mercoledì, Maggio 29, 2024
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Infineon e Panasonic accelerano lo sviluppo della tecnologia GaN da 650V

Infineon Technologies e Panasonic Corporation hanno firmato un accordo per lo sviluppo e la produzione di dispositivi al nitruro di gallio (GaN) di seconda generazione (Gen2), tecnologia in grado di offrire maggiori livelli di efficienza e di densità di potenza. Le eccezionali prestazioni e l’elevata affidabilità dei dispositivi, combinate con la capacità produttiva di wafer GaN-on-Si da 8 pollici, rappresentano la risposta di Infineon alla crescente domanda di semiconduttori di potenza con tecnologia GaN. I dispositivi GaN HEMT sviluppati con la tecnologia Gen2 apparterranno alla categoria da 650V garantendo una grande facilità d’uso e un migliore rapporto prezzo-prestazioni; le applicazioni, sia di alta che di bassa potenza, riguardano SMPSenergie rinnovabiliazionamenti per motori e altre applicazioni ancora.

In molti progetti il nitruro di gallio (GaN) offre grandi vantaggi rispetto al silicio: l’eccezionale resistenza dinamica in conduzione e le minori capacità rispetto ai MOSFET al silicio consentono l’utilizzo dei dispositivi HEMT GaN per commutazioni a frequenza elevatissima. I risparmi energetici risultanti e la riduzione delle dimensioni e dei costi totali del sistema, rendono la tecnologia GaN una scelta particolarmente interessante per i progettisti.

Oltre agli stessi elevati standard di affidabilità della precedente generazione, con Gen2 i clienti beneficeranno di un controllo ancora più semplice del transistor e di una consistente riduzione dei costi grazie all’utilizzo in produzione di wafer da 8 pollici“, ha dichiarato Andreas Urschitz, presidente di Infineon’s Power and Sensor Systems Division. Come i dispositivi Gen 1 sviluppati congiuntamente, conosciuti come CoolGaN di Infineon e X-GaN di Panasonic, la seconda generazione sarà basata sulla struttura del GaN-on-silicio normalmente OFF. La combinazione con l’impareggiabile robustezza della struttura del transistor HD-GIT (hybrid-drain-embedded gate injection transistor) rende questi componenti il ​​prodotto più richiesto sul mercato e una delle soluzioni più affidabili nel tempo.

Siamo lieti di estendere la nostra partnership e collaborazione con Infineon sui componenti GaN. Nell’ambito dell’approccio congiunto, saremo in grado di produrre dispositivi Gen1 e Gen2 di elevata qualità basati sulle tecnologie più innovative“, ha dichiarato Tetsuzo Ueda, Associate Director of Engineering Division, Industrial Solutions Company, Panasonic Corporation.

Il lancio sul mercato dei nuovi dispositivi 650 V GaN Gen2 è previsto per la prima metà del 2023.