mercoledì, Aprile 24, 2024
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Nexperia amplia la sua gamma di MOSFET con nuovi ASFET PoE salvaspazio e MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC

ASFET PoE e MOSFET NextPowerS3 da Nexperia

In occasione di APEC2024, Nexperia rilascia numerosi nuovi MOSFET che ampliano la sua gamma di soluzioni di commutazione discreta da utilizzare in varie applicazioni in più mercati finali.

Nexperia ha annunciato oggi il rilascio di numerosi nuovi MOSFET specifici per l’applicazione (ASFET) da 100 V per PoE, eFuse e sostituzione relè in un packaging DFN2020 più piccolo del 60% nonché MOSFET NextPowerS3 da 40 V con prestazioni di compatibilità elettromagnetica (EMC) migliorate.

Gli switch PoE in genere hanno fino a 48 porte, ciascuna delle quali richiede 2 MOSFET per la protezione. Con un massimo di 96 MOSFET su un singolo PCB, qualsiasi riduzione dell’ingombro del dispositivo risulta interessante. Per questo motivo, Nexperia ha rilasciato ASFET PoE da 100 V nel package DFN2020 da 2 mm x 2 mm che occupa il 60% di spazio in meno rispetto alle versioni precedenti LFPAK33. Una funzione fondamentale di questi dispositivi è quella di proteggere le porte PoE limitando le correnti di spunto e gestendo in sicurezza le condizioni di guasto.
Per gestire questo scenario, Nexperia ha migliorato l’area operativa sicura (SOA) di questi dispositivi fino a 3 volte con solo un aumento minimo di RDS(ON). Questi ASFET sono adatti anche per la gestione della batteria, hotspot Wi-Fi, picocell 5G e applicazioni CCTV e possono servire, ad esempio, come sostituti dei relè meccanici nei termostati intelligenti.

Le superiori prestazioni EMC dei MOSFET NextPowerS3

I problemi legati alla compatibilità elettromagnetica causati dalla commutazione dei MOSFET di solito emergono solo in una fase avanzata del ciclo di vita dello sviluppo del prodotto e la loro risoluzione può comportare ulteriori costi di ricerca e sviluppo e ritardare il rilascio sul mercato. Le soluzioni tipiche includono l’utilizzo di MOSFET significativamente più costosi con RDS(ON) inferiore (per rallentare la commutazione e assorbire eccessivi sbalzi di tensione) o l’installazione di un circuito smorzatore capacitivo esterno, ma questo approccio presenta lo svantaggio di aumentare il numero di componenti.
Nexperia ha ottimizzato i suoi MOSFET NextPowerS3 da 40 V per offrire prestazioni EMC simili a quelle che possono essere ottenute utilizzando un circuito snubber esterno, offrendo allo stesso tempo una maggiore efficienza. Questi MOSFET sono adatti per l’uso in convertitori a commutazione e controller motore in varie applicazioni e sono disponibili nella confezione LFPAK56.

Le dichiarazioni

“Presentando queste ultime aggiunte alla nostra gamma di soluzioni FET discrete all’APEC 2024, Nexperia mostra come sfruttiamo la nostra esperienza in ricerca e sviluppo per fornire soluzioni ottimizzate. Sia i nostri nuovi ASFET PoE da 100 V che le prestazioni EMC migliorate nei nostri MOSFET NextPowerS3 da 40 V dimostrano il nostro impegno nel supportare gli ingegneri nel superare le sfide in diverse applicazioni. Queste innovazioni sottolineano l’impegno di Nexperia nel fornire soluzioni efficienti, compatte e affidabili, che consentono ai nostri clienti di avere successo nel mercato in continua evoluzione di oggi”, afferma Chris Boyce, MOSFET Marketing & Product Group Director presso Nexperia.

Sul sito Nexperia sono disponibili ulteriori informazioni sia sugli ASFET PoE che sui MOSFET NextPowerS3.