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News semiconduttori e mercati dal 15 al 19 marzo 2021

AMERICA & GLOBAL

Lo spettro dell’inflazione che aleggia sulla borsa americana, più che una rotazione dei mercati, ha prodotto questa settimana un calo di tutti gli indici principali. Complice anche la brusca discesa del prezzo del petrolio, con i dati sulle scorte che sono tornati a livelli normali. Della tanto attesa e forte ripartenza dell’economia americana se ne riparlerà tra qualche settimana, come suggeriscono anche i dati settimanali sull’occupazione, peggiori del previsto. È proseguito, in ogni caso, l’aumento del rendimento delle emissioni pubbliche con il Treasury a 10 anni che è salito dall’1,610% all’1,726%.

In questo contesto se la sono cavata i titoli dell’industria dei semiconduttori, un ibrido tra tecnologici (visti quindi in calo) e industriali (che dovrebbero aumentare), alla luce dell’attuale trend di mercato.

In settimana, dunque, il Dow Jones perde lo 0,46% a quota 32.627 punti, l’S&P 500 arretra dello 0,77%, a quota 3.913 punti, e il Nasdaq Composite perde lo 0,78% a quota 13.215 punti. Il bilancio annuale rimane comunque positivo per tutti gli indici: +4,18% per il Dow Jones, +6,60% per l’S&P 500 e +2,53% per il Nasdaq Composite.

Arretrano di poco tutti gli indici tecnologici con l’eccezione negativa di Tesla che perde molto, il 5,60%, a quota 654,87 dollari, e con quella positiva di Facebook che guadagna l’8,09% sulla scia dei numerosi accordi che la società di Mark Zuckerberg sta siglando con gli editori di mezzo mondo per poter accedere ai contenuti da loro prodotti.

Come detto, avanza dell’1,56% l’indice dell’industria dei semiconduttori, il PHLX Semiconductor (SOX), che chiude la settimana a 3.011 punti.

Nella seguente tabella sono riportate le 5 migliori e peggiori performance settimanali delle aziende che fanno parte di questo paniere:

Fonte: elaborazione Elettronica & Mercati su dati di borsa.

Guida la classifica con un +10,12% la multinazionale olandese NXP Semiconductors (che ha acquisito nel 2015 Freescale), grazie all’entrata del titolo nell’indice S&P 500.

Buona anche la performance di ON Semiconductor (+4,16%) il cui guadagno da inizio anno sale così al 22,49%. Un’altra settimana no, invece, per il duo XilinxAMD.

Queste, invece, le 5 migliori e peggiori performance da inizio anno:

Fonte: elaborazione Elettronica & Mercati su dati di borsa.

Ancora una volta troviamo  nelle posizioni di testa sia NXP che ON, insieme a due società come Applied Materials e Brooks Automation che producono impianti e materiali per la fabbricazione di semiconduttori.

Sarà un caso, ma due delle società che guidano la classifica (Intel e ON), hanno cambiato CEO dall’inizio del 2021.

Fanalino di coda, Qualcomm, che perde dall’inizio dell’anno il 14,84% e su cui pesano pesanti incognite relative alla scarsità di semiconduttori che l’azienda commissiona ad alcune foundry asiatiche, in primis a TSMC.

ASIA

Contrastate le borse asiatiche con gli indici cinesi che continuano ad arretrare aggravando il bilancio annuale mentre tutte le altre piazze, nonostante le perdite, continuano ad avere un bilancio annuale ampiamente positivo.

In Cina, dunque, l’indice Shanghai Composite arretra in settimana dell’1,4% (-1,97% ytd) mentre lo Shenzhen Composite perde l’1,4%, portando la performance da inizio anno a -5,77%.

L’Hang Seng di Hong Kong – unica piazza positiva – guadagna in settimana lo 0,87% portando il saldo annuale a +6,46%.

