Nexperia è l’unico fornitore del settore ad offrire FET GaN sia cascode che e-mode.
Nexperia ha rilasciato oggi i suoi primi Power GaN FET in configurazione e-mode (enhancement mode) per applicazioni a bassa (100/150 V) e alta tensione (650 V). Nexperia aumenta così la sua offerta cascode con sette nuovi dispositivi e-mode e offre ai progettisti la scelta ottimale di FET GaN da un unico fornitore, insieme al suo ampio portafoglio di componenti elettronici di potenza basati su silicio.
Il nuovo portafoglio di Nexperia comprende cinque FET GaN e-mode con valore nominale di 650 V e valori RDS(on) compresi tra 80 mΩ e 190 mΩ, in una scelta di package DFN 5×6 mm e DFN 8×8 mm. Migliorano l’efficienza di conversione dell’energia in applicazioni datacom/telecomunicazioni ad alta tensione e bassa potenza (<650 V), dai dispositivi consumer di ricarica alle applicazioni industriali e solari. Possono anche essere utilizzati per progettare controlli per motori DC brushless e azionamenti per micro server, garantendo sempre una coppia più elevata e maggiore potenza.
Nexperia offre ora anche un FET GaN da 100 V (3,2 mΩ) in un contenitore WLCSP8 e un dispositivo da 150 V (7 mΩ) in un contenitore FCLGA. Questi dispositivi sono adatti per varie applicazioni a bassa tensione (<150 V) e ad alta potenza per fornire, ad esempio, convertitori DC-DC più efficienti nei data center, ricarica più rapida (mobilità elettrica e USB-C), ricetrasmettitori LiDAR più piccoli, amplificatori audio di classe D a basso rumore e dispositivi di consumo ad alta densità di potenza come telefoni cellulari, laptop e console di gioco.
I FET GaN offrono la massima efficienza energetica con le dimensioni della soluzione più compatte in molte applicazioni di conversione di potenza, caratteristiche che riducono sostanzialmente la distinta base (BOM). I dispositivi GaN stanno dunque entrando sempre più nei principali mercati dell’elettronica di potenza, inclusi i server, l’automazione industriale, i prodotti consumer e le infrastrutture di telecomunicazione. I dispositivi basati su GaN offrono la capacità di transizione/commutazione più elevata (dv/dt e di/dt più ripidi) nonché un’efficienza superiore nelle applicazioni di conversione a bassa e alta potenza. Le eccezionali prestazioni di commutazione dei FET GaN e-mode di Nexperia sono attribuibili a valori Qg e QOSS molto bassi, mentre il loro ridottio RDS(on) consente progetti più efficienti dal punto di vista energetico.
Con i nuovi arrivi, Nexperia fornisce ora un’ampia offerta di prodotti GaN FET per soddisfare l’ampia gamma di applicazioni di potenza più adatte a questa tecnologia, inclusi dispositivi cascode per applicazioni ad alta tensione e alta potenza, dispositivi e-mode da 650 V per alta tensione, applicazioni a bassa potenza e dispositivi e-mode da 100/150 V per applicazioni a bassa tensione e alta potenza. In più, i FET GaN e-mode di Nexperia sono fabbricati su una linea di wafer da 8 pollici per una maggiore capacità e qualificati per applicazioni industriali secondo lo standard JEDEC. L’espansione dell’offerta di dispositivi GaN è una testimonianza dell’impegno di Nexperia nei confronti di silicio di qualità e tecnologie a banda larga.
Ulteriori informazioni sui nuovi FET GaN e-mode da 100 V, 150 V e 650 V di Nexperia sono disponibili al seguente link.
