Oltre agli stabilimenti israeliani, americani e giapponesi di Tower Semiconductor, Intel eredita anche un accordo stretto tra Tower e STMicroelectronics per la gestione del nuovo impianto R3 di Agrate Brianza.
Dopo le indiscrezioni della Reuters, è arrivata la conferma ufficiale da parte delle due società: Intel e Tower Semiconductor hanno stretto un accordo definitivo in base al quale Intel acquisterà in contanti le azioni Tower in circolazione al prezzo di 53 dollari per azione, per un valore dell’intera operazione di 5,4 miliardi di dollari circa.
Secondo il comunicato ufficiale, questa operazione fa compiere un significativo passo in avanti alla strategia IDM 2.0 di Intel verso l’espansione delle capacità di fonderia, necessarie per iniziare l’attività di produzione a contratto, attività in cui è specializzata Tower Semiconductor con clienti del calibro di Broadcom, Analog Devices e altri ancora.
“Il portafoglio di tecnologie di Tower, la portata geografica, le relazioni profonde con i clienti e le operazioni incentrate sui servizi aiuteranno a scalare i servizi di fonderia di Intel e a far avanzare il nostro obiettivo di diventare uno dei principali fornitori di capacità di fonderia a livello globale”, ha affermato Pat Gelsinger, CEO di Intel. “Questo accordo consentirà a Intel di offrire un’ampia gamma di nodi all’avanguardia e tecnologie speciali, differenziate su nodi maturi, sbloccando nuove opportunità per i clienti esistenti e futuri in un’era di domanda senza precedenti di semiconduttori“.
Come parte fondamentale della sua strategia IDM 2.0, Intel ha dato vita nel marzo del 2021 a Intel Foundry Services (IFS) con l’intento di soddisfare la crescente domanda globale di capacità di produzione di semiconduttori e per diventare un importante fornitore di servizi di fonderia a contratto, con siti produttivi negli Stati Uniti e in Europa, in grado di servire i clienti a livello globale. IFS attualmente offre tecnologie di confezionamento e di processo all’avanguardia, negli Stati Uniti, in Europa e in altre aree geografiche, nonché un ampio portafoglio di proprietà intellettuale (IP).
Tower – prosegue il comunicato – vanta una lunga esperienza in tecnologie speciali, come radiofrequenza (RF), alimentazione, SiGe e sensori industriali; dispone inoltre di varie partnership IP, ha una profonda esperienza nell’impiego di sistemi di progettazione automatizzata (EDA) e ha un’impronta globale.
La società serve mercati in forte crescita come quello mobile, automobilistico ed energetico. Tower ha una capacità di circa 2 milioni di wafer 8”/equivalenti all’anno.
La transazione, che dovrebbe concludersi in circa 12 mesi, è stata approvata all’unanimità dai consigli di amministrazione di Intel e Tower ed è soggetta a specifiche approvazioni normative e alle consuete condizioni di chiusura, inclusa l’approvazione degli azionisti di Tower.
Intel Foundry Services e Tower Semiconductor funzioneranno in modo indipendente fino alla chiusura dell’accordo; IFS continuerà ad essere guidato da Randhir Thakur mentre Russell Ellwanger continuerà nel ruolo di CEO di Tower. Al termine della transazione, l’intento di Intel è quello di integrare le due attività di fonderia in un’unica organizzazione.
Tra le varie attività di Tower Semiconductor, c’è anche la partnership con STMicroelectronics per l’avviamento e la gestione di una parte del nuovo impianto R3 di ST in costruzione ad Agrate Brianza.
L’accordo, sottoscritto nel giugno dell’anno scorso, prevede che le due società uniscano le proprie risorse per accelerare il ramp-up dell’impianto, fattore chiave per raggiungere un alto livello di utilizzo degli impianti e, di conseguenza, un costo competitivo. ST condividerà la clean room di R3, dove Tower avrà a disposizione un terzo dello spazio totale per installare i propri impianti.
Le attività operative continueranno ad essere gestite da ST, con alcuni dipendenti di Tower distaccati in ST in ruoli specifici per supportare la qualifica della fabbrica e il ramp-up dei volumi di produzione, così come in altri ruoli ingegneristici e di processo. Nella fase iniziale, in R3 saranno qualificati processi da 130, 90 e 65 nanometri per dispositivi di potenza, analogici, RF e a segnale misto. I prodotti basati su queste tecnologie saranno utilizzati in particolare in applicazioni automotive, industrial e di personal electronics.
Secondo i programmi, la produzione di semiconduttori dovrebbe iniziare entro la fine di quest’anno.
Nessuno ha mai chiarito sino in fondo le ragioni di questo strano accordo di cui non si conoscono altri dettagli se non quelli, piuttosto generici, forniti dai comunicati ufficiali. È decisamente inusuale, infatti, che un produttore di semiconduttori come STMicroelectronics ceda 1/3 del proprio stabilimento (oltretutto nuovissimo) ad una società esterna che, al limite, potrebbe produrre prodotti concorrenti.
Sicuramente la ragione non riguarda le competenze e il personale necessario per avviare l’impianto da 300 mm, tecnologia non presente ad Agrate ma che la multinazionale italo-francese padroneggia essendo utilizzata nell’impianto francese di Crolles già dal 2003; anche per quanto riguarda le tecnologie di processo, quasi tutte le soluzioni che Tower Semiconductor è in grado di offrire (BCD, RF-SOI, CIS, BCD, Bi-CMOS, ecc) fanno parte del bagaglio di esperienze di ST.
Proprio perché le vere ragioni di questo accordo non sono note, non è ipotizzabile preveder cosa succederà quando, tra circa un anno, Tower Semiconductors diventerà a tutti gli effetti Intel. Allo stesso modo non è ipotizzabile che durante le trattative tra Tower e Intel le due società non si siano confrontate (e chiarite) con STMicroelectronics.
Su questo punto, ovvero sulla conferma dell’accordo su Agrate anche dopo la cessione di Tower, sarebbe auspicabile un chiarimento da parte di STMicroelectronics, magari con qualche spiegazione in più sulle motivazioni – economiche e tecnologiche – di questo accordo.
