lunedì, Febbraio 26, 2024
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Kioxia avvia la costruzione di un nuovo impianto per la produzione di memorie flash 3D di sesta generazione

L’impianto fa parte del complesso produttivo di Yokkaichi, nella prefettura di Mie, in Giappone.

Kioxia Corporation (ex Toshiba Memory), una dei più importanti produttori mondiali di memorie, ha festeggiato l’avvio della costruzione del nuovo impianto (Fab7) destinato alla fabbricazione di memorie Flash presso il complesso produttivo di Yokkaichi nella prefettura di Mie, in Giappone. La struttura sarà una delle più avanzate realtà produttive di semiconduttori al mondo, destinata alla fabbricazione di chip di memoria Flash 3D con la tecnologia proprietaria BiCS FLASH. La prima fase del progetto sarà completata entro la primavera del 2022. La costruzione del nuovo impianto sarà suddivisa in due fasi per consentire una produzione anticipata di memorie flash al fine di soddisfare la forte domanda di mercato. Il costo complessivo del progetto è di 1 trilione di yen (circa 9,5 miliardi di dollari).

L’impianto Fab7 avrà una struttura in grado di assorbire gli effetti di terremoti di forte intensità (molto frequenti nell’area) oltre ad un design rispettoso dell’ambiente con avanzate attrezzature di produzione a basso consumo energetico. Situato nel complesso di Yokkaichi, il più grande polo produttivo di memorie flash al mondo, lo stabilimento Fab7 aumenterà ulteriormente la capacità produttiva di Kioxia grazie anche ad un sistema di produzione avanzato governato da sistemi di intelligenza artificiale.

Anche per questo progetto, continuerà la partnership con Western Digital che dura da oltre 20 anni; le due società collaboreranno al funzionamento dell’impianto e investiranno nella struttura Fab7 e nelle spese di ricerca per lo sviluppo di memorie flash 3D di sesta generazione.

L’innovazione tecnologica ha prodotto un incremento esponenziale dei dati da elaborare e archiviare, con la necessità di nuovi supporti di memoria, più veloci e con capacità sempre maggiore. Il mercato delle memorie flash continuerà a crescere guidato dai servizi cloud, 5G, IoT, AI e automotive.

Il nuovo impianto Fab7 di Kioxia per la produzione di memorie all’avanguardia nasce proprio per soddisfare la crescente domanda di memorie in tutto il mondo.

L’anno scorso Kioxia ha posticipato un’IPO a causa dell’incertezza nel mercato globale dei chip derivante dalle tensioni USA-Cina; nonostante ciò la società andrà avanti con i suoi investimenti nel nuovo impianto di memoria flash per rimanere competitiva sul mercato.

Il settore delle memorie flash NAND si sta consolidando con sei produttori globali che stanno combattendo per riuscire a guadagnare con questa tecnologia. Gli analisti ritengono che anche il leader di mercato Samsung Electronics non sia soddisfatto della redditività della sua attività NAND. L’azienda sudcoreana detiene una quota di mercato del 35,9%, mentre Kioxia detiene il 19%. Attualmente Samsung sta espandendo l’impianto di Xi’an, in Cina con un investimento di 8 miliardi di dollari.

Nel frattempo, SK Hynix, ha annunciato di aver firmato un accordo con Intel per acquisire l’unità di memoria NAND dell’azienda statunitense per 9 miliardi di dollari. La quota di mercato combinata di SK e Intel nel 2019 è stata del 19,4%, leggermente superiore a quella di Kioxia. SK hynix ha anche in portafoglio 3,74 miliardi di dollari di obbligazioni convertibili emesse da Kioxia nel 2017 che intende convertire in azioni quando la società giapponese sarà quotata in borsa.

Nel frattempo stanno arrivando altri player, come l’azienda cinese YMTC, il principale produttore cinese di chip di memoria che sta rafforzando le sue capacità con il supporto del governo.

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