Il traguardo raggiunto dalla multinazionale tedesca – che sta realizzando un sito produttivo a Orbassano, in Piemonte – conferma la crescente domanda di mercato per la sua tecnologia batch epitassiale G10-SiC.
AIXTRON, fornitore leader di sistemi di deposizione per l’industria dei semiconduttori, ha annunciato la consegna del suo 100° sistema G10 SiC. L’ultimo esemplare è stato spedito a un produttore europeo di dispositivi e sistemi di potenza e contribuirà all’espansione della capacità produttiva di epitassia in carburo di silicio (SiC) da 200 mm.
Il traguardo conferma l’adozione globale della tecnologia SiC Planetary Reactor di AIXTRON, in grado di realizzare strati epitassiali uniformi e di alta qualità, fondamentali per i semiconduttori di potenza ad alta efficienza. A soli tre anni dal debutto, il sistema G10 è operativo nei principali stabilimenti mondiali dedicati al SiC, sia presso i produttori di dispositivi che nei centri di servizi epitassiali.
Le dichiarazioni
“La consegna del 100° sistema G10 SiC rappresenta un traguardo significativo per AIXTRON e per i nostri clienti”, ha dichiarato Frank Wischmeyer, vicepresidente del settore Carburo di Silicio. “È la dimostrazione della fiducia del mercato nella nostra tecnologia e del nostro ruolo di leader nell’elettronica di potenza, settore cruciale per la continua elettrificazione della società”.
Il ruolo del carburo di silicio
Il SiC è un semiconduttore a bandgap largo che sta rivoluzionando la conversione di potenza in diversi ambiti. Le sue caratteristiche di efficienza e affidabilità lo rendono sempre più diffuso nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili e negli alimentatori industriali. L’adozione sta crescendo anche in applicazioni compatte e ad alte prestazioni, come gli alimentatori da oltre 12 kW per i data center basati su intelligenza artificiale.
Il sistema G10 di AIXTRON, grazie alla configurazione multi-wafer da 6×200 mm, combina produttività elevata e qualità epitassiale ottimale. La tecnologia Multi-Ject assicura uniformità dello strato su un’ampia gamma di dispositivi, mentre la compatibilità con i wafer da 150 mm garantisce flessibilità nella transizione del settore verso i 200 mm.
L’espansione in Italia
Nel quadro della propria strategia globale, AIXTRON ha annunciato l’acquisto di un ex sito industriale a Orbassano (Torino), dove realizzerà un nuovo polo produttivo con un investimento fino a 100 milioni di euro e oltre 200 nuove assunzioni.
La prima fase prevede uno stanziamento di 15 milioni di euro, destinati alla riqualificazione del sito, con una crescita progressiva fino all’investimento complessivo. Durante i lavori saranno coinvolti anche centinaia di addetti indiretti.
Il distretto piemontese dei semiconduttori
Il Piemonte, e in particolare l’area torinese, ospita un ecosistema consolidato di imprese che operano nella fabbricazione e nel collaudo di semiconduttori.
Tra i principali attori figurano SPEA di Volpiano, con circa 1.000 dipendenti e un fatturato vicino ai 200 milioni di euro; Seica di Strambino, con 300 addetti; e OSAI AS di Parella, che conta 250 dipendenti e oltre 20 milioni di fatturato nel comparto. A Ciriè opera CREA, acquisita nel 2022 dalla giapponese Advantest.
Sul fronte produttivo, a Borgaro Torinese ha sede Vishay Italia, che impiega circa 250 persone nella produzione di diodi e moduli di potenza, con una forte vocazione alla ricerca. A Novara è invece attiva MEMC Electronic Materials S.p.A., controllata da GlobalWafers, terzo produttore mondiale di wafer di silicio. La sede novarese ospita l’unica fabbrica italiana del settore e sta completando un nuovo impianto da 10.000 metri quadrati per wafer da 300 mm, con un investimento complessivo di 300 milioni di euro, sostenuto in parte da fondi pubblici italiani.
Elemento cardine dell’ecosistema è il Politecnico di Torino, che collabora con le aziende del territorio su progetti di ricerca avanzata. A completare il quadro, centri come il nuovo Motor Drive Center of Excellence di EPC, dedicato allo sviluppo di soluzioni GaN per l’azionamento dei motori.
