La notizia è stata diffusa dal quotidiano economico francese l’Usine Nouvelle secondo il quale il nuovo progetto sarebbe attualmente al centro delle trattative tra le autorità italiane e la Commissione Europea.
Se la notizia venisse confermata, l’iniziativa di ST rappresenterebbe un fatto di straordinaria importanza per l’industria italiana dei semiconduttori e più in generale per l’economia italiana.
Dopo l’amaro in bocca lasciato dal mancato accordo con Intel per la fabbrica di packaging avanzato che doveva sorgere nel nostro paese, e soprattutto dopo gli annunci delle nuove mega fabbriche di semiconduttori che Intel e TSMC realizzeranno in Germania con i contributi dell’European Chips Act, l’Italia rischiava di rimanere a bocca asciutta o quasi, con contributi per appena qualche centinaia di milioni di euro mentre nel resto d’Europa si autorizzavano incentivi pubblici per decine di miliardi. La stessa STMicroelectronics riceverà contributi per 2,9 miliardi di euro per il nuovo fab da 300 mm che costruirà in Francia in partnership con GlobalFoudries mentre quest’ultima sta cercando di farsi finanziare dalla Comunità europea un nuovo impianto da 5 miliardi che dovrebbe sorgere (anche questo!) in Germania.
Nel nostro paese i contributi più consistenti autorizzati al momento riguardano il nuovo impianto per substrati in carburo di silicio che ST sta realizzando a Catania (per 292,5 milioni di euro) e il nuovo impianto per substrati da 300 mm che MEMC SpA sta costruendo a Novara.
Secondo l’Usine Nouvelle – che non rivela la fonte delle sue informazioni – STMicroelectronics spera di ottenere per la nuova iniziativa a Catania, contributi pari al 40% della spesa complessiva dell’investimento, stimata in 5 miliardi di euro.
L’Etna Valley rappresenta storicamente la base di sviluppo e produzione dei componenti di potenza in carburo di silicio, con il sito di Singapore come seconda fonte.
In quell’area, STMicroelectronics sta investendo 730 milioni di euro (per il 40% finanziati dallo stato italiano) per realizzare una nuova fabbrica di substrati in carburo di silicio da 150 mm (con futura espansione a 200 mm) con l’obiettivo di soddisfare internamente il 40% del suo fabbisogno di substrati a partire dal 2024, mentre oggi dipende fortemente da fornitori esterni come Wolfspeed e SiChrystal.
STMicroelectronics ha recentemente annunciato anche un accordo con la cinese Sanan Optoelectronics per creare una joint venture per la produzione di dispositivi in carburo di silicio con wafer da 200 mm a Chongqing, in Cina. La nuova fabbrica di dispositivi SiC ha come obiettivo l’avvio della produzione nel quarto trimestre del 2025 mentre la piena operatività è prevista per il 2028, a sostegno della crescente domanda in Cina di elettrificazione delle automobili e di applicazioni energetiche e di potenza industriali. Parallelamente, Sanan Optoelectronics costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati SiC da 200 mm per soddisfare le esigenze della joint venture utilizzando il proprio processo di substrati SiC.
La joint venture produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics, utilizzando la tecnologia di processo di produzione SiC proprietaria di ST, e fungerà da fonderia dedicata per ST per supportare la domanda dei suoi clienti cinesi.
L’importo totale della JV dovrebbe essere di circa 3,2 miliardi di dollari, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi nei prossimi 5 anni, che saranno finanziate dalle due aziende e che godranno anche dei contributi del governo locale.
Il carburo di silicio sta emergendo come un semiconduttore chiave nell’elettrificazione dei veicoli. Rispetto al silicio tradizionale offre il vantaggio di estendere l’autonomia, accelerare la ricarica delle batterie e migliorare l’affidabilità dei veicoli elettrici. STMicroelectronics è pioniere e leader in questa tecnologia con il 37% del mercato nel 2022, seguita dalla tedesca Infineon Technologies con il 19%.
Tuttavia, se ST sta cercando di espandere le proprie capacità creando forti catene integrate, i competitor non stanno a guardare.
Infineon Technologies ha annunciato un piano di investimenti da 7 miliardi di euro nel suo sito di Kulim, in Malesia, con l’obiettivo di conquistare il 25% del mercato entro il 2030.
Ma la minaccia più grande potrebbe arrivare da onsemi. Questo produttore americano è passato dal quinto posto con il 5% del mercato nel 2021 al quarto con il 15% nel 2022. Questa spettacolare avanzata è dovuta al suo ingresso nel 2022 nella catena di fornitura Tesla, accanto al produttore franco-italiano che era fornitore esclusivo del produttore americano di auto elettriche.
Per guadagnare competitività e difendere la propria leadership, STMicroelectronics sta preparando una doppia transizione a partire dal 2024: dai wafer da 150 mm di diametro, che costituiscono l’attuale stato dell’arte in questo settore, ai wafer da 200 mm, e dal carburo di silicio monocristallino convenzionale a quello di Soitec, che offre il vantaggio di aumentare le prestazioni dal 15 al 20% e di ridurre le emissioni di CO2 del 70%. I substrati SmartSiC proverranno in parte dal nuovo stabilimento Bernin 4 di Soitec, vicino a Grenoble, e il resto sarà prodotto su licenza da STMicroelectronics nella sua fabbrica di substrati a Catania.
Il nuovo mega impianto SiC di Catania intende accelerare questa doppia transizione.
Le ultime proiezioni di STMicroelectronics prevedono per i prodotti SiC un fatturato di 1,2 miliardi di dollari per quest’anno, 3 miliardi nel 2025 e 5 miliardi nel 2030.