Da segnalare, tra i tecnologici, l’incremento settimanale del 15,38% di Xiaomi che ha beneficiato di due notizie più che positive per la società: l’approvazione di una nuova campagna di riacquisto di azioni proprie per 1,3 miliardi di dollari e la decisione di un giudice federale americano di bloccare l’applicazione del divieto per gli operatori americani di investire in Xiaomi, divieto definito dallo stesso giudice “profondamente sbagliato”. Resta tuttavia ancora fortemente negativo il bilancio annuale: -20,93%.

Leggermente negativo il bilancio settimanale per il KOSPI coreano che perde lo 0,49% con Samsung (-1,09%) e SK Hynix (-1,53%) che arretrano entrambe. Per quanto riguarda Samsung, pesano le conseguenze della chiusura e della lenta ripartenza dell’impianto di Austin in Texas, una situazione che potrebbe provocare un’ulteriore carenza di semiconduttori a livello globale, questa volta anche nel settore degli smartphone.

Più pesante l’andamento dell’indice generale e dei tecnologici a Taipei dove il Taiex arretra dell’1,14% (+9,08% ytd); perdono  molto UMC (-6,21%), TSMC (-3,75%) e MediaTek (-1,56%). Questa piazza è stata quella che ha risentito maggiormente della fase di rotazione dei mercati.

Il Nikkei 225 giapponese chiude la settimana con un guadagno dello 0,25% (+8,56% ytd) con variazioni minimi dei titoli dell’industria dei semiconduttori.
 

EUROPA  

Restano guardinghe le borse europee con gli indici che chiudono contrastati e che guardano più all’andamento della campagna vaccinale che all’aumento dei tassi di interesse dei T-bond americani. Continuano a preoccupare le ulteriori restrizioni in atto per combattere la pandemia.

Milano chiude la settimana con un incremento dello 0,36% che porta il guadagno da inizio anno all’8,85%, grazie soprattutto al +5% della settimana scorsa.

Contrastati gli indici dei semiconduttori con STMicroelectronics che guadagna in settimana il 3,97% (+1,98% ytd) mentre arretra dello 0,15% Infineon Tecnologies (+7,20 ytd). Positive in settimana sia l’olandese ASML (+3,98%, +16,88% ytd) che l’austriaca ams (+1,26%, -2,35% ytd).

 

PRODOTTI

Per quanto riguarda i nuovi prodotti, AMD ha presentato lunedì le nuove CPU AMD EPYC serie 7003 tra cui la versione AMD EPYC 7763, il processore per server – secondo AMD – più performante al mondo.

Immagine: AMD

I nuovi processori della serie EPYC 7003 aiutano i clienti HPC, cloud e aziendali a fare di più e più velocemente, fornendo le migliori prestazioni di qualsiasi altra CPU per server, con incrementi delle prestazioni fino al 19% per quanto riguarda le istruzioni per clock.

Immediatamente disponibili, i processori AMD EPYC serie 7003 hanno fino a 64 core “Zen 3” per processore e introducono nuovi livelli di memoria cache per core, pur continuando a offrire la connettività PCIe 4 e la larghezza di banda di memoria leader della categoria. La terza serie di processori AMD Gen EPYC include anche avanzate funzioni di sicurezza attraverso AMD Infinity Guard; tra queste, Secure Encrypted Virtualization-Secure Nested Paging (SEV-SNP).

SEV-SNP espande le funzionalità SEV esistenti sui processori EPYC, aggiungendo potenti capacità di protezione dell’integrità della memoria per aiutare a prevenire attacchi dannosi basati su hypervisor, creando un ambiente di esecuzione isolato.

 

Da parte sua, Maxim Integrated ha presentato tre nuovi componenti della serie Essential Analog che consentono ai progettisti di estendere la durata della batteria e ridurre le dimensioni delle soluzioni destinate ai settori consumer, industriale, medicale e IoT.

Immagine: Maxim Integrated

Il convertitore boost nanoPower MAX17227A da 2A, il convertitore per alte tensioni MAX17291 da 1A e il regolatore LDO MAX38911 da 500mA offrono la corrente di quiescenza più bassa tra le soluzioni oggi disponibili sul mercato, migliorando l’efficienza del sistema e incrementando la durata della batteria.

