Il gruppo tedesco è il primo produttore di semiconduttori ad aver sviluppato con successo la tecnologia GaN su wafer da 300 millimetri all’interno di una linea produttiva ad alto volume già operativa.
Infineon Technologies annuncia oggi un traguardo tecnologico che rafforza ulteriormente la sua posizione nel mercato dei semiconduttori di potenza: la produzione scalabile di dispositivi GaN (nitruro di gallio) su wafer da 300 millimetri è pienamente in linea con la roadmap aziendale. I primi campioni saranno disponibili per i clienti nel quarto trimestre del 2025, aprendo la strada a un’espansione significativa dell’offerta e del portafoglio clienti in questo segmento in rapida crescita.
GaN: più efficienza, meno calore, design più compatti
L’azienda tedesca, già punto di riferimento per le tecnologie su silicio (Si) e carburo di silicio (SiC), completa così la sua leadership tecnologica anche sul fronte del GaN, materiale sempre più richiesto per applicazioni ad alta densità di potenza e velocità di commutazione elevate. Il nitruro di gallio consente dispositivi più compatti, efficienti e meno energivori, ideali per alimentatori, robot industriali e umanoidi, inverter fotovoltaici, caricabatterie per smartphone e sistemi di controllo motori.
Il valore del modello IDM nella strategia di Infineon
“Con la nostra produzione GaN completamente scalata su wafer da 300 millimetri saremo in grado di offrire ai clienti il massimo valore in tempi ancora più rapidi, avvicinandoci anche alla parità di costo con prodotti equivalenti in silicio”, ha dichiarato Johannes Schoiswohl, responsabile della GaN Business Line in Infineon. “A quasi un anno dall’annuncio del nostro primo successo tecnologico su 300 mm, siamo soddisfatti dei progressi e del riconoscimento che il settore sta attribuendo al nostro approccio basato sul modello IDM”.
Il modello IDM (Integrated Device Manufacturer) adottato da Infineon – che integra l’intero processo produttivo, dalla progettazione alla fabbricazione fino alla distribuzione del chip – si conferma un approccio vincente. Questa strategia consente all’azienda di garantire alta qualità, time-to-market più rapidi e grande flessibilità progettuale. La produzione interna offre inoltre la possibilità di scalare con precisione le capacità in funzione della domanda, aspetto essenziale per supportare i clienti in cerca di soluzioni GaN affidabili e su misura.
Infineon è la prima realtà a sviluppare con successo la tecnologia GaN su wafer da 300 mm all’interno di una linea produttiva di grande scala già esistente. Questo passaggio tecnico è particolarmente rilevante, poiché i wafer da 300 mm permettono di ottenere fino a 2,3 volte più chip rispetto ai tradizionali wafer da 200 mm, con vantaggi significativi in termini di efficienza, costo unitario e sostenibilità.
Un mercato in espansione e oltre 40 nuovi prodotti
Il tutto si inserisce in un contesto di forte crescita: secondo gli analisti di mercato, il segmento GaN destinato alle applicazioni di potenza crescerà a un ritmo annuo del 36%, raggiungendo circa 2,5 miliardi di dollari entro il 2030. Negli ultimi dodici mesi Infineon ha presentato oltre 40 nuovi prodotti basati su GaN, consolidando la propria posizione come partner privilegiato per i clienti che cercano soluzioni di potenza ad alte prestazioni.
Con il più ampio portafoglio IP del settore e un team specializzato di esperti, il gruppo è oggi pronto ad affrontare le nuove sfide poste da settori chiave come l’industria, l’automotive, i sistemi AI e le comunicazioni. L’avvio della produzione su 300 mm rappresenta non solo un’evoluzione tecnologica, ma un passo concreto verso un’infrastruttura ICT più sostenibile ed efficiente.
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