che chiudono in terreno positivo.

Altra giornata negativa per l’indice Taiex della borsa di Taipei che perde l’1,68% dopo il forte calo di lunedì. Pesano i timori che, prima o poi, le continue minacce della Cina si trasformino in un conflitto armato con conseguenze devastanti per l’economia mondiale, oltre che per l’industria locale. Da segnalare la debolezza di MediaTek che perde l’1,81%.

 

Per quanto riguarda i nuovi prodotti, ROHM annuncia la serie GMR320 di resistori di shunt caratterizzati da una potenza nominale pari a 10 W. La serie GMR320 fa parte della serie GMR a basso valore ohmico e ad alta potenza di ROHM, di cui è il prodotto con la potenza nominale più elevata, studiato per applicazioni ad alta potenza nel settore automotive, nelle apparecchiature industriali e negli elettrodomestici.

Immagine: ROHM Co.

In ambito automotive e industriale gli ultimi anni sono stati caratterizzati da una sempre maggior richiesta di diminuzione del consumo di potenza in applicazioni a potenza più elevata. Ciò a sua volta ha fatto nascere l’esigenza di resistori di shunt in grado di supportare un’alta potenza e di garantire un rilevamento di corrente di alta precisione al fine di raggiungere un funzionamento molto efficiente in un’ampia gamma di applicazioni. I resistori di shunt delle serie GMR e PSR di ROHM forniscono una protezione da sovracorrente estremamente precisa, anche ad alte temperature, caratteristica che rende questi prodotti ideali per applicazioni ad alta potenza nei settori automotive, industriale e consumer.

La serie GMR320 di recente sviluppo è disponibile con un range di valori di resistenza che va da 5 milliOhm a 100 milliOhm con una potenza nominale di 10 W, aspetti che la rendono perfetta per le ECU dei motori e i fanali anteriori usati nel settore automotive, nonché per motori e alimentatori destinati ad apparecchiature industriali ed elettrodomestici. Una struttura unica nel suo genere e materiali ottimizzati, consentono alla serie GMR320 di ridurre l’aumento della temperatura superficiale del 23% rispetto ai prodotti standard, garantendo un’elevata resistenza al carico da sovracorrente – a dispetto delle sue dimensioni, le più piccole fra i resistori da 10 W presenti sul mercato. Oltre a ciò, una lega metallica ad alte prestazioni per il materiale resistivo fornisce un basso Coefficiente di temperatura della resistenza (TCR), che permette un rilevamento affidabile ed estremamente preciso della corrente anche per valori di ohmici bassi.

D’altro canto, per la serie PSR ampiamente impiegata come resistore di shunt ad alta potenza, la potenza nominale massima è stata incrementata fino a 15 W ed è stato migliorato anche il valore del TCR applicando il metodo del derating di temperatura del terminale. Sono disponibili valori di resistenza ultra-bassi compresi fra 0,1 mΩ e 3,0 mOhm, inoltre vengono offerte una potenza nominale più elevata e una precisione estrema nel rilevamento della corrente in un package compatto, contribuendo così a una maggiore miniaturizzazione nelle applicazioni automotive e industriali, proprio come per la serie GMR.

Inoltre, da ottobre 2021, sul sito web di ROHM saranno disponibili modelli di simulazione termica per i resistori di shunt, che consentiranno l’esecuzione di simulazioni prima della progettazione dei prodotti effettivi, perfino in applicazioni ad alta potenza nelle quali il design termico è particolarmente impegnativo, riducendo considerevolmente le ore di lavoro necessarie per la progettazione.

EUROPA  

Chiudono in forte ribasso le borse europee sulla scia di Wall Street. Particolarmente pesante la borsa di Francoforte che perde il 2,49%.

L’indice STOXX Europe 600, che comprende le 600 più importanti aziende europee, perde l’1,50%.

A Milano l’FTSE MIB arretra dell’1,81% a quota 23.977 punti.

L’ondata di vendite ha colpito anche il settore dei semiconduttori. Arretra del 5,90%, a quota 31,73 euro, Infineon Technologies, che ieri ha diffuso una buona trimestrale con un outlook positivo per il secondo trimestre. Evidentemente, anche in questo caso, i mercati avevano già scontato i buoni risultati e magari si aspettavano qualcosina di più.

Le vendite generalizzate colpiscono anche STMicroelectronics, in calo del 2,10% a quota 30,06 euro.

Perdono anche ASML (-4,60%) e NXP Semiconductors (-2,2°%). In controtendenza ams (+1,13%).

 

Per quanto riguarda i nuovi prodotti, Infineon Technologies annuncia di aver aggiunto la nuova famiglia CoolGaN IPS di prodotti IPS (Integrated Power Stage) al suo ampio portafoglio di dispositivi WBG di alimentazione.

Immagine: Infineon Technologies

L’attuale portafoglio IPS è costituito da prodotti half-bridge e single-channel, destinati ad applicazioni di potenza medio-bassa, compresi caricabatterie e  adattatori e alimentatori switching (SMPS).

Il semiponte IPS IGI60F1414A1L CoolGaN da 600 V è ideale per progetti compatti e leggeri nella gamma di potenza medio-bassa. Disponibile in un package QFN-28 8×8 ottimizzato termicamente, consente sistemi con densità di potenza molto elevata. Il prodotto combina due interruttori HEMT CoolGaN e-mode da 140 milliOhm / 600 V con gate driver dedicati high-side e low-side isolati galvanicamente della famiglia EiceDRIVER.

L’IGI60F1414A1L può essere controllato facilmente grazie al gate driver isolato con due ingressi PWM digitali. La funzione di isolamento integrata, la netta separazione tra massa digitale e di alimentazione e la ridotta complessità del layout PCB sono fondamentali per ottenere tempi di sviluppo più brevi, una BOM ridotta e un costo totale inferiore. L’isolamento da ingresso a uscita del gate driver si basa sulla collaudata tecnologia on-chip coreless transformer (CT) di Infineon. Ciò garantisce alta velocità e ottima robustezza anche per transitori di commutazione estremamente veloci con pendenze superiori a 150 V / ns.

Il comportamento in commutazione del dispositivo IGI60F1414A1L può essere facilmente adattato alle esigenze di diverse applicazioni mediante alcuni componenti passivi. Ciò consente, ad esempio, l’ottimizzazione dello slew rate per ridurre le interferenze elettromagnetiche (EMI), l’impostazione della corrente di gate in modalità steady-state e l’azionamento negativo per un funzionamento robusto in applicazioni difficili.

Inoltre, grazie all’integrazione system-in-package e al preciso e stabile ritardo di propagazione dei gate driver, l’IGI60F1414A1L garantisce i più bassi dead-times possibili. Ciò aiuta a massimizzare l’efficienza del sistema, portando ad un livello superiore di densità, fino a 35 W/in³, le soluzioni per caricabatterie e adattatori. Un design veloce e flessibile è applicabile anche ad altre soluzioni, tra cui la topologia risonante LLC e gli azionamenti per motori.

L’IGI60F1414A1L è già in produzione con un package QFN-28 8×8 termicamente avanzato.
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.