Per supportare applicazioni avanzate come drug delivery, sensing, machine learning e intelligenza artificiale, i sistemi di ultima generazione devono essere in grado di fornire correnti più elevate utilizzando batterie di dimensioni ridotte. I vincoli imposti dai dispositivi obbligano gli sviluppatori a compromessi che possono limitare le funzionalità, ridurre la durata della batteria o aumentare le dimensioni della soluzione. I tre nuovi dispositivi Efficient Power appartenenti al portafoglio di prodotti Essential Analog di Maxim aiutano i progettisti a trovare il giusto compromesso, offrendo la più bassa corrente di quiescenza e le dimensioni più ridotte oggi disponibili sul mercato.

MAX17227A: per gli accessori di consumo e i sistemi IoT e medicali indossabili alimentati a batteria che richiedono un incremento della potenza, il MAX17227A fornisce la massima potenza di uscita e la più bassa corrente di riposo. Il componente supporta correnti di commutazione fino a 2A, il doppio rispetto alla soluzione concorrente più simile, con una corrente di riposo dimezzata, pari a soli 350 nA. Questo convertitore boost nanoPower è provvisto di protezione dai cortocircuiti, spegnimento effettivo, tensione di ingresso variabile tra 400 mV e 5,5 V e durata della batteria estesa fino al 10%.

MAX17291: con un incremento della tensione fino a 20 V, il MAX17291 offre una corrente di quiescenza inferiore dell’80% e una dimensione della soluzione inferiore del 60% rispetto a prodotti analoghi della concorrenza. Questo convertitore boost, permettendo una conversione di tensione 10x è adatto per sistemi alimentati a batteria che devono generare tensioni di uscita elevate per alimentare carichi come dispositivi industriali per il mantenimento dell’energia, display o sensori.

MAX38911: con una dimensione fino al 50% inferiore rispetto alle soluzioni della concorrenza, il regolatore LDO MAX38911 da 500 mA per sistemi IoT alimentati a batteria assorbe solo 19 µA nella modalità di funzionamento idle, estendendo la durata della batteria fino al 10%. Il componente offre inoltre il miglior rapporto di reiezione dell’alimentazione (PSRR) del settore a un livello di 16 dB migliore rispetto al prodotto della concorrenza più simile, evitando così che il rumore prodotto dagli alimentatori possa interferire con funzionalità critiche come misure di precisione e trasferimenti dati.

Sempre Maxim Integrated, tramite la controllata TRINAMIC Motion Control, ha introdotto due nuovi tipi di moduli embedded per il controllo del movimento e strumenti di sviluppo che permettono di implementare soluzioni di controllo in tempo reale senza sensori. Questi moduli completi di controller e driver consentono di ridurre il traffico dati del sistema di controllo del motore elaborando funzioni critiche in tempo reale e diminuendo il carico di lavoro sul processore di sistema. La tecnologia di controllo ottimizza la potenza assorbita dai motori industriali, riducendo del 50% le perdite di potenza e consentendo l’utilizzo di motori industriali passo-passo tre volte più grandi e motori brushless in corrente continua (BLDC) fino a 7A.

Immagine: TRINAMIC Motion Control

Soluzioni passo-passo bipolari a 2 fasi: Il modulo da 5A RMS TMCM-1230 e il modulo da 6,5A RMS TMCM-1231 sono moduli integrati di tipo slot con controller/driver ad asse singolo. Ciascuno di essi alimenta motori passo-passo bipolari a 2 fasi condividendo gli stessi fattori di forma e piedinatura per facilitarne l’interscambio. Entrambi i moduli utilizzano l’esclusiva tecnologia senza sensori di Trinamic per rilevare in tempo reale la richiesta di potenza del motore e regolare istantaneamente il valore della corrente, riducendo la potenza di oltre il 50% rispetto alle soluzioni concorrenti.

