lunedì, Novembre 28, 2022
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Micron Technology presenta la tecnologia DRAM più avanzata al mondo basata sul nodo di processo 1-beta

L’innovativa tecnologia di processo è alla base di LPDDR5X, in fase di campionamento presso i partner dell’ecosistema mobile.

Micron Technology ha annunciato oggi che sta inviando i primi campioni delle memorie DRAM realizzate con la tecnologia di processo 1β (1-beta) ai produttori di smartphone e alle società partner per la valutazione delle performance, prima dell’inizio della produzione in volumi.

Una tecnologia a bassa potenza in grado di offrire una velocità massima di 8,5 gigabit al secondo. Il nodo offre vantaggi significativi in ​​termini di prestazioni, densità di bit ed efficienza energetica. Oltre che ai dispositivi mobili, la tecnologia DRAM 1β offre bassa latenza, bassa potenza e prestazioni elevate in grado di supportare applicazioni e servizi in tempo reale, personalizzazione e contestualizzazione delle esperienze, in numerose altre applicazioni, dai veicoli intelligenti ai data center.

Il nodo di processo DRAM 1β, il più avanzato al mondo, conferma la leadership di mercato dell’azienda, consolidata con la produzione di massa di prodotti con nodo di processo 1α (1-alpha) nel 2021. Il nuovo nodo offre un miglioramento dell’efficienza energetica di circa il 15%, una densità di bit superiore al 35% con una capacità di 16 Gb per die.

Il lancio della nostra DRAM 1-beta segna un altro balzo in avanti nell’innovazione dei processi di memoria, basato sui processi litografici proprietari ad immersione multi-pattering, in combinazione con tecnologia di processo all’avanguardia e capacità nei materiali avanzati“, ha affermato Scott DeBoer, executive vice president of technology and products presso Micron “Fornendo la tecnologia DRAM più avanzata al mondo con più bit per wafer di memoria che mai, il nuovo nodo getta le basi per inaugurare una generazione di tecnologie ricche di dati, intelligenti ed efficienti dal punto di vista energetico, dall’edge al cloud“.

Questa annuncio segue quello da parte di Micron della prima NAND a 232 strati al mondo a luglio, progettata per offrire prestazioni e densità di area per lo storage senza precedenti.

Con il campionamento di LPDDR5X, l’ecosistema mobile sarà il primo a raccogliere i vantaggi della tecnologia 1β DRAM, in grado di sbloccare ulteriori innovazioni nel mobile, abilitando esperienze avanzate con ridotto consumo di energia.

Con la velocità e la densità di 1β DRAM, i casi d’uso a larghezza di banda elevata saranno ancora più reattivi e fluidi durante i download e l’uso simultaneo di applicazioni 5G e di intelligenza artificiale (AI) affamate di dati. Inoltre, LPDDR5X basato su 1β non solo migliorerà l’avvio della fotocamera dello smartphone, la modalità notturna e la modalità ritratto con velocità e chiarezza, ma consentirà la registrazione video 8K ad alta risoluzione senza soluzione di continuità e un intuitivo editing video.

Il basso consumo energetico per bit della tecnologia di processo 1β offre la tecnologia di memoria più efficiente dal punto di vista energetico nel campo degli smartphone. Ciò consentirà ai produttori di progettare dispositivi con una maggiore durata della batteria, fondamentale per supportare app ad alta intensità di dati.

Il risparmio energetico è reso possibile anche dall’implementazione delle nuove tecniche potenziate eDVFSC. L’aggiunta di eDVFSC a un livello di frequenza raddoppiato fino a 3.200 megabit al secondo fornisce controlli di risparmio energetico migliorati per consentire un uso più efficiente dell’energia.

Micron sfida le leggi della fisica con processi di nanomanufacturing e litografia avanzata.

Il primo nodo 1β di Micron consente una maggiore capacità di memoria con un ingombro ridotto e con un minor costo per bit.

Il ridimensionamento della DRAM è stato in gran parte definito dalla capacità di fornire una memoria maggiore e più veloce per millimetro quadrato di area di silicio, con miliardi di celle di memoria su un chip delle dimensioni di un’unghia e con i processi produttivi che ormai sono arrivati a sfidare le leggi della fisica.

Mentre molte altre aziende hanno iniziato ad utilizzare le tecnologie EUV per affrontare questa sfida, Micron ha sfruttato la sua capacità produttiva nel nanomanufacturing e nella litografia ad immersione nonché nell’esposizione multi-patterning.

Per raggiungere la leadership nei nodi 1β e 1α, Micron ha anche sfruttato la sua eccellenza nella produzione, nelle capacità ingegneristiche e nella ricerca e sviluppo.

Tutto ciò ha consentito a Micron di raggiungere la leadership nel nodo di processo 1α un anno prima della concorrenza, consentendo all’azienda di primeggiare sia nella produzione di DRAM che in quella delle NAND. Nel corso degli anni, Micron ha investito ingenti risorse per trasformare i suoi stabilimenti in strutture all’avanguardia, altamente automatizzate, sostenibili e basate sull’intelligenza artificiale, compreso lo stabilimento di Micron di Hiroshima, in Giappone, che produrrà in serie DRAM con nodo di processo 1β.

La tecnologia 1-beta getta le basi per un mondo ancora più interconnesso e sostenibile

Mentre i casi d’uso che consumano energia come le comunicazioni machine-to-machine, l’intelligenza artificiale e l’apprendimento automatico si diffondono a macchia d’olio, le tecnologie a basso consumo energetico sono un’esigenza sempre più critica per le aziende, in particolare per quelle che cercano di raggiungere solidi obiettivi di sostenibilità riducendo nel contempo le spese operative. I ricercatori hanno scoperto che l’addestramento di un singolo modello di intelligenza artificiale può emettere cinque volte le emissioni di carbonio di un’automobile, compresa la sua produzione. Recenti studi prevedono che le tecnologie dell’informazione e della comunicazione utilizzeranno presto il 20% dell’elettricità prodotta a livello mondiale entro il 2030.

Il nodo 1β DRAM di Micron fornisce una base versatile per potenziare i progressi di un mondo sempre più connesso che necessita di memoria veloce, onnipresente ed efficiente dal punto di vista energetico, per alimentare la digitalizzazione e l’automazione. La memoria ad alta densità e basso consumo prodotta su nodo 1β consente un flusso di dati più efficiente dal punto di vista energetico tra prodotti, sistemi e applicazioni intelligenti e assetati di dati, e una maggiore intelligenza dall’edge al cloud. Nel corso del prossimo anno, l’azienda inizierà a incrementare il resto del suo portafoglio su 1β nei segmenti embedded, data center, client, consumer, industriale e automobilistico, nelle memorie grafiche e ad elevata larghezza di banda.



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