Processi SiC semplificati per uno sviluppo più rapido di MOSFET personalizzati con la piattaforma XbloX di nuova generazione.
X-FAB ha lanciato la sua piattaforma XbloX di nuova generazione, che fa progredire la tecnologia di processo al carburo di silicio (SiC) per i MOSFET di potenza, offrendo un passo delle celle notevolmente ridotto, consentendo un aumento del die per wafer e una migliore resistenza allo stato attivo senza compromettere l’affidabilità.
XbloX è la piattaforma tecnologica e di processo aziendale semplificata di X-FAB progettata per accelerare lo sviluppo della tecnologia avanzata dei MOSFET SiC. Integra blocchi e moduli di sviluppo del processo SiC qualificati per la produzione di MOSFET planari, semplificando il processo di onboarding e riducendo significativamente i rischi di progettazione e i tempi di sviluppo del prodotto. Combinando moduli di processo collaudati con solide regole di progettazione, piani di controllo e FMEA, XbloX consente una prototipazione più rapida, una valutazione del progetto più semplice e tempi di commercializzazione più brevi. Questo approccio offre ai clienti un vantaggio competitivo, consentendo ai progettisti di creare un portafoglio di prodotti diversificato e al contempo di raggiungere tempi di produzione fino a nove mesi più rapidi rispetto ai metodi di sviluppo tradizionali.
La nuova piattaforma offre una riduzione delle dimensioni delle celle di progettazione dell’area attiva mantenendo al contempo solidi controlli di processo, nonché elevate prestazioni di perdita e rottura. La piattaforma XSICM03 con solide regole di progettazione consente ai clienti di creare MOSFET planari SiC con un passo delle celle inferiore di oltre il 25% rispetto alla generazione precedente. Questo miglioramento consente un aumento fino al 30% del die per wafer rispetto alla generazione precedente. Sfruttando blocchi di processo collaudati, la piattaforma garantisce un’eccezionale affidabilità dell’ossido di gate nonché grande robustezza del dispositivo. La libreria PCM arricchita e il supporto di progettazione migliorato consentono un rapido tape-out del cliente, con conseguente veloce sviluppo del prodotto.
Rico Tillner, CEO di X-FAB Texas spiega: “Con il suo approccio semplificato, la nostra piattaforma di processo di nuova generazione risponde alla crescente domanda di dispositivi SiC ad alte prestazioni in applicazioni automobilistiche, industriali ed energetiche. Consentiamo ai clienti esistenti e nuovi di creare portafogli di prodotti ottimizzati per l’applicazione tramite prototipazione accelerata e valutazione della progettazione, riducendo significativamente il time-to-market”.
La piattaforma di nuova generazione XSICM03 è ora disponibile per l’accesso anticipato.
A proposito di X-FAB
X-FAB è un gruppo di fonderie globali che fornisce un set completo di tecnologie specialistiche e IP di progettazione per consentire ai propri clienti di sviluppare semiconduttori leader a livello mondiale, realizzati presso i sei wafer fab di X-FAB situati in Malesia, Germania, Francia e Stati Uniti. Con la sua competenza nelle tecnologie analogiche/a segnale misto, microsistemi/MEMS e carburo di silicio (SiC), X-FAB è il partner di sviluppo e produzione per i propri clienti, servendo principalmente i mercati finali automobilistico, industriale e medicale. X-FAB ha circa 4.500 dipendenti ed è quotata su Euronext Paris da aprile 2017 (XFAB).
di nuova generazione per la progettazione di MOSFET di potenza.){kind=link}