Dopo il boom 2019-2024, la filiera del carburo di silicio entra in una fase di assestamento: tassi di utilizzo in calo, CapEx in frenata e Cina in rapido recupero sul front-end, con il prossimo rilancio atteso tra 2027 e 2028.
Il mercato del carburo di silicio per applicazioni di potenza continua la sua trasformazione. Dopo un’ondata di investimenti senza precedenti tra il 2019 e il 2024, il settore sta ora entrando in un ciclo di correzione. L’ultimo rapporto di Yole Group, Power SiC 2025 – Front-End Manufacturing Equipment, offre un’analisi approfondita di questo cambiamento, coprendo parametri di mercato, tendenze tecnologiche e dinamiche competitive che modellano le apparecchiature SiC in termini di crescita delle boule, epitassia, strumenti per la fabbricazione di wafer e apparecchiature di collaudo.
Il rallentamento del mercato automobilistico ha ridotto la domanda di SiC, trasformandone la supply chain. Il ciclo di calo dei tassi di utilizzo, eccesso di capacità e riduzione degli investimenti sta sollevando preoccupazioni tra gli operatori del settore. Tuttavia, nonostante il rallentamento, il SiC rimane centrale nella roadmap dell’elettrificazione, con un fatturato previsto per i dispositivi che raggiungerà quasi 10 miliardi di dollari entro il 2030.
Il primo importante ciclo di investimenti del settore, guidato dal boom delle spese in conto capitale nel periodo 2019-2024, ha creato una significativa sovracapacità a monte. A partire dal 2025, i tassi di utilizzo sono scesi a circa il 50% per i processi upstream e al 70% per le linee di dispositivi. Si prevede che la flessione persisterà fino al 2027-2028, quando una nuova crescita deriverà dalle piattaforme di produzione da 8 pollici e dai MOSFET di nuova generazione, trench e supergiunzione.
“Il mercato SiC è entrato in una necessaria fase di correzione. Infatti, dopo cinque anni di ingenti investimenti, il mercato deve assorbire la capacità produttiva prima che nuovi strumenti e tecnologie possano guidare la prossima espansione”, ha dichiarato Taguhi Yeghoyan, Principal Technology & Market Analyst, Semiconductor Equipment, Yole Group.
Dinamiche regionali: la rapida ascesa della Cina
Gran parte del nuovo CapEx per le apparecchiature è concentrato nella Cina continentale, dove la strategia governativa incoraggia l’approvvigionamento locale di equipment. Nel 2024, gli operatori cinesi avevano già acquisito circa il 40% della capacità produttiva di wafer ed epiwafer in SiC e si stanno rapidamente espandendo nella produzione di dispositivi. Sebbene l’ecosistema delle apparecchiature non sia ancora completamente autosufficiente, i fornitori nazionali hanno compiuto progressi significativi nei segmenti degli utensili PVT e HTCVD.
“La Cina sta recuperando rapidamente terreno in termini di capacità front-end del SiC”, osserva Yeghoyan. “I fornitori locali ora competono testa a testa nella crescita dei cristalli SiC e nell’epitassia, mentre i player internazionali mantengono la leadership nei settori dell’assottigliamento, della metrologia e dell’impianto ionico avanzato”.
Prospettive dell’ecosistema delle apparecchiature
- PVT (crescita boule): ecosistema maturo con capacità da 8 pollici consolidate. Si prevede che il mercato delle apparecchiature PVT, guidato da Naura, subisca una forte contrazione prima di stabilizzarsi con un CAGR di circa l’11% dal 2024 al 2030.
- Epitassia (HTCVD): i player europei ASM International e AIXTRON sono in testa, seguiti da NuFlare e TEL, mentre i vendor cinesi Naura, JSG e NASO Tech si stanno espandendo in modo aggressivo.
- Strumenti WFE: richiedono adattamenti specifici per il SiC (incisione, CMP, impiantazione ionica e ispezione). Il mercato manterrà un CAGR di circa −7% fino al 2030, sostenuto dagli aggiornamenti della base installata esistente.
- Test e burn-in: la sovracapacità nei sistemi di burn-in ha compensato la crescita complessiva delle apparecchiature correlate ai test, portando a un CAGR modesto del 3%.
Nonostante la crisi, gli IDM continuano a investire strategicamente nella capacità SiC da 200 mm e nelle architetture MOSFET avanzate, mantenendo la leadership globale anche mentre l’ecosistema interno cinese guadagna terreno.
“Dopo un periodo di rapida espansione, il settore del SiC per applicazioni di potenza si sta ricalibrando. Il rallentamento a breve termine maschera una trasformazione a lungo termine verso la produzione da 200 mm, catene di fornitura localizzate e nuove architetture di dispositivi che definiranno il prossimo ciclo di crescita”, ha dichiarato Poshun Chiu, Principal Technology & Market Analyst, Compound Semiconductor, Yole Group.
Il report Power SiC 2025 – Front-End Manufacturing Equipment di Yole Group offre una panoramica dettagliata sull’adozione della tecnologia, il posizionamento dei fornitori e l’evoluzione del CapEx in tutti i principali segmenti di processo.