Soluzioni di controllo ad orientamento di campo: Trinamic offre anche i moduli di tipo slot da 5A RMS TMCM-1637 e da 7A RMS TMCM-1638, due controller/driver ad orientamento di campo che aggiungono le funzionalità di encoder Hall e ABN per il controllo ad orientamento di campo (o controllo vettoriale). Questi moduli supportano motori in corrente continua a singola fase, motori passo-passo bipolari a 2 fasi e motori BLDC a 3 fasi.

Ambiente di sviluppo integrato (IDE) liberamente utilizzabile: Per valutare velocemente le prestazioni del sistema e velocizzare il time to market, i progettisti possono liberamente utilizzare il software IDE offerto da Trinamic, insieme alle schede ad asse singolo TMCM-BB1 o a 4 assi TMCM-BB4 controllate attraverso il modulo microcontrollore TMCM-0930-TMCL.

 

Vishay ha presentato nove nuovi dispositivi di potenza VRPower da 70 A, 80 A e 100 A con monitoraggio integrato della corrente e della temperatura, realizzati in package PowerPAK MLP56 da 39 mm x 6 mm. Progettata per contribuire a ridurre i costi energetici dei data center e di altre infrastrutture per telecomunicazioni e di elaborazione ad alte prestazioni, la famiglia di dispositivi di potenza intelligenti Vishay Siliconix SiC8xx offre un’elevata efficienza energetica e ottima precisione nella misura della corrente.

Immagine: Vishay

I nuovi dispositivi combinano MOSFET di potenza e un IC driver. La loro elevata efficienza energetica è il risultato della tecnologia avanzata TrenchFET Gen IV con cui sono realizzati i MOSFET integrati; le prestazioni sono un riferimento per il settore e contribuiscono a ridurre significativamente le perdite di commutazione e conduzione. I dispositivi di potenza intelligenti SiC8xx offrono un’efficienza massima superiore al 93% in tutte le condizioni operative. È possibile abilitare una modalità di emulazione diodo per carichi leggeri, contribuendo ad estendere l’elevata efficienza su tutto l’intervallo di carico.

Al contrario dei tradizionali sistemi che monitorano il consumo energetico e che offrono un’accuratezza di circa il 7%, la famiglia SiC8xx utilizza il rilevamento MOSFET low-side per una precisione inferiore al 3%. Ciò si traduce in una migliore gestione termica nei processori SoC ad elevata corrente come quelli di Intel Corporation, Advanced Micro Devices, e Nvidia Corporation. I dispositivi sono ottimizzati per convertitori buck sincroni, VRD multifase per CPU, GPU e memorie, nonché per moduli VR DC/DC.

I dispositivi di potenza intelligenti SiC8xx offrono un ampio intervallo di tensioni di ingresso, da 4,5 V a 21 V, con frequenze di commutazione fino a 2 MHz. Le funzioni di protezione dai guasti includono avvisi di cortocircuito e sovracorrente MOSFET dal lato alto, protezione da sovratemperatura e blocco in caso di sottotensione (UVLO). La famiglia SiC8xx supporta logica PWM 3,3 V e 5 V con tri-state per la compatibilità con un’ampia gamma di controller PWM. I nuovi dispositivi VRPower sono già in produzione.

 

Dopo l’annuncio di gennaio, in settimana Intel ha comunicato il lancio ufficiale dei nuovi processori di undicesima generazione “Rocket Lake S“ guidati dall’ammiraglia Intel Core i9- 11900K in grado di raggiungere velocità di 5,3 GHz per prestazioni entusiasmanti anche nel gaming.

Immagine: Intel Corporation

Basati sulla nuova architettura Cypress Cove, i processori desktop Intel Core serie S di undicesima generazione sono progettati per trasformare l’efficienza hardware e software e aumentare le prestazioni di gioco. La nuova architettura offre fino al 19% di miglioramento delle istruzioni per ciclo (IPC) gen-over-gen per i core a clock più alto e aggiunge la grafica Intel UHD con l’architettura grafica Intel Xe per applicazioni media e capacità grafiche intelligenti. Ciò è importante perché i giochi e la maggior parte delle applicazioni continuano a dipendere da core ad alta frequenza per ottenere frame rate elevati e bassa latenza.

