lunedì, Maggio 20, 2024
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Le fabbriche di semiconduttori per wafer da 300 mm passeranno dalle attuali 153 a oltre 200 nel 2026

Lo segnale un recente report di Knometa che registra 14 nuovi impianti entrati in funzione l’anno scorso, e che prevede l’apertura di altri 10 fab da 300 mm nel 2022.

Sono questi i dati più importanti contenuto nel report Global Wafer Capacity 2022 di Knometa Research rilasciato pochi giorni fa.

Il report mette in evidenza anche il crescente numero di fab da 300 mm destinate ai prodotti non-IC ovvero, essenzialmente, ai transistor di potenza.

I vantaggi in termini di costi di produzione derivanti dall’utilizzo di wafer da 300 mm entrano in gioco quando i volumi sono elevati e il chip occupano aree più grandi. Esempi di circuiti integrati con queste caratteristiche includono DRAM, memoria flash, sensori di immagine, circuiti integrati a logica complessa e microcomponenti, PMIC, processori in banda base, CODEC audio e driver di visualizzazione. Sebbene i transistor di potenza di grandi dimensioni siano ancora piccoli rispetto alle dimensioni dei die di questi circuiti integrati, gli elevati quantitativi richiesti dal mercato ne rendono conveniente la produzione con impianti da 300 mm.

Secondo IC Insights, la domanda unitaria di transistor di potenza nel 2021 ha raggiunto 43,5 miliardi di MOSFET di potenza e 2,2 miliardi di IGBT.

Delle 10 fabbriche di wafer da 300 mm che dovrebbero entrare in funzione nel 2022, due saranno concentrate sulla produzione di prodotti non IC. Una fabbrica, di proprietà di CR Micro, sorgerà a Chongqing, in Cina, e l’altra, di proprietà di Silan Microelectronics, verrà realizzata a Xiamen, in Cina.

Un terzo delle nuove fabbriche da 300 mm che apriranno quest’anno verranno costruite da TSMC. Rispondendo alla forte domanda per i suoi servizi di fonderia, la società ha aumentato la sua spesa in conto capitale del 74% nel 2021 a 30 miliardi di dollari, mentre quest’anno gli investimenti in fabbriche e impianti raggiungeranno i 44 miliardi di dollari. Gran parte di questa spesa è stata destinata agli impianti dei fab di Fase 4 e Fase 5 nel campus Fab 18 di Tainan. TSMC sta anche ultimando un secondo fab presso il suo sito Fab 16 a Nanchino, in Cina, per soddisfare la domanda di tecnologie mature, in particolare CMOS a 28 nm.

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Texas Instruments e STMicroelectronics (con il suo partner Tower Semiconductor recentemente acquistato da Intel) stanno completando la costruzione di fab da 300 mm destinati alla produzione di circuiti integrati analogici e a segnale misto. TI ha registrato un enorme aumento della spesa in conto capitale per il 2021 con il 279% in più speso durante l’anno rispetto al 2020. La maggior parte di questi investimenti è stato destinato all’acquisto di nuove attrezzature per il secondo stabilimento dell’azienda a Richardson, in Texas, e per il terzo stabilimento da 300 mm in costruzione. La struttura RFAB2 raddoppierà la capacità produttiva del sito di Richardson.

Sono solo due le nuove fabbriche di memorie da 300 mm che entreranno in funzione quest’anno. SK Hynix dovrebbe iniziare le operazioni su una linea di Fase 2 per 3D NAND presso il suo sito di produzione M15 a Cheongju, in Corea, mentre Winbond prevede di avviare la sua nuova fabbrica di DRAM a Kaohsiung, Taiwan.