L’azienda, nonostante abbia dichiarato bancarotta alcuni mesi fa, annuncia anche servizi di epitassia per la qualificazione immediata. Vola il titolo in borsa con un guadagno di oltre il 100% nel mese di settembre.
Wolfspeed ha annunciato la settimana scorsa il lancio di un portafoglio completo di wafer in carburo di silicio da 200 mm. Dopo aver inizialmente offerto SiC da 200 mm a clienti selezionati, la risposta positiva e i vantaggi ottenuti ne hanno giustificato il lancio commerciale sul mercato. Wolfspeed propone anche l’epitassia SiC da 200 mm per la qualificazione immediata che, abbinata ai wafer nudi da 200 mm dell’azienda, garantisce maggiore scalabilità e qualità, consentendo la produzione della prossima generazione di dispositivi di potenza ad alte prestazioni.
All’annuncio, dopo un’iniziale battuta d’arresto, il titolo Wolfspeed ha compiuto un vero e proprio balzo in borsa, registrando un aumento di oltre il 100% dall’inizio del mese. Il rialzo, pur consistente, non è tuttavia paragonabile al tracollo che le azioni hanno subito negli ultimi anni: se ieri il titolo ha chiuso a 2,49 dollari per azione, nel 2022 la quotazione superava i 100 dollari.
Una scommessa finita male
Dietro la crisi di Wolfspeed c’è una combinazione letale di aspettative troppo ottimistiche, rallentamento del mercato e concorrenza agguerrita. Nel 2021 le previsioni indicavano una crescita esplosiva del mercato del SiC: 6,3 miliardi di dollari di valore entro il 2027, con un CAGR del 34%.
Il rallentamento del settore dei veicoli elettrici, dovuto alla riduzione degli incentivi e alle tensioni geopolitiche, ha ridimensionato le aspettative. Nel 2024 il tasso di crescita annuale del mercato EV è sceso dal 50% al 15%. I numeri sono impietosi: nell’anno fiscale 2024 Wolfspeed ha generato un fatturato di appena 807 milioni di dollari, a fronte di investimenti per 2,1 miliardi nella sola espansione della capacità produttiva. Il risultato? Un flusso di cassa prosciugato e un’esplosione del debito. La concorrenza, soprattutto cinese, ha fatto il resto.
La concorrenza non sta a guardare
La crisi è esplosa in un momento in cui sia i competitor tradizionali (STMicroelectronics, Infineon) sia quelli emergenti (in particolare cinesi) si facevano sempre più aggressivi. Player come SICC, TanKeBlue, Tystar e Sanan hanno accelerato la produzione di substrati SiC da 150 e 200 mm, spingendo verso il basso i prezzi e saturando il mercato.
Intanto, a Wuhan, è entrato in funzione il nuovo mega stabilimento di YOFC Advanced Semiconductor, con una capacità a regime di 360.000 wafer da 6 pollici all’anno. E non è tutto: Tianyue Advanced ha già avviato la produzione di substrati da 12 pollici, anticipando una nuova fase della competizione globale.
La crisi finanziaria che ne è seguita ha costretto Wolfspeed a presentare istanza volontaria di fallimento secondo il Capitolo 11 della legge fallimentare statunitense. In questo modo l’azienda è riuscita a ridurre il debito di oltre 3 miliardi e i costi per interessi del 60%. A farne le spese, oltre al CEO Gregg Lowe – sostituito con Robert Feurle – e a molti azionisti, è stata principalmente Renesas, che con Wolfspeed aveva un contratto di fornitura e che, a seguito del Restructuring Support Agreement (RSA), ha perso circa 1,66 miliardi di dollari.
Nonostante queste vicissitudini, Wolfspeed ha continuato a operare regolarmente grazie a una liquidità residua di 1,3 miliardi di dollari, come dimostra l’annuncio dell’ampliamento del portafoglio SiC da 200 mm.
I commenti
A tale proposito, il dott. Cengiz Balkas, Chief Business Officer, ha dichiarato: “I wafer SiC da 200 mm di Wolfspeed sono più di un semplice ampliamento del diametro dei wafer: rappresentano un’innovazione nei materiali che consente ai nostri clienti di accelerare con sicurezza la roadmap dei loro dispositivi. Offrendo qualità su larga scala, Wolfspeed consente ai produttori di elettronica di potenza di soddisfare la crescente domanda di soluzioni in carburo di silicio più efficienti e performanti”.
Minore spessore e gamma più ampia
Le specifiche migliorate dei wafer nudi SiC da 200 mm – con spessore di 350 µm, drogaggio ottimizzato e uniformità all’avanguardia per l’epitassia da 200 mm – consentono ai produttori di dispositivi di migliorare le rese dei MOSFET, accelerare il time-to-market e offrire soluzioni più competitive in applicazioni automotive, energie rinnovabili, industriali e altre aree ad alta crescita. Questi progressi verranno estesi anche ai wafer SiC da 150 mm.
“Questo progresso riflette l’impegno di lunga data di Wolfspeed nel superare i limiti della tecnologia dei materiali in carburo di silicio”, ha affermato Balkas. “I nuovi prodotti dimostrano la nostra capacità di anticipare le esigenze dei clienti, di crescere in base alla domanda e di fornire i materiali fondamentali che rendono possibile il futuro di una conversione di potenza più efficiente”.
Maggiori informazioni sul portafoglio di materiali SiC da 200 mm di Wolfspeed sono disponibili qui.