Con i suoi nuovi processori desktop di 11^ generazione, Intel continua a spingere le prestazioni di gioco al limite e offrire le esperienze più coinvolgenti per i giocatori di tutto il mondo.

In cima alla lista c’è l’Intel Core i9-11900K di 11^ generazione, caratterizzato da prestazioni ineguagliabili fino a 5,3 GHz, otto core, 16 thread e 16 megabyte di Intel Smart Cache. Il processore desktop Intel Core di 11^ generazione sbloccato supporta velocità di memoria elevate con DDR4-3200 per consentire un gameplay fluido e un multitasking senza interruzioni.

Attraverso una stretta collaborazione con oltre 200 dei migliori sviluppatori di giochi, Intel offre una serie di ottimizzazioni per esperienze di gioco entusiasmanti.

I processori Intel Core di undicesima generazione per desktop introducono nuovi strumenti e funzionalità di overclock per maggiore flessibile e prestazioni senza confronti. Questa generazione include l’overclock della memoria in tempo reale che consente modifiche alla frequenza DDR4 in real time, estendendo il supporto dell’overclocking della memoria per i chipset H570 e B560 consentendo agli utenti di sperimentare l’overclock, le estensioni vettoriali avanzate (AVX) 2 e l’override della banda di guardia della tensione AVX-512 e un nuovissimo controller di memoria integrato con tempi più ampi e supporto Gear 2 (oltre al supporto Gear 1).
 

Numerosi gli annunci di settimana da parte di Infineon Technologies.

Il primo riguarda l’ampliamento del proprio portafoglio EiceDRIVER di gate driver isolati per controllo MOSFET e IGBT di potenza con i nuovi gate driver high e low side half-bridge da 650 V.

Immagine: Infineon Technologies

I nuovi dispositivi si basano sull’esclusiva tecnologia SOI (silicon-on-insulator) dell’azienda e integrano diodi bootstrap, fornendo robustezza e immunità ai disturbi contro le tensioni transitorie negative sul pin VS. Tutte queste caratteristiche riducono la distinta base e consentono progetti più robusti e di dimensioni ridotte. La famiglia FLS (Fast Level Shift) è concepita per applicazioni ad alta frequenza come SMPS e UPS così come azionamenti industriali e inverter integrati, elettrodomesticiutensili elettrici nonché controllo motore per ventilatori e pompe.

L’EiceDRIVER 2ED2110S06M è un driver ad alta corrente da 2,5 A, mentre l’EiceDRIVER 2ED2101 / 03/04 è un driver a bassa corrente, da 0,7 A. I dispositivi a bassa corrente sono disponibili in package DSO-8, mentre il driver da 2,5 A viene fornito in un package DSO-16W. Con ritardi di propagazione di 90 ns e un ritardo di abbinamento massimo di 10 ns, supportano la commutazione ad alta frequenza nella gamma dei 500 kHz così come le applicazioni di controllo motore tradizionali. Il 2ED2110S06M supporta la funzionalità di spegnimento, logica separata e massa di alimentazione. Il diodo bootstrap integrato offre un ripristino inverso ultra rapido con una resistenza tipica di 30 Ohm.

EiceDRIVER 2E2110S e 2ED2101 / 03/04 sono già disponibili in package standard DSO-8 (SOIC8) e DSO-16W con classificazione ESD HBM da 2 kV.

 

Sempre Infineon Technologies ha presentato una nuova generazione di diodi di potenza senza custodia progettata per la saldatura a resistenza a media frequenza e per applicazioni con raddrizzatori ad alta corrente.

