La combinazione della tecnologia trench e della supergiunzione SiC consente una maggiore efficienza e design più compatti: un passo importante per le applicazioni che richiedono i massimi livelli di prestazioni e affidabilità.
Infineon Technologies è stata pioniera nell’introduzione sul mercato di dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) e della tecnologia trench per MOSFET SiC, combinando prestazioni eccellenti con un’elevata robustezza.
Oggi, l’offerta di prodotti CoolSiC spazia da 400 V a 3,3 kV e copre un’ampia gamma di applicazioni, tra cui inverter per autotrazione, ricarica di veicoli elettrici, sistemi di energia solare, accumulo di energia e inverter ad alta potenza. Forte di una solida esperienza nello sviluppo del business SiC e sfruttando la sua posizione di innovatore nei dispositivi di charge-compensating in silicio (CoolMOS), Infineon introduce ora il concetto di tecnologia a supergiunzione SiC (TSJ) basata su trench.
“Con l’introduzione del concetto TSJ, stiamo ampliando significativamente le potenzialità tecnologiche del carburo di silicio”, ha affermato Peter Wawer, Presidente della Divisione Green Industrial Power di Infineon. “La combinazione della tecnologia trench e della supergiunzione consente una maggiore efficienza e design più compatti: un passo importante per le applicazioni che richiedono i massimi livelli di prestazioni e affidabilità”.
Infineon si impegna ad ampliare gradualmente il suo portafoglio di prodotti CoolSiC, sfruttando la tecnologia SiC TSJ. Questa espansione comprenderà una vasta gamma di tipologie di package, inclusi moduli discreti, stampati e basati su frame, nonché bare die. Il portafoglio ampliato soddisferà un ampio spettro di applicazioni, rivolgendosi sia al settore automobilistico che a quello industriale.
I primi prodotti basati sulla nuova tecnologia saranno quelli da 1200 V ID-PAK per inverter di trazione per autoveicoli e combineranno i vantaggi della tecnologia trench e della progettazione a supergiunzione, capitalizzando gli oltre 25 anni di esperienza di Infineon nella tecnologia a supergiunzione basata su SiC e silicio (CoolMOS).
Questa piattaforma scalabile supporta livelli di potenza fino a 800 kW, consentendo un elevato grado di flessibilità del sistema. I principali vantaggi della tecnologia includono una maggiore densità di potenza, ottenuta grazie a un miglioramento fino al 40% di RDS(ON)*A, che consente di realizzare progetti più compatti all’interno di una determinata classe di potenza. Inoltre, il concetto di supergiunzione trench SiC da 1200 V in ID-PAK consente una corrente fino al 25% superiore negli inverter senza compromettere la resistenza al cortocircuito.
Questo progresso si traduce anche in un miglioramento delle prestazioni complessive del sistema, offrendo una maggiore efficienza energetica, minori requisiti di raffreddamento e una maggiore affidabilità per le applicazioni automotive e industriali più esigenti.
Inoltre, il sistema beneficia di minori requisiti di parallelizzazione, che semplificano il processo di progettazione e riducono i costi complessivi del sistema. Grazie a queste innovazioni, il package Infineon ID-PAK dotato di tecnologia SiC TSJ contribuisce allo sviluppo di inverter di trazione più efficienti ed economici per applicazioni automotive.
“In qualità di numero uno al mondo nei semiconduttori per l’automotive, Infineon detta il ritmo dell’innovazione e contribuisce a costruire il ponte tra il progresso tecnologico dei veicoli e la mobilità sostenibile“, ha affermato Peter Schiefer, Presidente della Divisione Automotive di Infineon. “La nostra nuova tecnologia di supergiunzione SiC basata su trench offre ulteriore valore ai sistemi di trasmissione dei veicoli elettrici, consentendo una maggiore efficienza e una progettazione più semplice del sistema.”
In qualità di primo cliente, Hyundai Motor Company si avvarrà della tecnologia di supergiunzione trench di Infineon, sfruttandone i vantaggi per migliorare la propria offerta di veicoli elettrici. Si prevede che questa partnership guiderà lo sviluppo di sistemi di propulsione per veicoli elettrici più efficienti e compatti.
Disponibilità
I primi campioni di ID-PAK 1200 V sono disponibili per clienti selezionati di sistemi di trasmissione per autoveicoli. Si prevede che il package ID-PAK 1200 V basato su SiC TSJ sarà pronto per la produzione in serie nel 2027.
Infineon a PCIM Europe 2025
La tecnologia TSJ sarà presentata presso lo stand Infineon (Pad. 7 Stand 470) in occasione della manifestazione PCIM Europe 2025 in programma a Norimberga, Germania, dal 6 all’8 maggio. I rappresentanti dell’azienda terranno diverse presentazioni sui palchi di PCIM Expo e della PCIM Conference, seguite da dibattiti con i relatori. Ulteriori informazioni sulla partecipazione di Infineon a PCIM sono disponibili al seguente link: www.infineon.com/pcim.
 stabilendo nuovi standard di efficienza e robustezza.){kind=link}