venerdì, Maggio 3, 2024
HomeAZIENDEROHM propone 5 nuovi modelli di MOSFET duali da 100 V con...

ROHM propone 5 nuovi modelli di MOSFET duali da 100 V con bassa resistenza di ON

5 nuovi MOSFET duali ROHM

Consentono di ridurre il consumo e le dimensioni delle ventole utilizzate nelle base-station e nei dispositivi industriali grazie ai minuscoli package di 5,0 mm × 6,0 mm e 3,3 mm × 3,3 mm. 

ROHM ha sviluppato MOSFET duali che integrano in un unico package due chip da 100 V – l’ideale per il pilotaggio dei motori delle ventole delle base station e delle apparecchiature industriali. Alle serie HP8KEx/HT8KEx (un canale N + un canale N) e HP8MEx (un canale N + un canale P) sono stati aggiunti cinque nuovi modelli.
Negli ultimi anni si è assistito a una transizione a tensioni più elevate, partendo dai convenzionali sistemi a 12 V/24 V per arrivare a sistemi a 48 V nelle base station e nelle apparecchiature industriali, con l’intento di ottenere una maggiore efficienza riducendo i valori della corrente. In questi contesti i MOSFET di commutazione richiedono una tensione di tenuta di 100 V per tenere conto delle fluttuazioni della tensione, dato che per raffreddare queste applicazioni nei motori delle ventole si usano anche alimentatori da 48 V.

Tuttavia, l’aumento della tensione aumenta la resistenza RDSON portando a una diminuzione dell’efficienza, rendendo difficile ottenere sia una RDSON inferiore che una tensione più elevata. Inoltre, a differenza dei MOSFET singoli utilizzati in più unità nei sistemi di controllo dei ventilatori, i MOSFET doppi che integrano due chip in un singolo package vengono sempre più adottati per risparmiare spazio.
In risposta a tali esigenze, ROHM ha sviluppato due nuove serie – la HP8KEx/HT8KEx (a canale N + N) e la HP8MEx (a canale N + P), che abbinano MOSFET a canale N e a canale P utilizzando processi di ultima generazione. Entrambe le serie presentano valori di RDSON tra i più bassi del settore grazie a contenitori a dissipatore posteriore che presentano eccellenti caratteristiche di dissipazione termica. Di conseguenza il valore di RDSON subisce una riduzione dell’ordine del 56% (max) rispetto ai MOSFET duali standard (19,6 mΩ per il modello HSOP8 e 57,0 mΩ per il modello HSMT8 a canale N + N), contribuendo così a diminuire sensibilmente il consumo di potenza. Al tempo stesso l’abbinamento di due chip in un unico package determina un maggior risparmio di spazio, riducendo considerevolmente l’ingombro. Ad esempio, sostituendo il MOSFET TO-252 su un singolo chip con un modello HSOP8, l’ingombro diminuisce del 77%.

In seguito, ROHM continuerà ad estendere la sua line-up di MOSFET duali con tensione di tenuta ideale per le apparecchiature industriali, sviluppando anche varianti a bassa rumorosità. Il contributo alla soluzione di questioni sociali come la tutela dell’ambiente grazie al risparmio di spazio e alla riduzione dei consumi di potenza in varie applicazioni rappresenta una delle attese legate a questo prodotto.


Line-up di prodotti
MOSFET duali a canale N + a canale N
MOSFET duali a canale N + a canale P
Alla line-up saranno aggiunti prodotti da 40 V, 60 V, 80 V e 150 V

Esempi applicativi
– Motori di ventole per base station
– Motori di ventole per automazione industriale e altre apparecchiature industriali
– Motori di ventole per i server dei centri di elaborazione dati, ecc.


Abbinamento con un circuito integrato di pre-driver per ottenere la soluzione ottimale di pilotaggio dei motori
L’abbinamento di questi prodotti ai circuiti integrati di pre-driver di ROHM per motori brushless monofase/trifase permette di prendere in considerazione perfino motori più piccoli con caratteristiche di consumo inferiori e di pilotaggio più silenzioso. Fornendo supporto totale al design del circuito periferico che coniuga la serie di MOSFET duali con i circuiti integrati di pre-driver, ROHM è in grado di offrire le migliori soluzioni di pilotaggio dei motori in relazione alle esigenze dei clienti.

Esempi di soluzione con i MOSFET duali da 100 V
– HT8KE5 (MOSFET duali a canale N + N) + BM64070MUV (circuito integrato di pre-driver per motori brushless trifase)
– HT8KE6 (MOSFET duali a canale N + N) + BM64300MUV (circuito integrato di pre-driver per motori brushless trifase) e altri modelli

I prodotti saranno disponibili presso i rivenditori online FarnellDigiKey e Mouser nonché anche presso altri distributori online.

Dal sito web di ROHM è possibile scaricare le specifiche dei  MOSFET a bassa/media/alta tensione, compresi i nuovi prodotti: https://www.rohm.com/new-product/middle-power