Il boom delle AI factory con GPU NVIDIA apre spazi di collaborazione con i campioni del “power”: Infineon, Renesas e ROHM si aggiungono all’ecosistema 800 V DC per aumentare l’efficienza energetica dei data center, ridurre perdite e rame e scalare verso rack da megawatt.
Infineon ha annunciato il supporto all’architettura a 800 V DC per i data center AI, sviluppando soluzioni di conversione e distribuzione ad alta tensione con NVIDIA per superare i limiti dei sistemi AC tradizionali e preparare rack da 1 MW e oltre. L’obiettivo è un’alimentazione più efficiente, scalabile e sostenibile per i carichi AI di prossima generazione.
Renesas ha presentato un portafoglio di semiconduttori di potenza in particolare soluzioni GaN e convertitori LLC DCX – a supporto dell’architettura 800 V DC annunciata da NVIDIA, con efficienze dichiarate fino al 98% nella conversione DC/DC e opzioni di “stacking” fino a 800 V per la distribuzione in rack.
ROHM, tra i fornitori chiave di dispositivi SiC e GaN, ha comunicato il proprio ruolo nell’implementazione della nuova infrastruttura 800 V HVDC per i data center AI, pubblicando anche un white paper sulle strategie di conversione e sui benefici in termini di efficienza e scalabilità.
In cosa consiste l’architettura a 800 V DC di NVIDIA
La novità è spostare la distribuzione di potenza del data center da schemi AC (415/480 V trifase) a una linea DC a 800 V. Invece di molteplici conversioni AC/DC e DC/DC disperse, l’energia viene rettificata in modo centralizzato e portata in corrente continua ad alta tensione fino al rack; all’interno del rack la potenza viene poi trasformata con moduli DC/DC ad alta densità verso i livelli richiesti dai server (riutilizzando anche componenti a 48/54 V dove serve). Questo approccio riduce drasticamente perdite di distribuzione, sezioni di rame e complessità, e migliora scalabilità e affidabilità dei “fabric di potenza” per cluster AI.
NVIDIA ha dettagliato che l’ecosistema 800 V DC nascerà con un ampio network di partner power/electrical (tra cui, oltre a STMicroelectronics, Infineon, ROHM e Renesas) e che la migrazione a HVDC è un abilitatore per le AI factory di prossima generazione presentate nelle iniziative tecniche e ai principali eventi di settore.
Perché serve: efficienza, densità e costi
Con i carichi AI in crescita, i data center passano da rack su scala kilowatt a rack su scala megawatt. Le architetture 54 V e le catene di conversione ripetute generano perdite e “rame” eccessivo, diventando un collo di bottiglia per TCO e sostenibilità. Portare la distribuzione principale a 800 V DC consente di aumentare la densità di potenza, tagliare le perdite lungo i cavi e semplificare l’infrastruttura, mantenendo al tempo stesso la compatibilità a valle con gli attuali sottosistemi a 48/54 V tramite step-down DC/DC ad alta efficienza.
Il ruolo dei partner: SiC, GaN e topologie ad alta efficienza
I progressi dipendono da wide-bandgap e topologie avanzate:
Renesas evidenzia i GaN FET e i convertitori LLC DCX per la tratta DC/DC ad alta densità con efficienze fino al 98%, oltre a switch GaN bidirezionali nel front-end AC/DC.
ROHM porta in dote SiC e GaN per la rettifica/condizionamento a 800 V e pubblica linee guida tecniche per l’adozione nei rack da 1 MW e oltre.
Infineon, tra i leader nel power management per infrastrutture, collabora con NVIDIA per la distribuzione HVDC di nuova generazione, con focus su efficienza, affidabilità e riduzione dei costi operativi.
Prospettive: verso le AI factory su scala gigawatt
Secondo NVIDIA, la transizione a 800 V DC è una leva chiave per portare le AI factory su scala gigawatt, migliorando efficienza energetica e utilizzo dei materiali, e integrando meglio storage e rinnovabili rispetto agli schemi tradizionali. Con l’ingresso di Infineon, Renesas e ROHM — accanto a partner già annunciati come STMicroelectronics — l’ecosistema tecnologico si allarga e accelera la tabella di marcia verso l’adozione su larga scala nei data center.
