Nexperia presenta i MOSFET SiC da 1200V qualificati per le applicazioni automobilistiche

I MOSFET SiC da 1200 V qualificati AEC-Q101 nel packaging D2PAK-7 combinano un’eccellente stabilità termica e un facile assemblaggio.

Nexperia ha introdotto una nuova gamma di MOSFET SiC altamente efficienti e robusti, qualificati per il settore automotive, con valori RDS_(ON) di 30, 40 e 60 mΩ. I dispositivi – NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q e NSF060120D7A0-Q – offrono le migliori figure di merito (FoM) della categoria ed erano precedentemente disponibili solo in versioni di livello industriale.

Ora, certificati secondo lo standard automotive AEC-Q101, questi componenti sono ideali per applicazioni come caricabatterie di bordo (OBC), inverter di trazione per veicoli elettrici (EV), convertitori DC-DC e sistemi di riscaldamento, ventilazione e condizionamento dell’aria (HVAC). Alloggiati nel package D2PAK-7 a montaggio superficiale, sempre più apprezzato, questi MOSFET offrono numerosi vantaggi rispetto ai tradizionali dispositivi through-hole, migliorando la compatibilità con i processi di montaggio automatizzati.

Il parametro RDS_(ON) è un indicatore chiave delle prestazioni dei MOSFET SiC, che influenza direttamente le perdite di conduzione. Tuttavia, concentrarsi esclusivamente sul valore nominale trascura il significativo aumento, spesso superiore al 100%, che può verificarsi all’aumentare della temperatura di esercizio, influendo drasticamente sull’efficienza di conduzione. La stabilità della temperatura diventa ancora più cruciale quando si utilizza il packaging per dispositivi a montaggio superficiale (SMD), rispetto alla tecnologia through-hole, poiché gli SMD si affidano al PCB per la dissipazione termica.

Consapevole di questa sfida critica, Nexperia ha sfruttato i punti di forza della sua avanzata tecnologia di processo per sviluppare MOSFET SiC con un’eccezionale stabilità in temperatura. Nello specifico, i nuovi dispositivi presentano un aumento di RDS_(ON) di appena il 38% in un ampio intervallo di temperature operative, da 25 °C a 175 °C. Questa superiore stabilità consente ai progettisti di ottenere livelli di potenza in uscita più elevati utilizzando i valori nominali di RDS_(ON) di Nexperia, più elevati, a 25 °C, rispetto ai prodotti della concorrenza, senza compromettere le prestazioni.

Guardando al futuro, Nexperia prevede di ampliare il suo portafoglio di MOSFET SiC qualificati per il settore automobilistico nel 2025 con il lancio di varianti RDS_(ON) da 17 mΩ e 80 mΩ, ampliando ulteriormente la sua offerta per le applicazioni di potenza per il settore automobilistico di prossima generazione.