Immagine: Infineon Technologies

I dispositivi soddisfano i requisiti del mercato per una maggiore corrente diretta, basse perdite di conduzione e una maggiore capacità di ciclo di potenza. Con questo nuovo design, il focus si sposta sul miglior rapporto tra prestazioni e durata, supportando una riduzione dei cicli di manutenzione. Le principali applicazioni della nuova generazione di diodi sono la saldatura a punti nell’industria automobilistica, l’elettrolisi a bassa tensione e la protezione contro le sovratensioni.

La nuova generazione di diodi per saldatura offre la più alta capacità di ciclo di potenza sul mercato. Rispetto ai dispositivi convenzionali, la minore tensione dello stato di ON consente correnti superiori dal 10 al 15 percento. In questo modo, il cliente può scegliere tra una maggiore durata e una maggiore corrente per la sua applicazione. Con tutte le nuove funzionalità, la nuova generazione di diodi di potenza è ideale per estendere le prestazioni dei progetti esistenti con la piena compatibilità meccanica.

I nuovi diodi di potenza Infineon sono disponibili in dimensioni standard di 38 mm, 46 mm, 56 mm e 65 mm di diametro con una tensione di blocco di 600 V: 38DN06B02, 46DN06B02, 56DN06B02 e 65DN06B02. Ulteriori informazioni sono disponibili qui.

 

Il terzo annuncio di Infineon Technologies riguarda il software host TSS open source che consente una perfetta integrazione dei moduli TPM 2.0 (Trusted Platform Modules) nei sistemi basati su Linux.

Immagine: Infineon Technologies.

I Trusted Platform Modules (TPM) consentono aggiornamenti software remoti protetti, crittografia del disco e autenticazione utente. Pertanto, sono fondamentali per i dispositivi connessi per impiego industriale, automobilistico, Internet of Things, ecc. Per facilitare ulteriormente la perfetta integrazione nei sistemi basati su Linux, Infineon Technologies fornisce ora la sua soluzione OPTIGA TPM 2.0 con un completo software host TSS che implementa il più recente standard FAPI. Infineon ha sviluppato il software open source in collaborazione con Intel Corporation e Fraunhofer Institute for Secure Information Technology SIT.

Utilizzando OPTIGA TPM 2.0 plug-and-play di Infineon, gli integratori di sistemi IoT possono migliorare in modo significativo la sicurezza dei prodotti connessi. L’integrazione del software con TSS-FAPI non richiede competenze specifiche e riduce lo sviluppo del codice sorgente fino a un fattore 16. Pertanto, i costi e il time to market possono essere ridotti. Inoltre, i produttori possono accelerare il processo di certificazione dei propri dispositivi industriali secondo lo standard IEC 62443 per applicazioni industriali, che richiede sicurezza basata su hardware dal livello 4 in su.

La specifica FAPI è stata rilasciata di recente come standard internazionale dal Trusted Computing Group (TCG). La specifica è implementata nello stack TSS insieme agli strumenti associati; lo stack TSS è un software open source, che consente una perfetta integrazione del TPM 2.0 nei sistemi basati su Linux. Ciò include il supporto del software Linux per l’autenticazione del dispositivo, la crittografia dei dati, gli aggiornamenti software e la gestione remota del dispositivo.

Gli sviluppatori di applicazioni possono utilizzare l’OPTIGA TPM SLB 9670OPTIGA TPM SLI 9670 e OPTIGA TPM SLM 9670. Le board Iridium e il TSS Quickstarter di Infineon consentono di iniziare da subito. Le Board e il codice sorgente per i microcontrollori AURIX e Arduino sono già disponibili. Ulteriori informazioni su OPTIGA TPM di Infineon sono disponibili al seguente link mentre informazioni su Github Project  (incluso il codice scaricabile) sono disponibili qui.

 

Da parte sua, Microchip Technology ha annunciato  il suo Grandmaster  TimeProvider 4100 Release 2.2, in grado di fornire un nuovo livello di resilienza con l’introduzione di una innovativa architettura ridondante, oltre al supporto per un ricevitore GNSS (Global Navigation Satellite System) multibanda e una maggiore sicurezza per garantire una sincronizzazione sempre al top.

