Integrati nello stadio IBC, i MOSFET OptiMOS 6 stabiliscono un nuovo punto di riferimento nell’efficienza della conversione di potenza DC-DC nelle piattaforme AI.
Con l’aumento della potenza delle unità di elaborazione grafica (GPU), aumentano anche i requisiti di alimentazione a livello di scheda. I convertitori di bus intermedi (IBC), che convertono ad esempio una tensione di ingresso di 48 V in una tensione di bus inferiore, stanno diventando sempre più importanti per l’efficienza energetica, la densità di potenza e le prestazioni termiche nei data center dedicati all’intelligenza artificiale.
Infineon Technologies ha annunciato oggi che i suoi MOSFET di potenza OptiMOS 6 da 80 V in un package compatto 5×6 mm² con raffreddamento a doppio lato (DSC) sono stati integrati nello stadio IBC di una piattaforma server AI di un produttore leader di processori. I test applicativi mostrano un aumento dell’efficienza di circa lo 0,4% rispetto alle soluzioni utilizzate in precedenza, corrispondente a un risparmio di circa 4,3 W per kW di carico. A livello di sistema, ciò si traduce in un significativo risparmio energetico se scalato su rack di server o interi data center.
Ad esempio, estendere questa soluzione a un ipotetico data center iperscalabile con 2.000 rack, si tradurrebbe in un risparmio energetico di oltre 1,2 MWh ogni ora, l’equivalente dell’energia necessaria per ricaricare 25 piccoli veicoli elettrici. Le implicazioni di questo sviluppo sono sostanziali, con risparmi sui costi e una riduzione dell’impatto ambientale per gli operatori dei data center.
Con la continua crescita della domanda di elaborazione per l’intelligenza artificiale, aumenterà anche la necessità di soluzioni efficienti per la gestione dell’alimentazione. OptiMOS 6 80V di Infineon è ben posizionato per soddisfare la crescente domanda di efficienza energetica, offrendo una soluzione ad alte prestazioni per gli IBC dei server IA.
Il MOSFET OptiMOS 6 80V di Infineon nel package DSC 5×6 mm² offre prestazioni di commutazione ottimizzate nelle topologie di commutazione hard e un’elevata efficienza energetica grazie alle minori perdite di conduzione. Inoltre, il package compatto consente il raffreddamento su entrambi i lati, contribuendo a una migliore gestione termica e a una maggiore densità di potenza, entrambi cruciali negli ambienti server AI con spazio limitato.
OptiMOS 6 80V fa parte dell’ampio portfolio di MOSFET di potenza al silicio di Infineon, progettato per soddisfare le crescenti esigenze di prestazioni, efficienza e integrazione nelle applicazioni server di intelligenza artificiale. Il portfolio sfrutta la più recente tecnologia MOSFET e offre diverse varianti specifiche per ogni applicazione, ottimizzate per diversi concetti di raffreddamento e requisiti di sistema. I MOSFET di potenza al silicio di Infineon soddisfano i più elevati standard di qualità e protezione, garantendo un’affidabilità del prodotto superiore, un tempo di attività del sistema costante e una comprovata stabilità dell’alimentazione.
In qualità di leader nei sistemi di alimentazione, Infineon padroneggia tutti e tre i materiali semiconduttori più importanti, con un ampio portafoglio in silicio (Si), oltre a carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN).
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Infineon a PCIM Europe 2025
I MOSFET della serie OptiMOS 6 fanno parte della vasta gamma di prodotti e demo in mostra presso lo stand Infineon (Pad. 7 Stand 470) della manifestazione PCIM Europe 2025 in programma a Norimberga, Germania, dal 6 all’8 maggio. I rappresentanti dell’azienda terranno diverse presentazioni sui palchi di PCIM Expo e della PCIM Conference, seguite da dibattiti con i relatori. Ulteriori informazioni sulla partecipazione di Infineon a PCIM sono disponibili al seguente link: www.infineon.com/pcim.
