Innoscience ha confermato in un comunicato stampa che i suoi dispositivi GaN di terza generazione forniscono all’architettura NVIDIA da 800 VDC una soluzione di alimentazione full-link, dall’ingresso da 800 V ai terminali GPU.
Il settore dei semiconduttori per l’intelligenza artificiale vede un nuovo e importante attore emergere. NVIDIA, leader nel comparto dei processori per l’AI, ha scelto Innoscience Technology come fornitore per la sua innovativa architettura di alimentazione da 800 VDC destinata ai data center. La notizia assume un rilievo particolare poiché Innoscience è l’unica azienda cinese selezionata in questa collaborazione, segnando un’importante affermazione per l’industria dei semiconduttori del Paese.
Una soluzione GaN full-link per l’AI
Secondo quanto confermato da Innoscience, i suoi dispositivi GaN (nitruro di gallio) di terza generazione sono stati scelti per fornire una soluzione di alimentazione “full-link” all’architettura da 800 VDC di NVIDIA. Ciò significa che i chip di Innoscience gestiranno l’intero percorso di alimentazione, dall’ingresso da 800 VDC fino ai terminali di alimentazione delle GPU.
Questa nuova architettura è progettata per gestire in modo efficiente le infrastrutture di calcolo del futuro su scala megawatt, offrendo vantaggi significativi in termini di efficienza del sistema, dissipazione del calore e affidabilità, rispetto ai sistemi tradizionali a 54 V. La tecnologia GaN si rivela ideale per questo scopo, grazie alla sua capacità di operare ad alta tensione con maggiore efficienza e una densità di potenza superiore, caratteristiche essenziali per alimentare le sempre più esigenti GPU di NVIDIA, come quelle della serie GH200 e GB200.
Innoscience rafforza la sua leadership nel GaN
La partnership con NVIDIA, sebbene ancora in una fase di test senza che siano stati ancora emessi ordini formali, rafforza ulteriormente la posizione di Innoscience nel mercato globale dei dispositivi di potenza GaN. L’azienda ha consolidato la sua leadership nel 2024, detenendo una quota di mercato del 29,9%.
A giocare un ruolo chiave nel successo di Innoscience è anche la sua capacità produttiva. L’azienda è la prima a livello globale ad aver raggiunto la produzione su larga scala di wafer GaN da 8 pollici, una tecnologia che aumenta la produzione di chip dell’80% e riduce i costi per unità del 30% rispetto ai tradizionali wafer da 6 pollici.
I contenziosi legali sui brevetti GaN: la storia con Infineon ed EPC
Questo importante successo di mercato di Innoscience si inserisce in un contesto di accese battaglie legali che l’azienda sta affrontando con i suoi principali concorrenti, a dimostrazione dell’elevata posta in gioco nella tecnologia GaN.
Oltre al contenzioso con Infineon, che ha visto il tribunale di Monaco di Baviera vietare a Innoscience la produzione e la vendita di determinati prodotti in Germania per violazione di brevetto, l’azienda cinese è stata coinvolta anche in un’intricata disputa legale con Efficient Power Conversion (EPC) negli Stati Uniti. La vicenda ha visto un’alternanza di vittorie e sconfitte legali per entrambe le parti.
Da un lato, nel 2024, la US International Trade Commission (ITC) aveva emesso un ordine che imponeva a Innoscience il divieto di importare negli Stati Uniti alcuni prodotti GaN che avevano violato un brevetto di EPC. Dall’altro, Innoscience ha successivamente ottenuto una “vittoria decisiva” quando l’Ufficio Brevetti e Marchi degli Stati Uniti (USPTO) ha invalidato lo stesso brevetto di EPC, rimuovendo le basi della disputa.
Questo intricato scenario legale evidenzia la natura altamente competitiva del mercato del GaN e la determinazione dei principali attori a difendere la loro proprietà intellettuale a livello globale.