Immagine: Microchip Technology

La ridondanza è fondamentale per i fornitori di infrastrutture che debbono contare su sistemi affidabili in grado di garantire servizi senza interruzioni. Le implementazioni dell’infrastruttura si basavano in precedenza sulla ridondanza dell’hardware per evitare interruzioni del servizio; il Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 di Microchip fornisce ridondanza tramite l’implementazione del software, consentendo una distribuzione flessibile, e con costi hardware inferiori senza sacrificare il numero di porte.

Inoltre, il Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 introduce un maggiore livello di resilienza supportando un nuovo ricevitore GNSS multibanda e multi-costellazione per la protezione dai ritardi dovuti a condizioni meteorologiche, eventi solari e altre interruzioni che possono influire sui servizi infrastrutturali critici. Il GNSS multibanda è particolarmente importante per le applicazioni con i massimi livelli di precisione, tra cui Primary Reference Time Clock Class B (PRTC-B, 40 ns) e Enhanced Primary Reference Time Clock (ePRTC, 30 ns).

Il nuovo Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 di Microchip aggiunge il supporto per RADIUS e TACACS+, nonché nuove funzionalità anti-jamming e anti-spoofing.

Inoltre, il dispositivo fornisce un’opzione OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillator) per potenziare le capacità di holdover in caso di interruzione del servizio GNSS.

Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 è una famiglia di prodotti con moduli di espansione hardware per fan-out legacy o fan-out Ethernet con supporto 10 Gigabit Ethernet. I dispositivi possono essere configurati in modalità operative specifiche per agire come un clock gateway, un boundary clock ad alte prestazioni o un ePRTC.

 

Da parte sua, STMicroelectronics annuncia il gate driver STGAP2SiCS l’ultimo nato della famiglia STGAP, ottimizzato per il controllo sicuro di MOSFET in carburo di silicio (SiC) funzionanti con tensioni fino a 1200V.

Immagine: STMicroelectronics

In grado di produrre una tensione di pilotaggio di gate fino a 26 V, l’STGAP2SiCS ha una soglia UVLO (Under-Voltage Lockout) rialzata di 15,5 V per soddisfare i requisiti di accensione dei MOSFET SiC. Se la tensione di pilotaggio è troppo bassa, a causa di una tensione di alimentazione troppo bassa, la sezione UVLO assicura che il MOSFET rimanga spento per evitare un’eccessiva dissipazione. Il driver dispone di doppi pin di ingresso che consentono ai progettisti di determinare la polarità del segnale gate-drive.

Con 6kV di isolamento galvanico tra la sezione di ingresso e l’uscita di pilotaggio, l’STGAP2SiCS aiuta a garantire la sicurezza nelle applicazioni consumer e industriali. La sua capacità di uscita sink/source da 4 A è adatta a convertitori, alimentatori e inverter di media e alta potenza in apparecchiature quali elettrodomestici di fascia alta, unità industriali, ventole, riscaldatori a induzione, saldatrici e UPS.

Sono disponibili due diverse configurazioni di uscita. La prima dispone di pin di uscita separati che consente l’ottimizzazione indipendente dei tempi di accensione e spegnimento utilizzando un resistore di gate dedicato. La seconda è prevista per la commutazione hard ad alta frequenza, con un singolo pin di uscita e un morsetto Miller attivo che limita l’oscillazione della tensione gate-source del MOSFET SiC per prevenire accensioni indesiderate e migliorare l’affidabilità. Il circuito di ingresso è compatibile con la logica CMOS / TTL fino a 3,3 V, per un facile interfacciamento con un’ampia varietà di circuiti integrati di controllo.

Alloggiato in un contenitore SO-8W wide-body che garantisce un ingombro ridotto, STGAP2SiCS è già disponibile al prezzo unitario di USD 2,00 per ordini minimi di 1.000 pezzi. Ulteriori informazioni sono disponibili qui.